芯片的制作過(guò)程是相當(dāng)復(fù)雜的，芯片制造是一層層向上疊加的，最高可達(dá)上百次疊加。每一次的疊加，都必須和前一次完美重疊，重疊誤差要求是1~2納米。而晶圓從傳送模組放置在晶圓平臺(tái)上，會(huì)產(chǎn)生一定的機(jī)械誤差，而精密機(jī)械的誤差是微米等級(jí)（1微米=1，000納米）。每次曝光之前，必須針對(duì)每片晶圓做精密的量測(cè)，截取到晶圓每一個(gè)區(qū)塊納米等級(jí)的微小誤差。在曝光階段實(shí)時(shí)校正，達(dá)到納米等級(jí)的準(zhǔn)度。

DUV是深紫外線，EUV是極深紫外線。從制程工藝來(lái)看，DUV只能用于生產(chǎn)7nm及以上制程芯片。而只有EUV能滿足7nm晶圓制造，并且還可以向5nm、3nm繼續(xù)延伸。

晶振的制作方法：從一塊石英晶體上按一定方位角切下薄片（簡(jiǎn)稱為晶片，它可以是正方形、矩形或圓形等），在它的兩個(gè)對(duì)應(yīng)面上涂敷銀層作為電極，在每個(gè)電極上各焊一根引線接到管腳上，再加上封裝外殼就構(gòu)成了晶振器，常見的有DIP（插腳類）和SMD（插片類）。

光刻機(jī)以極高的加速度進(jìn)行掃描曝光，在不到0.1秒的時(shí)間，又要急停并回頭往反方向掃描，這么大的力量如果不做控制，會(huì)讓整機(jī)產(chǎn)生振動(dòng)，是不可能達(dá)到完美成像的。ASML光刻機(jī)利用所謂的balance mass來(lái)吸收平衡晶圓平臺(tái)所施加于機(jī)座的反作用力，使整座機(jī)臺(tái)完全靜止。

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