NP1216DR 12V p通道增強(qiáng)模式MOSFET
描述
NP1216DR采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)
提供優(yōu)良的RDS(ON)，低柵電荷和
工作電壓低至1.8V。這
該器件適用于作為負(fù)載開關(guān)或PWM
應(yīng)用程序。
一般特征
?VDS = -12v, id = -16a
RDS(上)(Typ) = 11.7Ω@VGS = -4.5 v
RDS(上)(Typ) = 16.2Ω@VGS = -2.5 v
?高功率和電流處理能力
?獲得無鉛產(chǎn)品
?表面安裝包
應(yīng)用程序
?PWM程序
?負(fù)荷開關(guān)
包
?DFN2 * 2-6L-B
訂購信息
絕對最大額定值(除非另有說明，TA=25℃)
熱阻評級
注:
a.封裝有限;b.表面安裝在1“x 1”FR4板上
C . t = 5 s; d.穩(wěn)態(tài)條件下最大為80°C/W
電特性(除非另有說明，TA=25℃)
如有需要，請聯(lián)系我們。
審核編輯 黃昊宇
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