近幾年中，芯片特征尺寸已接近物理極限，而先進封裝技術成為延續摩爾定律的重要途徑。一系列新型封裝技術出現在人們視野之中。而其中扇出型晶圓級封裝（FOWLP）被寄予厚望，它將為下一代緊湊型、高性能的電子設備提供堅實而有力的支持。

扇出型晶圓級封裝技術無需使用中介層或硅通孔（TSV），即可實現外形尺寸更小芯片的封裝異構集成。在嵌入每個裸片時，裸片間的空隙會有一個額外的I/O連接點，在提高I/O數量的同時，也會使得硅的利用率有所提升。在扇出型晶圓級封裝技術的加持下，具有成千上萬I/O點的半導體器件可通過兩到五微米間隔線實現無縫連接，從而使互連密度最大化。

工藝步驟

從晶圓代工廠（Foundry）生產完成的晶圓（Wafer）經過測試后進入生產線類似傳統封裝，扇出型封裝第一步也需要將來料晶圓切割成為裸晶。

扇出型封裝的主要特點是將切割后的裸晶組合成為重構晶圓，與來料晶圓相比，重構晶圓上裸晶之間的距離相對更大，因此方便構造單位面積更大，輸入輸出（I/O）更多的芯片成品。

塑封、去除載片

完成重構晶圓的貼片后，對重構晶圓進行塑封以固定和保護裸晶。然后將重構晶圓載片移除，從而將裸晶對外的輸入輸出接口（I/O）露出。

制作再布線層

為了將裸晶上的接口（I/O）引出至方便焊接的位置，在晶圓上通過金屬布線工藝制作再布線層（RDL）。

晶圓減薄

為使芯片成品更輕薄，對晶圓進行減薄加工。

植球

在再布線層（RDL）所連接的金屬焊盤上進行植球，方便后續芯片在印刷電路板（PCB）上的焊接。

晶圓切割、芯片成品

最后將重構晶圓進行切割，以得到獨立的芯片。

芯片制造工藝的發展不會停滯，長電科技在先進封測領域深耕多年，擁有深厚的技術積累和堅實的平臺。無論是現在還是未來，長電科技都將精準把握市場趨勢、緊扣科技脈搏，為推動芯片成品制造技術的突破與發展盡一份力量。

審核編輯：劉清