9月15日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)有限公司創(chuàng)始人、董事長、總經(jīng)理尹志堯在某活動中探討如何打造高質(zhì)量、有競爭力的半導(dǎo)體設(shè)備公司時,表示目前半導(dǎo)體公司的設(shè)備主要可以分為四大類,光刻機、等離子體刻蝕機、薄膜設(shè)備、測試設(shè)備。
以刻蝕機設(shè)備為例,等離子體刻蝕設(shè)備市場成長迅速,目前年市場規(guī)模超過120億美元。并且等離子體刻蝕設(shè)備已經(jīng)工廠中投入最大的部分,已經(jīng)占到工廠設(shè)備成本的30%以上。
尹志堯提到一定要將更大力度推動和發(fā)展半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備產(chǎn)業(yè)提到日程上來,半導(dǎo)體設(shè)備公司不僅是集成電路制造的供應(yīng)商和產(chǎn)業(yè)鏈,也是集成電路制造的最核心部分。而大國博弈在經(jīng)高科技戰(zhàn)線上,集中在半導(dǎo)體設(shè)備和關(guān)鍵零部件的限制上。

當(dāng)前中微半導(dǎo)體開發(fā)的四類設(shè)備均達到了國際領(lǐng)先水平,如CCP電容性刻蝕機、ICP電感型刻蝕機、深硅刻蝕機、MOCVCD。
其中,中微開發(fā)的第三代CCP高能等離子體刻蝕機,已經(jīng)從過去的20:1發(fā)展到如今的60:1極高深寬比細孔。并且中微CCP刻蝕機在臺灣領(lǐng)先的晶圓廠和存儲廠,已經(jīng)占據(jù)三成市場份額。中微的MOCVD設(shè)備在國際氮化鎵基MOCVD市場占有率已在2018年第四季度已經(jīng)達到了70%以上。
尹志堯表示,十年來中國有54個公司和研究所曾宣布開發(fā)MOCVD設(shè)備,但目前只有中微一家成功,并且已經(jīng)實現(xiàn)穩(wěn)定的量產(chǎn)。多年來中微的MOCVD設(shè)備不斷提高藍綠光LED波長均勻性,目前LED波長片內(nèi)均勻性已經(jīng)做到0.71nm。
如何將中微半導(dǎo)體做大做強,尹志堯表示中微以“四個十大”為中心,總結(jié)17年的經(jīng)驗與教訓(xùn),繼續(xù)發(fā)展科創(chuàng)企業(yè)的管理章法,其中包括:中微產(chǎn)品開發(fā)的十大原則;中微戰(zhàn)略和商務(wù)的十大原則;中微運營管理的十大原則;中微精神文化的十大原則。
在開發(fā)產(chǎn)品上,尹志堯表示不要老跟著外國人的設(shè)計,這樣很難做出自己獨有的產(chǎn)品,因此中微提出了甚高頻去耦合反應(yīng)離子體刻蝕,讓高頻、低頻都在下電極,當(dāng)前該技術(shù)已經(jīng)具備一定優(yōu)勢。
此外,中微公司還開發(fā)了CCP單臺機和雙臺機,ICP單臺機和雙臺機,可以覆蓋90%的刻蝕應(yīng)用,不僅在成本上降低30%,效率上也提升了50%。

戰(zhàn)略上,中微將通過三維成長(集成電路設(shè)備、泛半導(dǎo)體設(shè)備、非半導(dǎo)體設(shè)備),計劃在未來10到15年成為國際一流的微觀加工設(shè)備公司。
公司運營管理上,中微通過運營KPI管理不斷提升質(zhì)量管理水平。截至2021年6月份,中微已經(jīng)申請了1883個專利,并已獲得1115個專利。
尹志堯表示,盡管中微在知識產(chǎn)權(quán)上已經(jīng)做得很全面,但也受到多次美國公司對中微發(fā)起的專利訴訟,有三次是美國公司對中微提起訴訟,一次是中微對美國公司發(fā)起的訴訟。值得注意的是,在專利訴訟中,兩次獲得了完全勝利,另外兩次也在較大優(yōu)勢下達成和解。
中微公司在等離子體刻蝕機的技術(shù)優(yōu)勢,也讓美國在2015年取消了對中國的出口控制,而中微的相關(guān)產(chǎn)品出口環(huán)境也變得極為寬松。

