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英偉達(dá)擬向三星采購高帶寬存儲芯片,追趕AI芯片巨頭SK海力士

微云疏影 ? 來源:綜合整理 ? 作者:綜合整理 ? 2024-03-20 15:05 ? 次閱讀
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據(jù)報(bào)道,英偉達(dá)擬自三星購買高帶寬存儲(HBM)芯片,此乃AI芯片核心器件之一。而SK海力士已率先啟動下一代HBM3E芯片的大規(guī)模生產(chǎn)。

對此,英偉達(dá)聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席執(zhí)行官黃仁勛在加利福尼亞州圣何塞舉辦的大會上,坦言:“HBM結(jié)構(gòu)相當(dāng)精密且附加價值極高,我司已在此領(lǐng)域做出大量投資。”他進(jìn)一步透露,公司正對三星的HBM芯片進(jìn)行資質(zhì)審核,并將未來陸續(xù)采用這些產(chǎn)品。

隨著人工智能浪潮席卷而來,因?yàn)橄噍^于常規(guī)存儲芯片,HBM能帶來更快的計(jì)算速度,已然成為了其中極為關(guān)鍵的一環(huán)。黃仁勛指出:“HBM無疑是科技創(chuàng)新的典范。”同時也強(qiáng)調(diào),由于新型節(jié)能型超算芯片逐漸普及,HBM將有力助推全球?qū)崿F(xiàn)可持續(xù)發(fā)展。

身為AI芯片市場領(lǐng)導(dǎo)者,SK海力士為英偉達(dá)獨(dú)家供應(yīng)HBM3芯片。盡管未公布新的HBM3E的客戶清單,但有消息稱,該新芯片將首先面向英偉達(dá),應(yīng)用于最新研發(fā)的Blackwell GPU

三星為緊隨競爭對手步伐,持續(xù)加大HBM投入力度,其于2023年2月布消息稱,成功研制出業(yè)界首款12層堆棧HBM3E DRAM,據(jù)悉,這款產(chǎn)品容量最大。三星方面表示,預(yù)計(jì)上半年正式啟動該芯片量產(chǎn)。

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