三菱電機總裁兼首席執行官 Hiroshi Uruma 表示：“從 2023 年 4 月起，半導體和設備業務總部將由總裁直接控制。公司將通過穩定的供應來支持每個 BA（業務領域）的增長。與此同時，公司對功率器件的戰略投資將推動半導體增長，”他補充說，“半導體和器件業務是三菱電機四大優先增長業務之一，并且已經到了中點。其中，在功率器件方面，我們擁有世界一流的功率模塊，我們在我們的優勢和市場需求相匹配的領域擁有資源。具體而言，我們將積極投資預期 SiC 市場的擴張，通過與供應商的戰略聯盟加強我們的增長基礎，并加速業務擴張。”Hiroshi Uruma說。

此外，關于SiC功率器件的生產，三菱決定投資約1000億日元建設新廠房。2021 財年至 2025 財年的累計資本投資比之前的計劃翻了一番，達到約 2600 億日元。公司將加快業務增長，”三菱電機半導體和器件業務部門高級執行官兼總經理 Masayoshi Takemi 表示。。

這是再次強調這是一項在推動三菱電機增長方面發揮作用的業務。

三菱電機的半導體和器件業務包括功率器件以及高頻和光學器件。

三菱電機事業本部總經理 Takemi 表示：“功率器件和高頻/光學器件都是強大的業務，許多產品組在全球市場占有率很高。我們提供實現可持續發展社會不可或缺的關鍵器件， ”同時表示，“實現碳中和的功率器件是高效功率控制和電機控制的技術進步。追求進化。進一步提高性能和質量，實現所有設備的節能，為社會脫碳做出貢獻。此外，高-支持安全、安心、舒適生活的頻率和光器件是核心競爭力。通過將化合物半導體技術應用于各種應用，我們提供的產品不僅面向 5G 通信和數據中心等通信領域，還面向傳感領域應用于預防犯罪、監控和空調系統。我們希望創造新的價值，充分發揮我們的特點。

特別是在功率器件方面，我們以汽車領域電動化的進展為背景，著眼于SiC。與Si（硅）相比，它將發揮顯著降低功率損耗的能力。該公司還旨在保持其在消費領域的最高份額。

“全球功率模塊市場預計將增長到1萬億日元規模，我們在該領域擁有第二大業績記錄。它在模塊方面也是世界第一，有望擴展到寬帶隙未來像SiC這樣的半導體，是可以做到的，我們可以創造出更強大的產品，”他自信地說。

在高頻和光學設備方面，我們正在推動捕捉 5G 通信普及、大容量通信和人工智能等趨勢的提案。在專注于在數據中心超高速通信環境中奪得頭把交椅的光學器件的同時，他們還將重點關注用于5G基站的GaN器件。

他說：“我們在先進的化合物半導體技術方面有著良好的記錄，我們的優勢在于我們的高性能、高質量器件被各個市場廣泛接受。”

對于功率器件和高頻/光學器件，公司利用其研究開發部門的先進基礎技術和生產技術，以及利用三菱電機集團各業務中使用半導體的優勢的產品開發。和市場開發，并表示，“我們最大的優勢將是通過展示與三菱電機集團多元化資源的協同效應，向市場提供尖端的關鍵設備。”

大舉發力SiC和功率器件

在功率器件方面，我們將立足于工業、可再生能源和鐵路領域，將有望快速增長的汽車領域和三菱電機具有優勢的消費領域定位為增長動力，將進一步加強我們的產品，生產和銷售。據說計劃。

除了推進產品的標準化和共享化，我們還將通過拓展戰略產品來推動產品組合轉型。擴大生產效率高的廣島縣福山市福山工廠的生產，并轉向12英寸硅晶圓，將提高盈利能力。他表現出致力于為下一次增長奠定業務基礎的立場。

此外，我們將以擁有強大技術的SiC為增長核心，開發汽車產品，加速下一代，加強全球銷售擴張。最近宣布了合作伙伴關系。未來，我們還將加強我們的采購系統。

此外，“三菱電機自 1990 年代以來一直在開發 SiC 模塊，并在全球率先將其安裝在室內空調和高速列車中。在包括 Si 在內的汽車行業，模塊總數已達到2600萬. 在外延和工藝方面先進的化合物半導體技術，以我們獨特的溝槽SiC-MOSFET實現世界最高水平的低損耗芯片技術，小型化和輕量化。我們擁有領先的模塊技術。我們愿意為通過利用我們堅實的技術基礎和一流的客戶群，在廣泛的領域提供極具競爭力的 SiC 模塊。”

此外，關于生產系統，2026 年 4 月，一家生產 SiC 8 英寸晶圓的新工廠將在熊本縣菊池市（Sisui）開始運營。到2026財年，該公司計劃將其SiC產能從目前水平提高約5倍，包括加強位于熊本縣甲子市的現有SiC 6英寸晶圓生產線，該線負責前道工序.

在熊本縣菊池市的 SiC 8 英寸晶圓新廠房，我們在無塵室中引入了最先進的空調系統 TCR-SWIT，并徹底回收廢熱, 與傳統方法相比，可節省約 30% 的能源。據稱，它還將通過采用自動運輸系統來促進勞動力節省，并提高設施利用率。

此外，他指出，與美國Coherent公司的合作對于新工廠的運營將非常重要。“使用8英寸樣品基板，我們將反饋外延、工藝等評估結果。我們將快速開發8英寸基板，并確保從2026財年新工廠開始運營時使用的基板。”我會繼續。”

此外，對于Si，一條12英寸生產線將從2024財年開始在福山工廠投產。推進8英寸晶圓高效生產，到2025財年產能將翻一番左右。

此外，還將在后處理方面投入約100億日元。在同為開發設計基地的福岡縣福岡市，建造了一座新的廠房，以鞏固分散的生產線。除了增加后工序的生產能力外，該公司還打算通過構建從設計開發到量產時的生產技術驗證的集成系統來縮短交貨時間并增強產品競爭力。

“截至 2025 財年的五年資本投資總額將約為 2600 億日元，是原計劃的兩倍，但從 2026 財年開始，我們將繼續進行同等或更大規模的積極投資，以進一步擴大我們的 SiC此外，為了擴大市場，我們的目標是到 2030 財年將 SiC 在功率器件中的銷售比例提高到 30% 或更高。

此外，“通過提供在社會上實現 DX 和 GX 不可或缺的關鍵設備，我們將加強三菱電機集團從組件開始的綜合解決方案。我們將繼續從客戶的角度開發具有高附加值的設備。”

關于功率器件，日本企業有一些關于重組的討論，但三菱電機總裁兼首席執行官 Uruma 表示，“三菱電機正在開發基于 SiC 功率模塊的業務，我們正在計劃開發這項業務。我們希望將其帶入達到全球水平。在意識到我們的競爭對手的同時，我們正在密切關注我們應該采取哪些選擇以實現增長。我們正在做我們現在應該做的事情，并思考什么是正確的事情。我會在跑步時考慮它，”他說。

審核編輯 ：李倩