世紀金光6-8英寸SiC單晶襯底項目簽約包頭
10月10日，包頭市人民政府與北京世紀金光半導體有限公司在包頭市正式簽署“年產(chǎn)70萬片6-8 英寸碳化硅單晶襯底項目”戰(zhàn)略合作協(xié)議。
據(jù)科創(chuàng)包頭透露，該計劃將在包頭、北京科創(chuàng)基地合作引進計劃落地包頭市青山區(qū)裝備制造產(chǎn)業(yè)園區(qū)總投資34.57億韓元。建設總事業(yè)建設周期將在3年正式啟動時，每年要投入能夠同時容納70萬6-8英寸單晶襯底生產(chǎn)線的碳化硅芯片和研磨加工和檢查等。
北京世紀金色半導體有限公司是寬3代禁止攜帶半導體功能材料和功率器件開發(fā)和生產(chǎn)的企業(yè)，創(chuàng)新的解決了高純碳化硅粉末材料提純技術(shù)，6英寸碳化硅制造技術(shù)，高壓低導通電阻碳化硅sbd mosfet結(jié)構(gòu)和工藝設計技術(shù)等。
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
芯片
+關注
關注
463文章
54016瀏覽量
466292 -
單晶
+關注
關注
1文章
63瀏覽量
14523 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3467瀏覽量
52368
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
浙江6英寸MEMS傳感器研發(fā)項目首臺套設備進場，計劃今年底投產(chǎn)！
? 據(jù)2月2日衢州智造新城官方公眾號披露，1月31日，浙江嵐芯半導體科技有限責任公司6英寸高性能傳感器及智能系統(tǒng)生產(chǎn)線研發(fā)項目首臺套設備搬入儀式在智造新城舉行，這標志著浙江嵐芯特色工藝晶圓制造基地
士蘭微電子迎來雙線里程碑：8英寸碳化硅產(chǎn)線通線， 12英寸高端模擬芯片產(chǎn)線同步開工
2026年1月4日，杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門市海滄區(qū)隆重舉行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產(chǎn)線通線儀式暨12英寸高端模擬集成電路芯片制造生產(chǎn)線項目開工典禮”。士蘭微電子董事長
12英寸碳化硅外延片突破！外延設備同步交付
的12英寸單片式碳化硅外延生長設備順利交付瀚天天成。 相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產(chǎn)業(yè)化推進階段的8英寸晶片，12
50.6億！中國首條8英寸MEMS晶圓全自動生產(chǎn)線，正式投產(chǎn)
自動生產(chǎn)線、全國首條工藝設備配套齊全的壓電MEMS量產(chǎn)線正式投產(chǎn)，在半導體領域引發(fā)廣泛關注。 據(jù)悉，華鑫微納8英寸MEMS晶圓生產(chǎn)線項目由安徽華鑫微納集成電路有限公司投資建設，總建設投資達50.6億元，占地約79畝，總建筑面積約
加速！12英寸碳化硅襯底中試線來了！
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 12英寸碳化硅再迎來跨越式進展！9月26日，晶盛機電宣布，首條12英寸碳化硅襯底加工中試線在晶盛機電子公司浙江晶瑞SuperSiC正式通線，至此，浙江晶瑞SuperSiC真正
AR光波導+先進封裝雙驅(qū)動，12英寸碳化硅靜待爆發(fā)
替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層，并最晚在2027年廣泛應用。 ? 碳化硅過去的主力市場是功率器件，但功率器件市場需求增速存在瓶頸，從6英寸到8英寸的進程花費時間較長，除了
江蘇集芯首枚8英寸液相法高質(zhì)量碳化硅單晶出爐?
據(jù)徐州日報報道，近日，徐州高新區(qū)再傳捷報—— 江蘇集芯先進材料有限公司（以下簡稱 “江蘇集芯”）成功出爐首枚 8 英寸液相法（LPE）高質(zhì)量碳化硅單晶。經(jīng)檢測，晶體面型、晶型與結(jié)晶質(zhì)量均達到預期目標
12英寸碳化硅襯底，會顛覆AR眼鏡行業(yè)？
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）今年以來，各家廠商都開始展示出12英寸SiC產(chǎn)品，包括晶錠和襯底，加速推進12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近，天成半
晶越半導體研制出高品質(zhì)12英寸SiC晶錠
近日，晶越半導體傳來重大喜訊，在半導體材料研發(fā)領域取得了新的里程碑式突破。繼 2025 年上半年成功量產(chǎn) 8 英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，不斷優(yōu)化工藝，于 7 月 21 日成功研制出
重慶首個8英寸MEMS特色芯片全產(chǎn)業(yè)鏈項目“奧松半導體項目”迎來重大進展
7月14日中午，隨著首臺8英寸生產(chǎn)線光刻機設備被吊車移進位于高新區(qū)的重慶奧松半導體特色芯片產(chǎn)業(yè)基地（下稱“奧松半導體項目”），標志著這一項目全面進入設備安裝調(diào)試的快車道，也為其順利達成
全球產(chǎn)業(yè)重構(gòu):從Wolfspeed破產(chǎn)到中國SiC碳化硅功率半導體崛起
的破產(chǎn)不僅是企業(yè)的失敗，更是美國半導體產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略失誤的縮影。其核心問題體現(xiàn)在三個維度： 技術(shù)迭代停滯與成本失控 長期依賴6英寸晶圓技術(shù)，8英寸量產(chǎn)計劃因良率不足陷入僵局，而中國天科合達、
12英寸SiC，再添新玩家
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌）在SiC行業(yè)逐步進入8英寸時代后，業(yè)界并沒有停下腳步，開始投入到12英寸襯底的開發(fā)中。 ? 去年11月，天岳先
TSSG法生長SiC單晶的原理
可能獲取滿足化學計量比的SiC熔體。如此嚴苛的條件，使得通過傳統(tǒng)的同成分SiC熔體緩慢冷卻凝固的熔體法來生長SiC單晶變得極為困難，不僅對設備的耐高溫、耐壓性能要求近乎苛刻，還會導致生
12英寸碳化硅襯底，又有新進展
尺寸是6英寸，并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展，在最上游的晶體、襯底，業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能，8
國內(nèi)首條8英寸車規(guī)級SiC產(chǎn)線正式通線！ST本土化戰(zhàn)略再進一步
。 ? 三安光電與ST在2023年6月簽署了協(xié)議，宣布在重慶合資共同建立一個新的碳化硅器件制造工廠。與此同時，為配套供應襯底材料，三安光電還將在當?shù)鬲氋Y建立一個8英寸碳化硅
工商網(wǎng)監(jiān)
評論