值得注意的是,中微實施了員工期權(quán)激勵和全員持股的模式,認為這是高科技公司發(fā)展的生命線,也是社會主義集體所有制的核心。尹志堯認為,企業(yè)價格由投入的股本金帶來和勞動創(chuàng)造的價值兩部分組成,但公司80%的市值由勞動力創(chuàng)造。
不忘初心,就是回到“資本論”,就是要解決剩余價格的合理分配問題。通過期權(quán)和股權(quán)將員工長期利益和企業(yè)綁定,使更多員工參加公司,使員工積極為公司工作,全員持股是中微賴以生存和發(fā)展的生命線。

尹志堯提到,自己僅占公司1%的股份,但這并不意味著就無法將公司做好。讓公司做大做強,要做到強群的總能量最大化和凈能量最大化,總能量最大化即使所有階層和所有部門人們的積極性群都發(fā)揮出來,凈能量最大化即怎樣使各個階層和各個部門的能量不會在內(nèi)耗中消失。
最后,尹志堯表示,一家公司從初創(chuàng)公司做到成功,公司的文化和作風(fēng)是主要應(yīng)隨,要建立一直領(lǐng)先的百年老店,初創(chuàng)時期,首先要有過硬的技術(shù)產(chǎn)品,到了大公司時期要有足夠的運營能力,做到領(lǐng)頭公司,則需要看公司的文化作風(fēng)。
以刻蝕機設(shè)備為例,等離子體刻蝕設(shè)備市場成長迅速,目前年市場規(guī)模超過120億美元。并且等離子體刻蝕設(shè)備已經(jīng)工廠中投入最大的部分,已經(jīng)占到工廠設(shè)備成本的30%以上。
尹志堯提到一定要將更大力度推動和發(fā)展半導(dǎo)體微觀加工設(shè)備產(chǎn)業(yè)提到日程上來,半導(dǎo)體設(shè)備公司不僅是集成電路制造的供應(yīng)商和產(chǎn)業(yè)鏈,也是集成電路制造的最核心部分。而大國博弈在經(jīng)高科技戰(zhàn)線上,集中在半導(dǎo)體設(shè)備和關(guān)鍵零部件的限制上。

當(dāng)前中微半導(dǎo)體開發(fā)的四類設(shè)備均達到了國際領(lǐng)先水平,如CCP電容性刻蝕機、ICP電感型刻蝕機、深硅刻蝕機、MOCVCD。
其中,中微開發(fā)的第三代CCP高能等離子體刻蝕機,已經(jīng)從過去的20:1發(fā)展到如今的60:1極高深寬比細孔。并且中微CCP刻蝕機在臺灣領(lǐng)先的晶圓廠和存儲廠,已經(jīng)占據(jù)三成市場份額。中微的MOCVD設(shè)備在國際氮化鎵基MOCVD市場占有率已在2018年第四季度已經(jīng)達到了70%以上。
尹志堯表示,十年來中國有54個公司和研究所曾宣布開發(fā)MOCVD設(shè)備,但目前只有中微一家成功,并且已經(jīng)實現(xiàn)穩(wěn)定的量產(chǎn)。多年來中微的MOCVD設(shè)備不斷提高藍綠光LED波長均勻性,目前LED波長片內(nèi)均勻性已經(jīng)做到0.71nm。
如何將中微半導(dǎo)體做大做強,尹志堯表示中微以“四個十大”為中心,總結(jié)17年的經(jīng)驗與教訓(xùn),繼續(xù)發(fā)展科創(chuàng)企業(yè)的管理章法,其中包括:中微產(chǎn)品開發(fā)的十大原則;中微戰(zhàn)略和商務(wù)的十大原則;中微運營管理的十大原則;中微精神文化的十大原則。
在開發(fā)產(chǎn)品上,尹志堯表示不要老跟著外國人的設(shè)計,這樣很難做出自己獨有的產(chǎn)品,因此中微提出了甚高頻去耦合反應(yīng)離子體刻蝕,讓高頻、低頻都在下電極,當(dāng)前該技術(shù)已經(jīng)具備一定優(yōu)勢。
此外,中微公司還開發(fā)了CCP單臺機和雙臺機,ICP單臺機和雙臺機,可以覆蓋90%的刻蝕應(yīng)用,不僅在成本上降低30%,效率上也提升了50%。

