11月30日，中汽創智首批自主研發的1200V 20mΩ SiC MOSFET在積塔工廠正式下線。本款芯片采用平面柵型結構，具有獨立自主的知識產權、自主設計的新型終端結構具有更高的工藝可靠性，在同等耐壓水平下，體積更小，可應用于新能源汽車主驅逆變器等車載電源系統。

中汽創智CEO李豐軍、硬件系統開發部總經理林湖，積塔半導體執行董事李晉湘、總經理周華、副總經理劉建華，長沙金維信息技術有限公司董事長劉彥，西南集成電路設計有限公司副總經理陳隆章等出席了下線儀式，共同見證了中汽創智和積塔半導體的戰略合作簽約。

李豐軍表示，中汽創智承擔著國家自主創新的歷史使命，而第三代半導體SiC技術則是新能源汽車的關鍵核心領域。此次成功流片是實現芯片能力自主突破的里程碑事件，也預示著雙方密切合作的良好開端。實現***的能力自主必將充滿艱難與挑戰，中汽創智愿與上下游產業鏈通力合作，逐步樹立起芯片自主能力落地的標桿，成為產業合作的優秀典范。

首批自主研發的1200V 20mΩ SiC MOSFET成功下線，標志著中汽創智“中國芯”戰略邁上新臺階。中汽創智通過以SiC模塊為切入點，快速形成SiC功率模塊封裝、測試能力和基于SiC技術的車載集成電源系統開發能力，逐步建立起從上游芯片設計、模塊封裝，到下游應用支持的“一站式” 能力。此次與積塔半導體正式簽署戰略合作，進一步拉通了第三代半導體上下游資源，為中汽創智穩步實施虛擬IDM戰略，實現車規級芯片自主研發和制造奠定堅實基礎。

未來，中汽創智自主研發的1200V 40mΩ及80mΩ SiC MOSFET等產品將陸續與積塔半導體進行深度合作。中汽創智與積塔半導體等汽車芯片產業鏈優質資源將始終堅持強強聯合、優勢互補，以追求、引領行業趨勢為發展方向，加速實現***的戰略目標。