EMMI-InGaAs 與 OBIRCH:主流故障點定位技術的原理與應用

1)微光顯微鏡(EMMI-InGaAs)
EMMI-InGaAs,又稱砷化銦鎵微光顯微鏡,是一種典型的“被動式”光學故障定位技術。它通過捕捉半導體器件內部電子—空穴在異常復合時產生的近紅外微弱發光,實現對亮點與熱點的精確識別。漏電、PN 結受損、局部擊穿等失效通常會伴隨微光信號,借助 InGaAs 探測器即可將這些原本不可見的光子清晰呈現。憑借快速、非破壞、定位直觀的優勢,EMMI 在致晟光電的分析流程中常作為漏電類問題的首選篩查手段,有助于迅速判斷失效的大致區域。
2)激光束電阻異常偵測(OBIRCH)
OBIRCH 屬于“主動式”熱效應定位方法,通過激光在芯片正面或背面掃描,使金屬走線上產生輕微溫升,從而引發可檢測的電阻變化。金屬短路、微斷路、Via 接觸不良等結構性缺陷會在這種熱敏響應下表現出明顯對比信號。與 EMMI 不同,OBIRCH 不依賴任何光發射,因此更適用于金屬通路類問題的精準定位,尤其是在復雜結構或背面分析中表現突出。
審核編輯 黃宇
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