戰(zhàn)略上,中微將通過三維成長(集成電路設(shè)備、泛半導(dǎo)體設(shè)備、非半導(dǎo)體設(shè)備),計劃在未來10到15年成為國際一流的微觀加工設(shè)備公司。
公司運營管理上,中微通過運營KPI管理不斷提升質(zhì)量管理水平。截至2021年6月份,中微已經(jīng)申請了1883個專利,并已獲得1115個專利。
尹志堯表示,盡管中微在知識產(chǎn)權(quán)上已經(jīng)做得很全面,但也受到多次美國公司對中微發(fā)起的專利訴訟,有三次是美國公司對中微提起訴訟,一次是中微對美國公司發(fā)起的訴訟。值得注意的是,在專利訴訟中,兩次獲得了完全勝利,另外兩次也在較大優(yōu)勢下達成和解。
中微公司在等離子體刻蝕機的技術(shù)優(yōu)勢,也讓美國在2015年取消了對中國的出口控制,而中微的相關(guān)產(chǎn)品出口環(huán)境也變得極為寬松。

值得注意的是,中微實施了員工期權(quán)激勵和全員持股的模式,認為這是高科技公司發(fā)展的生命線,也是社會主義集體所有制的核心。尹志堯認為,企業(yè)價格由投入的股本金帶來和勞動創(chuàng)造的價值兩部分組成,但公司80%的市值由勞動力創(chuàng)造。
不忘初心,就是回到“資本論”,就是要解決剩余價格的合理分配問題。通過期權(quán)和股權(quán)將員工長期利益和企業(yè)綁定,使更多員工參加公司,使員工積極為公司工作,全員持股是中微賴以生存和發(fā)展的生命線。

