據長沙晚報報道,位于湖南瀏陽經開區(高新區)的泰科天潤項目,力爭6英寸碳化硅功率芯片產線春節前投產。
據報道,如今90%的生產設備已到位,大部分設備處于工藝調試階段,這里將打造一條極具市場競爭力的碳化硅功率器件生產線。企業負責人表示,“有信心以最快的速度改變歐美國家對我國高端功率器件的長期壟斷格局,突破行業領域技術壁壘等問題。”
泰科天潤項目是由泰科天潤半導體科技(北京)有限公司投資建設的重點項目,位于湖南瀏陽經開區(高新區)新能源標準廠區內,于2019年年底正式開建。項目分兩期建設,一期總投資5億元,主要建設6英寸碳化硅基電力電子芯片生產線,生產碳化硅芯片等產品。
責任編輯:xj
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
集成電路
+關注
關注
5453文章
12572瀏覽量
374666 -
碳化硅
+關注
關注
26文章
3469瀏覽量
52375 -
功率芯片
+關注
關注
0文章
119瀏覽量
16040
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
士蘭微電子迎來雙線里程碑:8英寸碳化硅產線通線, 12英寸高端模擬芯片產線同步開工
2026年1月4日,杭州士蘭微電子股份有限公司在廈門市海滄區隆重舉行“8英寸碳化硅功率器件芯片制造生產線通線儀式暨12英寸高端模擬集成電路
12英寸碳化硅外延片突破!外延設備同步交付
的12英寸單片式碳化硅外延生長設備順利交付瀚天天成。 相較于目前主流的6英寸碳化硅外延晶片及仍處于產業化推進階段的8
簡單認識博世碳化硅功率半導體產品
博世為智能出行領域提供全面的碳化硅功率半導體產品組合,包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅
AR光波導+先進封裝雙驅動,12英寸碳化硅靜待爆發
替代第一代Rubin GPU上采用的硅中介層,并最晚在2027年廣泛應用。 ? 碳化硅過去的主力市場是功率器件,但功率器件市場需求增速存在瓶頸,從6
重大突破!12 英寸碳化硅晶圓剝離成功,打破國外壟斷!
了國內相關技術應用的空白,更為第三代半導體關鍵制造裝備的國產化進程注入了強大動力,同時也為全球碳化硅產業突破成本瓶頸、提升生產效率開辟了創新路徑。 此前,該激光剝離技術已在6英寸、8英寸
數據中心電源客戶已實現量產!三安光電碳化硅最新進展
16000片/月,配套產能即從襯底、外延、芯片制程,到封測的全流程產能。8英寸碳化硅襯底產能為1000片/月,外延產能2000片/月,目前8英寸碳化
發表于 09-09 07:31
?2013次閱讀
12英寸碳化硅襯底,會顛覆AR眼鏡行業?
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)今年以來,各家廠商都開始展示出12英寸SiC產品,包括晶錠和襯底,加速推進12英寸SiC的產業化。最近,天成半導體宣布成功研制出12英寸N型碳化硅單晶材料
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREE
EAB450M12XM3全碳化硅半橋功率模塊CREEEAB450M12XM3是Wolfspeed(原CREE科銳)生產的1200V、450A全碳化硅半橋
發表于 06-25 09:13
國產SiC碳化硅功率半導體企業引領全球市場格局重構
到IDM模式的戰略轉型 國產SiC碳化硅功率半導體企業發展歷程詮釋了中國半導體產業的轉型升級路徑。國產SiC碳化硅功率半導體企業創立初期采用Fabless模式,專注于
全球產業重構:從Wolfspeed破產到中國SiC碳化硅功率半導體崛起
的破產不僅是企業的失敗,更是美國半導體產業戰略失誤的縮影。其核心問題體現在三個維度: 技術迭代停滯與成本失控 長期依賴6英寸晶圓技術,8英寸量產計劃因良率不足陷入僵局,而中國天
碳化硅功率器件有哪些特點
隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加,寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中,碳化硅(SiC)因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展,成為現代電子技術的
碳化硅功率器件的種類和優勢
在現代電子技術飛速發展的背景下,功率器件的性能和效率面臨著越來越高的要求。碳化硅(SiC)作為一種新興的寬禁帶半導體材料,憑借其優異的電氣特性和熱性能,逐漸成為功率電子器件領域的熱門選擇。本文將探討
泰科天潤項目:力爭6英寸碳化硅功率芯片產線春節前投產
評論