8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結果∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
8.2.10.3 4H-SiC反型層遷移率的實驗結果
8.2.10 反型層電子遷移率
第８章單極型功率開關器件
《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
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工商網監
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