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MRAM芯片應用于PLC產品上的特性

jng_lisa ? 來源:jng_lisa ? 作者:jng_lisa ? 2023-03-29 16:31 ? 次閱讀
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MRAM是一種新型的非易失性存儲器技術,與傳統的存儲器技術相比,MRAM 具有更快的讀寫速度、更低的功耗、更高的可靠性和更長的壽命。已經被廣泛應用于汽車電子、工業自動化、智能電氣電表、物聯網等領域。在 PLC (Programmable Logic Controller) 中,MRAM 可以用于存儲程序、數據、寄存器和狀態信息等。此外,MRAM 還可以提高 PLC 的運行效率,減少故障率,并降低能耗。由于 PLC 被廣泛應用于工業控制領域,因此可靠性和耐久性非常重要。MRAM 的非易失性和高可靠性使它成為一種非常適合用于 PLC 的存儲器技術。

高可靠性

在PLC產品中,穩定性和可靠性是非常重要的特性。由于MRAM芯片不需要電源來保持存儲,因此具有非常高的可靠性。即使在突然斷電或其他異常情況下,MRAM芯片也能夠保持數據的完整性,從而有效地防止數據丟失和系統崩潰。

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快速讀寫

在PLC產品中,需要快速地讀取和寫入數據以控制機器和設備。相比傳統存儲器技術,MRAM芯片具有更快的讀寫速度,可以更快地響應控制信號,提高生產效率和工作效率。

與其他技術相比,韓國NETSOL品牌的 MRAM技術具有以下優勢:

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更快的寫入速度:MRAM芯片比FRAM芯片具有更快的寫入速度。MRAM芯片可以實現單個字節的寫入,而FRAM芯片則需要寫入整個數據塊。這使得MRAM芯片在存儲大量數據時更加高效。

更低的功耗:MRAM芯片比FRAM芯片具有更低的功耗。MRAM芯片的寫入操作只需要很少的電流,而FRAM芯片則需要更多的電流。這使得MRAM芯片在移動設備和其他低功耗設備中更加適用。

更高的可靠性:MRAM芯片比FRAM芯片具有更高的可靠性。MRAM芯片具有更長的數據保存時間和更大的存儲容量,這使得它們更適用于長期存儲。

更大的存儲容量:MRAM芯片比FRAM芯片具有更大的存儲容量。MRAM芯片的存儲密度比FRAM芯片高,這使得它們可以存儲更多的數據。

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MRAM使用OTA (Over The Air)比NOR更快的寫入速度,不需要額外的RAM。MRAM更長的寫入耐力意味著它比NOR持續時間更長。MRAM提供1字節訪問,以有效利用存儲區域。例如,32Mb的NOR將被16Mb的MRAM取代。

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MRAM無需備用電池、電池插座、超級電容或Vcc監控電路。流線型的設計和簡單的SMT工藝導致質量成本遠遠低于SRAM。MRAM的電池保留時間為10年,而SRAM的電池壽命為7年。

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MRAM不需要超級電容器,節省電路板面積,減少元件。MRAM可快速開機可快速系統恢復。

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MRAM芯片是一種非揮發性存儲器,可以永久保存數據,即使斷電也不會丟失數據。而DRAM芯片是一種揮發性存儲器,需要電源持續供電才能保持數據長電池壽命,從而減少維護成本。

數據保存時間長

MRAM芯片的存儲介質是磁性材料,與EEPROM和Flash相比,它的數據保存時間更長,更不易受到外界干擾。

存儲容量大

MRAM芯片可以實現大容量存儲,與傳統存儲器件相比,可以實現更高的集成度和更小的尺寸。由于MRAM芯片的存儲過程不需要耗費能量,因此MRAM芯片具有低功耗的特點。這不僅有助于減少系統的整體功耗,還有助于延長電池壽命,從而減少維護成本。

韓國Netsol MRAM存儲芯片,憑借高續航、快速訪問和長保留期特性,一顆MRAM芯片替換“工作內存”(典型的SRAM或DRAM)和“代碼存儲”(典型的NOR、Flash或E2PROM)二合一的解決方案。使其在工業控制領域中越來越受到歡迎。隨著MRAM技術的不斷發展和完善,它在PLC產品中的應用將有望得到更廣泛的推廣和應用。

選型列表

由于STT-MRAM的非易失性、幾乎無限的持久性和快速寫入特性,NETSOL串行/并行MRAM產品非常適合必須快速頻繁地存儲和檢索數據和程序的應用程序。它們適用于工業設計中的代碼存儲、數據記錄、備份存儲器和工作存儲器,可以取代Flash、FeRAM或nvSRAM,具有相同的功能和非易失性。

#串行STT-MRAM

1Mb, 2Mb, 4Mb, 8Mb, 16Mb, 32Mb密度

電源:1.8V (1.71V ~ 1.98V)或3.3V (2.7V ~ 3.6V)

單,雙和四SPI與SDR和DDR串行接口兼容

數據保留:10年

讀取耐力:無限

寫入耐力:1014

不需要外部ECC

封裝規格: 8WSON, 8SOP

容量 型號
電壓(V)
1M bit S3A1004V0M 2.70~3.60
S3A1004R0M 1.71~1.98
1Mbit S3A2004V0M 2.70~3.60
S3A2004R0M 1.71~1.98
4M bit S3A4004V0M 2.70~3.60
S3A4004R0M 1.71~1.98
8M bit S3A8004V0M 2.70~3.60
S3A8004R0M 1.71~1.98
16M bit S3A1604V0M 2.70~3.60
S3A1604R0M 1.71~1.98
32M bit S3A3204V0M 2.70~3.60
S3A3204R0M 1.71~1.98

#并行STT-MRAM

1Mb,2Mb, 4Mb, 8Mb,16Mb,32Mb,64Mb密度

電源:1.8V (1.71V ~ 1.98V)或3.3V (2.7V ~ 3.6V)

并行異步接口x16/x8 I/O

高性能頁面讀寫功能

數據保留:10年

讀取耐力:無限

寫入耐力:1014

不需要外部ECC

封裝規格:48FBGA, 44TSOP2, 54TSOP2

審核編輯:湯梓紅

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