安建半導體是一家專注于半導體功率器件的研發、設計和銷售的公司，主要產品包括高性能溝槽柵場截止型絕緣柵雙極性晶體管、屏蔽柵溝槽型場效應晶體管、高壓場效應晶體管、快速恢復場效應晶體管等。近日，該公司完成了超過2億元人民幣的C1輪融資，本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領投，龍鼎投資、一元航天及萬創投資跟投。

這次融資所得資金將主要用于以下方面：

1.開發及量產汽車級IGBT與SiC MOS產品平臺，這是安建半導體在功率半導體領域的重要布局，以滿足新能源汽車等高端應用對高性能功率器件的需求。

2.擴建汽車級IGBT及SiC模塊封裝產線，以提升產能和效率，滿足市場對高性能功率器件的快速增長需求。

3.擴充銷售及其他人才團隊，以加強公司的市場推廣和技術服務能力，提升公司的市場競爭力。

4.增加營運現金流儲備，以支持公司的日常運營和未來發展。

安建半導體的創始人單建安教授是香港科技大學電子與計算機工程學系教授，也是美國電子電氣工程師學會院士。在他的帶領下，安建半導體已經實現了IGBT、SGT-MOS、SJ-MOS三條產品線量產，公司產品得到了國內多家應用客戶的認可，已在眾多領域穩定運行。

這次融資的成功，不僅反映了資本市場對安建半導體科研技術實力的認可，以及對公司未來發展的信心，也為公司的持續發展提供了強大的資金支持。安建半導體將持續加大對新產品研發的投入，特別是面向新能源汽車及大功率光伏、儲能等高端應用的新型IGBT與SiC產品，同時注重研發產品的落地，擴大公司在行業內的產品市場份額。