三星電子近期業(yè)績壓力很大,市場疲軟、存儲芯片價格的下跌使得三星電子2023年第二季度的利潤暴跌,根據(jù)三星電子公布的2023年第二季度的初步數(shù)據(jù)顯示,期內(nèi)銷售額為60萬億韓元(約人民幣3328億元),同比下降22.3%;營業(yè)利潤從上一年的14.1萬億韓元降至6000億韓元(約人民幣33億元),同比下降95.7%。
在今年的一季度,三星電子的芯片業(yè)務便呈現(xiàn)虧損狀態(tài),其芯片業(yè)務虧損高達4.58萬億韓元。
現(xiàn)在三星啟動氮化鎵功率半導體代工或者也是在爭取更多的業(yè)務,據(jù)悉三星電子將于2025年啟動面向消費者、數(shù)據(jù)中心和汽車應用的8英寸氮化鎵(GaN)功率半導體代工服務。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
三星電子
+關注
關注
34文章
15894瀏覽量
183115 -
氮化鎵
+關注
關注
67文章
1893瀏覽量
119776 -
GaN
+關注
關注
21文章
2366瀏覽量
82340 -
功率半導體
+關注
關注
23文章
1463瀏覽量
45195 -
三星
+關注
關注
1文章
1766瀏覽量
34192
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
意法半導體氮化鎵方案賦能高頻應用新場景
快充之所以能做到體積更小、充電更快,核心秘訣在于采用了一種特殊材料——氮化鎵(GaN)。作為寬禁帶半導體的典型代表,氮化鎵的材料特性十分突出
CHA6154-99F三級單片氮化鎵(GaN)中功率放大器
CHA6154-99F三級單片氮化鎵(GaN)中功率放大器CHA6154-99F是United Monolithic Semiconductors (UMS) 推出的一款
發(fā)表于 02-04 08:56
納微半導體公布2025年第三季度財務業(yè)績
加利福尼亞州托倫斯——2025年11月3日訊:下一代GaNFast氮化鎵與高壓碳化硅 (GeneSiC) 功率
安森美推出垂直氮化鎵功率半導體
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增,安森美(onsemi)推出垂直氮化鎵(vGaN)功率半導體,為相關應用的功率
羅姆亮相 2025 PCIM 碳化硅氮化鎵及硅基器件引領功率半導體創(chuàng)新
2025 年 9 月 24 日,在 PCIM Asia Shanghai 展會現(xiàn)場,羅姆(ROHM)攜多款功率半導體新品及解決方案精彩亮相。展會上羅姆重點展示了EcoSiC?碳化硅(S
納微半導體攜手力積電,啟動8英寸氮化鎵晶圓量產(chǎn)計劃
關系 ,正式啟動并持續(xù)推進業(yè)內(nèi)領先的 8英寸硅基氮化鎵技術生產(chǎn)。 納微半導體預計將使用位于臺灣苗栗竹南科學園區(qū)的力積電8B廠的
發(fā)表于 07-02 17:21
?1748次閱讀
從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!
從清華大學到鎵未來科技,張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守!近年來,珠海市鎵未來科技有限公司(以下簡稱“鎵未來”)在第
發(fā)表于 05-19 10:16
專為電機驅(qū)動打造!納微全新GaNSense?氮化鎵功率芯片為家電及工業(yè)應用帶來行業(yè)領先的性能、效率與可靠性
全集成保護型氮化鎵功率芯片搭配雙向無損耗電流檢測,效率提升4%、系統(tǒng)成本降低15%、PCB占位面積縮小40% 加利福尼亞州托倫斯2025年5
發(fā)表于 05-09 13:58
?1339次閱讀
三星在4nm邏輯芯片上實現(xiàn)40%以上的測試良率
方式來改進電容器表現(xiàn),但穩(wěn)定性尚未達到預期水平,很可能會拖慢 1c nm 進度。
半導體業(yè)內(nèi)人士表示,“從三星電子的角度來看,剩下的任務是穩(wěn)定搭載在HBM上的DRAM以及封裝技術。”
發(fā)表于 04-18 10:52
納微半導體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn),可為車載充電機(OBC)和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率
三星辟謠晶圓廠暫停中國業(yè)務
對于網(wǎng)絡謠言三星晶圓代工暫停所有中國業(yè)務,三星下場辟謠。三星半導體在官方公眾號發(fā)文辟謠稱““三星
三星將于2025年啟動氮化鎵功率半導體代工
評論