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臺積電:2025年用幾納米?3D封裝怎么整?

SSDFans ? 來源:SSDFans ? 作者:SSDFans ? 2022-12-14 09:23 ? 次閱讀
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11月10日,臺積電(TSMC)研究員兼副總裁L.C. Lu在短短26分鐘內(nèi)用幾十張幻燈片講述了如何實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)創(chuàng)新。臺積電是全球最大的半導(dǎo)體代工企業(yè),其開放創(chuàng)新平臺(OIP)活動廣受歡迎,參與人數(shù)眾多,其提供的工藝技術(shù)和知識產(chǎn)權(quán)對許多半導(dǎo)體設(shè)計(jì)部門都非常有吸引力。臺積電的技術(shù)路線圖展示了FinFET和Nanosheet到2025年的計(jì)劃表。

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從N3開始,有一個(gè)叫做FinFlex的新東西,它使用了設(shè)計(jì)技術(shù)協(xié)同優(yōu)化(DTCO),承諾在節(jié)能和高性能等領(lǐng)域提高功率、性能和面積(PPA)。使用FinFlex方法,設(shè)計(jì)師可以根據(jù)他們的設(shè)計(jì)目標(biāo),從三種晶體管配置中選擇:

?3-2fin blocks,用于高性能;

?2-2 fin,高效性能;

?2-1 fin,最低的功率,最佳密度;

進(jìn)程節(jié)點(diǎn)N16到N3中使用的fin blocks選擇的歷史如下所示:

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EDA供應(yīng)商Synopsys, Cadence, Siemens EDA和ANSYS已經(jīng)更新了他們的工具來支持FinFlex,在一個(gè)單一的SoC內(nèi),甚至可以混合不同的fin blocks。在時(shí)序關(guān)鍵路徑上,可以使用high-fin單元,而非關(guān)鍵路徑單元可以使用low fin。作為進(jìn)程縮放效益的一個(gè)例子,Lu展示了一個(gè)ARM Cortex-A72 CPU,它在N7中實(shí)現(xiàn)了2fin,N5實(shí)現(xiàn)了2 fin,最后N3E實(shí)現(xiàn)了2-1 fin:

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用于N3E的IP單元來自幾個(gè)供應(yīng)商:TSMC, Synopsys, Silicon Creations, Analog Bits, memory, Cadence, Alphawave, GUC, Credo。知識產(chǎn)權(quán)準(zhǔn)備有三種狀態(tài):報(bào)告準(zhǔn)備,設(shè)計(jì)工具包準(zhǔn)備,以及開發(fā)狀態(tài)。

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模擬IP

在臺積電,他們的模擬IP使用了更結(jié)構(gòu)化的規(guī)則布局,這產(chǎn)生了更高的成品率,并讓EDA工具自動化模擬流,以提高生產(chǎn)率。TSMC模擬電池具有均勻的聚氧化物密度,有助于提高產(chǎn)量。他們的模擬遷移流、自動晶體管尺寸和匹配驅(qū)動Place和Route使Cadence和Synopsys工具實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)流自動化。

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模擬單元可以通過以下步驟進(jìn)行遷移:原理圖遷移、電路優(yōu)化、自動放置和自動路由。例如,使用模擬遷移流將VCO單元從N4遷移到N3E需要20天,而手動方法需要50天,大約快2.5倍。

3D Fabric

臺積電有三種封裝需要考慮:

?二維封裝

?InFO_oS

?InFO_PoP

?2.5 D封裝

?CoWoS

?三維封裝

?SoIC

?InFO-3D

在3D Fabric中有八種封裝選擇:

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最近使用SoIC封裝的一個(gè)例子是數(shù)據(jù)中心CPU AMD EPYC處理器,其互連密度比2D封裝提高了200倍,比傳統(tǒng)3D堆疊提高了15倍,CPU性能提高了50-80%。

3D IC設(shè)計(jì)的復(fù)雜性是通過3Dblox解決的,這是一種使用通用語言實(shí)現(xiàn)EDA工具互操作性的方法,涵蓋了物理架構(gòu)和邏輯連接。四大EDA供應(yīng)商(Synopsys, Cadence, Siemens, Ansys)已經(jīng)通過完成一系列五個(gè)測試用例:CoWoS-S, InFO-3D, SoIC, CoWoS-L 1, CoWoS-L 2,為3Dblox方法準(zhǔn)備好了他們的工具。

臺積電建立了3DFabric聯(lián)盟,與跨領(lǐng)域的供應(yīng)商合作:IP、EDA、設(shè)計(jì)中心聯(lián)盟(DCA)、云計(jì)算、價(jià)值鏈聯(lián)盟(VCA)、內(nèi)存、OSAT、襯底、測試。在內(nèi)存集成方面,臺積電與美光、三星內(nèi)存和SK海力士合作,實(shí)現(xiàn)CoWoS和HBM的集成。EDA測試供應(yīng)商包括:Cadence, Siemens EDA和Synopsys。IC測試供應(yīng)商包括:Advantest和Teradyne。

總結(jié)

像AMD、AWS和NVIDIA這樣的半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司正在使用3DFabric聯(lián)盟,隨著2D、2.5D和3D封裝的推廣吸引更多的產(chǎn)品創(chuàng)意,這個(gè)數(shù)字只會隨著時(shí)間的推移而增加。臺積電擁有世界一流的工程團(tuán)隊(duì)致力于DTCO的研發(fā),有足夠的國際競爭使他們不斷創(chuàng)新新業(yè)務(wù)。臺積電在FinFlex上宣布的技術(shù)路線圖選擇將使數(shù)字、模擬和汽車細(xì)分市場受益。3D芯片設(shè)計(jì)由3DFabric聯(lián)盟的團(tuán)隊(duì)支持。

審核編輯 :李倩

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原文標(biāo)題:臺積電:2025年用幾納米?3D封裝怎么整?

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