TMR（隧道磁電阻）磁傳感器是近年來開始工業應用的新型磁電阻效應傳感器，其利用的是磁性多層膜材料的隧道磁電阻效應對磁場進行感應，最早是用于硬盤中的磁性讀寫功能，享譽盛名的MRAM磁性隨機存取內存就是基于此。也正是因為其對磁場檢測的精度、準確度相當高，并且使用壽命和穩定性相比前幾代磁傳感技術都會更好，所以其元件，尤其是磁電阻效應傳感器，在近年來開始受到工業領域的廣泛衍生和應用。

目前主要的磁傳感技術根據工作原理的不同，包括霍爾傳感器、AMR（各向異性磁阻傳感器）、GMR（巨磁阻）、TMR（隧道磁電阻）、磁通門、磁感應（Magneto Inductive）、超導量子干涉儀（SQUID）等。據市場研究機構預測，全球磁傳感器市場規模在2019年超過了20億美元，2020~2026年期間的復合年增長率（CAGR）超過6%，市場規模到2026年將突破30億美元。

TMR磁傳感器相比較霍爾傳感器、AMR（各向異性磁阻傳感器）磁傳感器和GMR（巨磁阻）磁傳感器具有更大的電阻變化率。

TMR磁傳感器的核心膜層——磁隧道結（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）

- 相對于霍爾傳感器：具有更好的溫度穩定性，更高的靈敏度，更低的功耗，更好的線性度，不需要額外的聚磁環結構；

- 相對于AMR磁傳感器：具有更好的溫度穩定性，更高的靈敏度，更寬的線性范圍，不需要額外的set/reset線圈結構；

- 相對于GMR磁傳感器：具有更好的溫度穩定性，更高的靈敏度，更低的功耗，更寬的線性范圍。

在磁傳感器件領域，全球市場份額中90%被國外公司壟斷，國產磁傳感器件仍有很大的增長空間。更值得關注到的是，即使為數不多的國內企業實現了TMR磁傳感器的量產，但在生產制造環節更多的是依托國外工廠。在國內外形勢風云變換的當下，芯片生產制造國產化尤為重要。

為了實現TMR磁傳感器的全國產化，蘇州硅時代（Si-Era）受國內卓越TMR磁傳感器設計公司委托，攻堅克難，成功解決：①TMR傳感器MTJ層IBE刻蝕角度問題；②IBE刻蝕均勻性；③IBE刻蝕后去膠等眾多工藝挑戰。歷時四個月時間，最終實現全工藝打通，順利進入量產。

下一步，蘇州硅時代將基于國內首創的虛擬MEMS代工廠模式，整合國內TMR磁傳感器生產資源，進一步降低生產價格，實現全國產化、低成本的TMR磁傳感器芯片。正是基于近20年MEMS專業技術積累和工藝經驗，蘇州硅時代得以快速導入、快速驗證、快速打通所有工藝流程。

蘇州硅時代電子科技有限公司簡介

蘇州硅時代電子科技有限公司（Si-Era），位于國內最大的MEMS產業集聚區——蘇州納米城。利用MEMS領域近20年的技術積累，在MEMS傳感器、生物MEMS、光學MEMS以及射頻MEMS方面都擁有大量的設計和工藝經驗。

編輯：jq