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長電科技推出了一項革命性的高精度熱阻測試與仿真模擬驗證技術(shù)

長電科技 ? 來源:長電科技 ? 2024-03-08 13:33 ? 次閱讀
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芯片封裝技術(shù)日益邁向高密度、高性能的今天,長電科技引領(lǐng)創(chuàng)新,推出了一項革命性的高精度熱阻測試與仿真模擬驗證技術(shù)。這一技術(shù)標(biāo)志著長電科技能夠提供更精準(zhǔn)、更高效的熱分析管理,在高密度封測領(lǐng)域的研發(fā)實力進一步增強,對于整個半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進步具有重要的推動意義。

如今電子設(shè)備的功能不斷升級,設(shè)備更加小巧化,使用環(huán)境更加多樣,過熱成為電子設(shè)備故障的首要原因。在半導(dǎo)體器件中,熱失效是最常見的失效模式之一:即在短時間內(nèi)、在局部空間、通過較大電流時,芯片的功率損耗會轉(zhuǎn)化成熱量,容易導(dǎo)致局部溫度快速升高,從而燒毀鍵合材料、EMC材料甚至芯片本身。

半導(dǎo)體器件熱管理便是采用適當(dāng)可靠的方法測試及控制芯片發(fā)熱單元的溫度,保證器件長期運行的安全性和可靠性。

長電科技研發(fā)團隊經(jīng)過深入研究與開發(fā),設(shè)計出一套基于百微米級芯片發(fā)熱模擬單元的熱管理方案。它結(jié)合了先進的熱成像技術(shù)、高精度溫度傳感器和定制軟件算法。這一方案能夠等效模擬2.5D多芯片的實際熱生成狀態(tài),實現(xiàn)對多芯片溫度的多點原位監(jiān)測,從而確保高密度封裝中芯片的性能和穩(wěn)定。

在2.5D多芯片高密度封裝中,多熱源的復(fù)雜熱流邊界、相鄰熱源熱耦合、高精度的熱阻測試、仿真模擬驗證都是封裝熱管理的關(guān)鍵。

長電科技設(shè)計開發(fā)團隊通過將高精度熱測試結(jié)構(gòu)函數(shù)導(dǎo)入熱仿真軟件,實現(xiàn)了仿真模型參數(shù)的閉環(huán)擬合校準(zhǔn);通過采用熱阻矩陣法表征多芯片封裝熱耦合疊加效應(yīng),實現(xiàn)了多熱源封裝熱阻等效分析。研究結(jié)果表明,多芯片封裝固有熱阻和耦合熱阻均隨著芯片功率密度的增加而提高,芯片的熱點分布對封裝熱阻值的影響更為顯著。

利用多熱點功率驅(qū)動電路系統(tǒng),配合多通道高速采集溫度標(biāo)測系統(tǒng),長電科技已實現(xiàn)在微小尺度上模擬芯片發(fā)熱情況,并實時監(jiān)測其溫度變化,為研發(fā)人員提供準(zhǔn)確、可靠的數(shù)據(jù)支持,和高效的解決方案,從而協(xié)助客戶更有效地管理芯片的熱性能,提高了研發(fā)效率,縮短了產(chǎn)品開發(fā)周期。長電科技將持續(xù)致力于提高該方案的精度和效率,大力推動高密度封測領(lǐng)域中熱管理的進步。





審核編輯:劉清

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原文標(biāo)題:長電科技引領(lǐng)創(chuàng)新:百微米級芯片高精度熱管理,推動高密度芯片封裝技術(shù)發(fā)展

文章出處:【微信號:gh_0837f8870e15,微信公眾號:長電科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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