芯片制造的全過程
芯片制作完整過程包括：芯片設計、晶片制作、封裝制作、成本測試等幾個環節，其中晶片片制作過程尤為的復雜。下面圖示讓我們共同來了解一下芯片制作的過程，尤其是晶片制作部分。
小編將為大家介紹一下芯片制造流程：
- 首先是芯片設計，根據設計的需求，生成的“圖樣”。
- 制作晶圓。使用晶圓切片機將硅晶棒切割出所需厚度的晶圓。
- 晶圓涂膜。在晶圓表面涂上光阻薄膜，該薄膜能提升晶圓的抗氧化以及耐溫能力。
- 晶圓光刻顯影、蝕刻。使用紫外光通過光罩和凸透鏡后照射到晶圓涂膜上，使其軟化，然后使用溶劑將其溶解沖走，使薄膜下的硅暴露出來。
- 離子注入。使用刻蝕機在裸露出的硅上刻蝕出N阱和P阱，并注入離子，形成PN結（邏輯閘門）；然后通過化學和物理氣象沉淀做出上層金屬連接電路。
- 晶圓測試。經過上面的幾道工藝之后，晶圓上會形成一個個格狀的晶粒。通過針測的方式對每個晶粒進行電氣特性檢測。
- 封裝。將制造完成的晶圓固定，綁定引腳，然后根據用戶的應用習慣、應用環境、市場形式等外在因素采用各種不同的封裝形式；同種芯片內核可以有不同的封裝形式。
文章整合自：上海海思技術、百度經驗、39度
編輯：ymf
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希望以簡短的篇幅，將公司目前設計的流程做介紹，若有介紹不當之處，請不吝指教。
2 設計步驟:
2.1 繪線路圖、PCB Layout.
2.2 變壓器計算.
2.3 零件選用.
2.4 設計驗證.
3設計流程介紹(以 DA-14B33 為例):
3.1線路圖、PCB Layout 請參考資識庫中說明.
3.2變壓器計算:
變壓器是整個電源供應器的重要核心，所以變壓器的計算及驗證是很重要的，以下即就 DA-14B33 變壓器做介紹.
3.2.1
決定變壓器的材質及尺寸:
依據變壓器計算公式
B(max) =鐵心飽合的磁通密度(Gauss)
Lp =一次側電感值(uH)
Ip =一次側峰值電流(A)
Np =一次側(主線圈)圈數
Ae =鐵心截面積(cm2)
B(max) 依鐵心的材質及本身的溫度來決定，以 TDK Ferrite Core PC40 為例，100℃時的 B(max)為3900 Gauss，設計時應考慮零件誤差，所以一般取 3000~3500 Gauss 之間，若所設計的 power 為Adapter(有外殼)則應取 3000 Gauss 左右，以避免鐵心因高溫而飽合，一般而言鐵心的尺寸越大，Ae 越高，所以可以做較大瓦數的 Power。
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發表于 03-07 15:53
工商網監
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