5月25日上午，半導體技術創新發展論壇在廣電計量科技產業園順利舉辦，來自全國各地100多名國內頂尖的高校專家、行業領袖，共同聚焦SiC、GaN等前沿技術領域，探討技術創新、標準制定及產業化應用。

中國科學院半導體研究所原副所長、第三代半導體產業技術創新戰略聯盟（以下簡稱第三代半導體聯盟）副理事長兼秘書長楊富華，廣電計量檢測集團股份有限公司副總經理陸裕東出席論壇并致辭。

半導體和集成電路是支撐現代經濟社會發展的戰略性、基礎性和先導性產業，是引領新一輪科技革命和產業變革的關鍵力量，也是新質生產力的典型代表。本次論壇以“創‘芯’驅動發展，標準引領未來”為主題，由第三代半導體聯盟、廣州數字科技集團有限公司指導，第三代半導體聯盟標準化委員會、廣電計量聯合主辦，廣東工業大學集成電路學院、是德科技（中國）有限公司協辦。廣電計量集成電路測試與分析事業部副總經理李汝冠，廣東工業大學集成電路學院副院長、教授劉遠共同擔任主持。

楊富華在致辭中表示，2023年第三代半導體（SiC、GaN）功率器件的市場153.2億元，同比增長45%，產業高質量發展空間很大。第三代半導體產業高質量發展離不開標準、檢測、科技創新的支持，第三代半導體聯盟團隊十余年都在探索推動科技創新、標準研制與產業發展的協同機制，希望以標準化為橋梁，促進創新技術成果向產業化的發展，協調上中下游的協作創新。

陸裕東在致辭中表示，作為工信部、發改委及廣東省、江蘇省和上海市支持掛牌的集成電路公共服務平臺，廣電計量是國內領先的半導體質量評價與可靠性解決方案服務提供方，同時也是國內首家進行車規級芯片驗證的國有上市第三方服務機構，廣泛參與了半導體與集成電路的評估驗證、標準研制和產業化應用，積極為行業創新發展注入新動能。

會上，來自全國頂尖高校學者、行業專家、企業代表，聚焦SiC、GaN等前沿技術領域分享最新技術創新成果。

中國科學院空間應用中心載人航天空間應用系統總體元器件技術負責人、正高級工程師張澤明作《面向航天應用的半導體器件測試與標準》報告。

工業和信息化部電子第五研究所研究員陳媛作《SiC MOS功率器件標準體系構建及動態可靠性測試挑戰》報告。

重慶大學電氣工程學院教授、博士生導師曾正作《SiC MOS功率器件開關測試及實踐》報告。

廣電計量集成電路測試與分析中心總監江雪晨作《SiC MOSFET超越Si器件標準的可靠性測試及篩選方案》報告。

電子科技大學集成電路科學與工程學院教授、博士生導師明鑫作《功率GaN健康驅動策略研究》報告。

北京大學集成電路學院研究員、博士生導師魏進作《增強型GaN功率器件動態閾值電壓：原理與解決方案》報告。

西安電子科技大學廣州研究院副教授李祥東作《硅基GaN外延片電性分析》報告。

廣東工業大學集成電路學院教授賀致遠作《GaN HEMT功率器件標準體系構建思考及建議》報告。

其中廣電計量集成電路測試與分析中心總監江雪晨分享《SiC MOSFET超越Si器件標準的可靠性測試及篩選方案》的報告。江雪晨表示，廣電計量為半導體全產業鏈提供專業的失效分析、晶圓級制造工藝分析、元器件篩選、可靠性測試等服務，在SiC MOSFET可靠性評估及篩選領域積累了豐富的實踐經驗，構筑了創新發展領先優勢。

同期，聯盟還在廣電計量科技產業園分別召開了SiC MOSEET器件開關動態測試方法標準起草、GaN的標準體系標準起草的閉門會議，定向邀請行業專家開展“頭腦風暴”，共同探討行業標準與檢測的最新進展和未來趨勢，以標準引領半導體產業高質量發展。

高質量發展離不開標準的支撐與引領，產業的創新發展需要上中下游的協同推進，未來廣電計量將加強產學研用技術交流與合作，打造一流半導體與集成電路協同創新平臺，推進形成更多的共識，共建產業創新發展生態，支撐SiC/GaN功率器件的新興市場開拓，為新質生產力高質量發展注入強勁動能。