尹志堯提到,自己僅占公司1%的股份,但這并不意味著就無法將公司做好。讓公司做大做強,要做到強群的總能量最大化和凈能量最大化,總能量最大化即使所有階層和所有部門人們的積極性群都發(fā)揮出來,凈能量最大化即怎樣使各個階層和各個部門的能量不會在內(nèi)耗中消失。
最后,尹志堯表示,一家公司從初創(chuàng)公司做到成功,公司的文化和作風(fēng)是主要應(yīng)隨,要建立一直領(lǐng)先的百年老店,初創(chuàng)時期,首先要有過硬的技術(shù)產(chǎn)品,到了大公司時期要有足夠的運營能力,做到領(lǐng)頭公司,則需要看公司的文化作風(fēng)。
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
中微半導(dǎo)體
+關(guān)注
關(guān)注
1文章
141瀏覽量
18557 -
半導(dǎo)體設(shè)備
+關(guān)注
關(guān)注
5文章
421瀏覽量
16629 -
刻蝕機
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
58瀏覽量
4896
發(fā)布評論請先 登錄
相關(guān)推薦
熱點推薦
集成電路制造工藝中的刻蝕技術(shù)介紹
本文系統(tǒng)梳理了刻蝕技術(shù)從濕法到等離子體干法的發(fā)展脈絡(luò),解析了物理、化學(xué)及協(xié)同刻蝕機制差異,闡明設(shè)備與工藝演進對先進制程的支撐作用,并概述國內(nèi)外產(chǎn)業(yè)格局,體現(xiàn)刻蝕在高端芯片制造
中微公司尹志堯榮膺2025福布斯中國終身成就獎與最佳CEO獎
近日,全球商業(yè)與投資領(lǐng)域的風(fēng)向標(biāo)——福布斯中國再次聚焦半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),在備受關(guān)注的2025福布斯中國年終晚宴暨頒獎盛典上,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(證券簡稱:
中微公司創(chuàng)新成果斬獲兩項大獎
近日,江西省專利獎評選結(jié)果正式揭曉,中微公司憑借發(fā)明專利 “化學(xué)氣相沉積反應(yīng)器或外延層生長反應(yīng)器及其支撐裝置”(發(fā)明人:尹志堯、姜勇)榮膺殊
中微公司重磅發(fā)布六大半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品 覆蓋等離子體刻蝕(Etch)、原子層沉積(ALD)及外延(EPI)等關(guān)鍵
)宣布重磅推出六款半導(dǎo)體設(shè)備新產(chǎn)品。這些設(shè)備覆蓋等離子體刻蝕(Etch)、原子層沉積(ALD)及外延(EPI)等關(guān)鍵工藝,不僅充分彰顯了中微公司在技術(shù)領(lǐng)域的硬核實力,更進一步鞏固了其在
干法刻蝕機在精密光柵加工中的應(yīng)用優(yōu)勢
上海伯東 IBE 離子束刻蝕機, 離子束具有方向性強的特點, 刻蝕過程中對材料的側(cè)向侵蝕 (鉆蝕)少, 能形成陡峭的光柵槽壁, 適合加工高精度, 高分辨率的光柵 (如中高溝槽密度的光柵
MEMS制造中玻璃的刻蝕方法
在MEMS中,玻璃因具有良好的絕緣性、透光性、化學(xué)穩(wěn)定性及可鍵合性(如與硅陽極鍵合),常被用作襯底、封裝結(jié)構(gòu)或微流體通道基板。玻璃刻蝕是制備這些微結(jié)構(gòu)的核心工藝,需根據(jù)精度要求、結(jié)構(gòu)尺寸及玻璃類型選擇合適的方法,玻璃
中微公司首臺金屬刻蝕設(shè)備付運
近日,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司”,股票代碼:688012)宣布其
中微公司亮相2025科技金融與產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新大會
)董事長兼總經(jīng)理尹志堯博士受邀出席大會,并以《技術(shù)的創(chuàng)新,產(chǎn)品的差異化和知識產(chǎn)權(quán)的保護》為題做了主題演講,分享在產(chǎn)業(yè)發(fā)展與技術(shù)創(chuàng)新等方面的前沿洞察。大會還向中微
中微公司左濤濤榮獲“上海質(zhì)量工匠”稱號
近日,上海市質(zhì)量協(xié)會公布第三屆(2025年度)“上海質(zhì)量工匠”名單,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(證券簡稱:中微
尹志堯:100%國產(chǎn)高精度刻蝕機震撼問世!#尹志堯 #刻蝕機 #華芯邦 #芯片封裝 #芯片廠家 #半導(dǎo)體
行業(yè)芯事行業(yè)資訊
孔科微電子
發(fā)布于 :2025年06月04日 17:03:13
中微公司舉辦2024年度暨2025年第一季度業(yè)績說明會 2024年營收約90.65億
公司董事長兼總經(jīng)理尹志堯博士及公司管理層出席會議并分享了公司2024年度及2025年第一季度的經(jīng)營狀況。
芯片刻蝕原理是什么
芯片刻蝕是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,用于將設(shè)計圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上,形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過化學(xué)或物理方法去除特定材料(如硅、金屬或介質(zhì)層),以下是芯片刻蝕的基本原理和分類
中微公司SEMICON China 2025精彩回顧
為期三天的全球半導(dǎo)體行業(yè)盛會SEMICON China 2025于今日圓滿落幕,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱:中
中微公司推出12英寸晶圓邊緣刻蝕設(shè)備Primo Halona
在SEMICON China 2025展會期間,中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡稱“中微公司
尹志堯揭秘:中微是怎么從初創(chuàng)公司,做到全球領(lǐng)先的刻蝕機大廠
評論