日前，臺積電計劃通過在日本建立一家研究機構來開發3D SoIC封裝材料，從而與多家公司建立協同效應。臺積電強調3D SoIC將成為2022年起的主要增長引擎之一。

臺積電日本研究中心（投資額為186億日元成立）將專注于3D SoIC材料的開發。詳細地說，該合資企業旨在通過建立日本先進材料技術研究所來與眾多日本材料公司建立協同效應。臺積電將3D SoIC作為2022年起的主要增長引擎之一，將為3D SoIC技術建造兩個后端工藝晶圓廠，其中一個將于2H21竣工。

臺積電的3D SoIC基于“混合鍵合”后端工藝。通過混合鍵合，可以實現10μm或更小的鍵合間距（約為上一代技術的四分之一）。這樣的間距尺寸可使半導體之間的能源效率提高20倍，而半導體之間的通信速度則要快10倍（與較早的技術相比）。

混合鍵合通過在晶片上蝕刻通孔圖案并沉積銅來形成電極。兩個管芯通過測量的晶圓上裸露的銅電極粘結在一起以形成3D封裝。

除了臺積電，英特爾和三星電子也在開發相關技術。預計3D后端流程投資將在未來加速。韓國國內與此相關的設備制造商包括Hanmi Semiconductor，Park Systems和EO Technics。

同時，ASM Pacific Technology與EV Group（EVG）簽署了一項共同開發裸片晶圓混合鍵合技術的合同。具體來看，ASM正在開發用于芯片鍵合的技術，而EVG正在開發用于芯片到晶圓鍵合的技術。由于混合鍵合技術的性質，在諸如前端流程，后端流程，設備制造和包裝之類的不同領域中運營的公司之間的協作變得越來越重要。
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