新型電動汽車（EV）與可再生能源發電的需求催生了功率半導體市場的增長，它正逐步淘汰傳統的硅基功率半導體。領先制造商如日本政府支持的日本供應商開始投入精力，研發碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）、氧化鎵（GaO）及金剛石等新型高性能功率半導體材料。

當前，金剛石基功率半導體仍處在開發階段；而GaO功率半導體預計將于2023年實現量產。但在未來兩、三十年內，它們才能廣泛應用于市場。據富士經濟市場研究預測，2022年，全球SiC功率半導體市場占有率高達97%，GaN基功率半導體市場占有率達2%且已經進入市場。

Resonac（原昭和電工）是全球SiC外延片市場的佼佼者，該公司除了與羅姆半導體、英飛凌等建立長期供貨關系之外，還獲得了日本企業的大量投資，以擴大其SiC功率半導體業務生產規模。如今，他們已成功簽訂了多份SiC材料長期供給協議。

日本新能源和產業技術綜合開發機構（NEDO）已承諾投入186億日元（1.28億美元）研發經費，補貼涉及大型8英寸SiC生產設備和技術的相關項目。這正好與Resonac目標相符，即將其2022年至2028年間的SiC外延業務收入提高至原來的五倍。此外，Artience、住友電木等日本公司也在生產用于SiC功率半導體的耐熱材料方面有所建樹。

在另一邊，信越化學（Shin-Etsu Chemical）推出的復合材料基板，解決了GaN外延生長問題，開始實現批量生產，提高生產效率。設備制造商沖電氣工業（OKI）預計，其基于GaN襯底的相關業務將在2028年前開始盈利。根據富士經濟預測，2023年全球功率半導體市場規模將達到3萬億日元，其中硅基功率半導體仍然占據主導地位（92%）。然而，預計在2022年至2023年之間，全球功率半導體市場上的硅基功率半導體增幅只有11.0%，而化合物功率半導體的增速則達到34.5%。預計在2035年，化合物功率半導體的市場體量將會達到現今的31倍之多，而同期的硅功率半導體僅可能增長3.2倍。