臺積電在IEEE國際電子器件會議中的“邏輯的未來”小組公布了1.4nm先進制程的研發進度順利。公司表示，預計將在2025年實現基于2nm制程的大規模量產。

據半導體分析機構SemiAnalysis的數據顯示，臺積電已將此階段的工作節點正式命名為A14。盡管該公司未透露A14具體的量產時間表與規格參數，但參照已經制定的N2與N2P計劃，可推測A14可能將于2027至2028年前引入市場。

關于臺積電是否將采用類似2nm的 GAAFET 或垂直堆疊的 CEFT 工藝，這仍然是未知之數。此外，臺積電是否會在2027至2028年內采用高數值孔徑的EUV***也是值得關注的話題。

考慮到屆時英特爾等廠商將逐步部署并完善數值孔徑0.55的下一代EUV***，相對來說芯片代工廠商利用該設備的難度會有所降低。然而，使用高數值孔徑EUV***會使掩模版尺寸減少一半，因而對芯片設計及制造業也帶來新的挑戰。