根據Theelec報道，ASML公布其高數值孔徑EUV（High-NA EUV）設備，預計在2025上半年供應給英特爾獨占使用，因此2025下半年之后三星與SK海力士方可獲得此設備。

消息人士透露，ASML此類設備年產量大約在五至六臺之間，意即英特爾全數預定了初期產能。他們進一步指出，由于英特爾迅速報出重返芯片代工市場，從而迅速購得這些設備。

ASML的高數值孔徑EUV設備對于2nm工藝節點芯片的制造至關重要，每臺設備成本高達5000億韓元（折合人民幣約26.47億元）。

數值孔徑（NA）代表光學系統收集及聚焦光線的能力，數值越大，聚光效果越佳。高數值孔徑EUV設備的數值孔徑從0.33提升至0.55，使其能夠繪制更為精密的電路圖案。

自2017年ASML首臺量產EUV光刻機問世以來，三星的7nm、5nm、3nm工藝以及臺積電的第二代7nm、5nm、3nm工藝均依賴于數值孔徑為0.33的EUV光刻機進行生產。隨著三星、臺積電、英特爾3nm制程的陸續量產，三家企業正積極投入2nm制程研發，以滿足未來高性能計算（HPC）等高端芯片需求，并在晶圓代工市場競爭中占據優勢。

為了爭取客戶，英特爾選擇比競爭對手更早采用高數值孔徑EUV。盡管該公司于2021年重回代工市場，但去年該業務仍虧損達70億美元。