據悉，中芯國際集成電路制造（上海）有限公司近期獲得一項關于“半導體結構及其形成方法”的專利，專利號為CN111370488B，于2024年4月16日正式生效，其申請日期是2018年12月26日。

該半導體結構及其形成方法主要包含以下步驟：首先，需制備基底，其中含有器件區及位于兩側的隔離區；之后進行基底圖案化，制作出襯底及突出于襯底的鰭部；接著，在器件區兩側形成突出于隔離區襯底的第一偽鰭部；最后，在鰭部與第一偽鰭部暴露的襯底上形成隔離層，并覆蓋鰭部部分側壁。通過這種方式，第一偽鰭部的設計能提高各鰭部周邊區域的圖形密度均勻性，進而改善器件區隔離層的厚度均勻性，同時降低鰭部彎曲或傾斜的可能性，進一步提升半導體結構的電氣性能。