早期的射頻集成電路（RFIC）主要是以硅基雙極晶體管分立器件為主，將二極管、電感器、電容器等無源元件與之互連并集成在PCB 上，從而形成射頻混合集成電路。20 世紀90 年代以來，隨著IC工藝技術的進步，RFIC 實現由各種晶體管芯片與二極管、電感、電容等無源元件（或芯片）在陶瓷基板上的互連集成，然后對其進行小型化封裝或微封裝，大幅度縮小了射頻電路的尺寸，快速取代了舊式使用分立器件的混合電路，使 RFIC 得到了長足的進步和發展，并推動了小型化封裝及無線通信技術的飛躍發展。進人21 世紀后，隨著CMOS 技術、射頻 GaAs芯片技術、射頻 GaN 芯片技術的進一步發展，現已逐步朝著射頻單片集成電路(RF-MIC）的方向發展。

射頻 SOI (RF-SOI）是采用 SOI 工藝技術制作的射頻器件和集成電路。SOI是指在體硅材料中插人一層 SiO2絕緣層的耐底結構。在SOI襯底上制作低電壓、低功耗集成電路是深亞微米技術節點的主流選擇之一。RF-SOI 具有如下優點。

（1） RF-SOI具有很高的工作頻率，器件的fT/fmax可提高到亳米波工作頻率的3~5倍

(2） RF-SOI 可以實現集成電路堆疊(IC Stacking）結構，同時提高了功率

及能效比。

(3) RP-SOI工藝采用的 SOI 襯底可降低寄生效應，使射頻芯片的品質因數

更高、損耗更低、噪聲系數更好，同時也提升了產品的絕緣水平與線性度。

(4）RF-SOI 可以將邏輯電路和控制電路集成在同一芯片上，而 GaAs 工藝

則無法做到這一點，因為 GaAs 器件在應用中需要搭配一個控制芯片。采用 RF-SOI 工藝還可以將功率放大器（Power Amplifier, PA)和控制功能電路集成在同一個芯片上。

(5）RF-SOI 具備后柵偏壓可調（Back-Gate Bias ）功能，可以依照使用的

需求微調亳米波射頻線路。

目前，RF-SOI 技術在智能手機及 WiFi 等無線通信領域己逐步取代化合物工藝技術。