當前，SiC器件已廣泛應用在新能源車的主驅、OBC等關鍵部件，有效的降低了提升了開關速度，降低了能量損耗，使得整車的重量得到減少，續航里程得到提升。車用發展迅速，市場廣闊，在新能源產業強勁需求下，全球SiC產業步入高速成長期，市場快速增長。

近日，第九屆國際第三代半導體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關設備技術”分會上，河北普興電子科技股份有限公司產品總監張永強分享了200 mm 4H-SiC高質量厚層同質外延生長的最新研究進展。

普興電子從16年開始SiC的研發，19年實現了6寸SiC外延片的量產，21年中標國家工信部碳化硅外延產業化的項目。目前主要為1200V MOS產品，已通過車規級驗證，應用在新能源車主驅模塊上。

8寸外延是碳化硅外延技術的發展趨勢。報告顯示，普興電子近期研發出的8英寸碳化硅外延片的新產品，解決了8寸襯底應力大、易開裂、外延均勻性及缺陷難控制等難點。厚度均勻性為0.6%，濃度均勻性為2.3%。8寸產品的均勻性已達到與6寸量產產品相當的水平。

普興公司是國內最早外延材料研究工作的單位，目前具備的硅外延的年產能為700萬片，其中200 萬片為8寸硅外延片。6寸碳化硅外延的年產能為15萬片；預計到24年，6寸碳化硅外延片的年產能將擴充到36萬片；25年8寸碳化硅外延片的年產能將擴充到6到8萬片。

審核編輯：劉清