作為第三代半導體，SiC憑借著多方面更優異的性能正在向更多應用領域擴展，但不容回避，成本、易用性方面，傳統的SiC器件在某些方面仍然稍遜于硅器件，這也讓碳化硅器件取代硅器件的發展之路面臨挑戰。

日前，領先的碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC（聯合碳化硅）公司，推出了基于其第四代SiC FET先進技術平臺的四款器件。該產品的性能取得了突破性發展，很好地解決了易用性、成本這個工程師面臨的最大挑戰，旨在加速碳化硅這種寬帶隙器件在汽車充電、工業充電、電信整流器、數據中心PFC直流轉換、可再生能源和儲能應用中的廣泛應用。

作為目前市場上首批750V SiC FET，UnitedSiC公司這四款第四代器件基于領先的品質因數（FoM）實現了新的性能水平，從而使汽車、工業充電、電信整流器、數據中心功率因數校正（PFC）和 DC-DC轉換以及可再生能源和儲能領域的電源應用都能夠從中受益。

這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，具有出色的FoM，并且其單位面積通態電阻更低，本征電容也很低。在硬開關應用中，第四代FET實現了極低的RDS（on）×EOSS（mΩ·μJ），因此其導通損耗和關斷損耗都得到降低。在軟開關應用中，其低RDS（on）×Coss（tr）（mΩ·nF）規格則可實現更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現有SiC MOSFET競爭產品的性能（無論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作），而且還提供了極低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復特性，從而降低了死區損耗并提高了效率。

UnitedSiC公司FAE經理Richard Chen表示，目前市場上同類的SiC MOSFET 電壓一般為650V，或650V以下，對于電動汽車等領域要求的400/500V總線電壓應用，750V的碳化硅MOSFET能為設計人員提供更多的裕量并減少其設計約束。

另外，市場上已有的SiC MOSFET對驅動電壓的要求也有別于以前的硅器件，這讓工程師在從原來的硅器件轉向碳化硅FET時，不得不去重新設計，以便采用新的驅動電路。

Richard Chen告訴21ic電子網記者，UnitedSiC的第四代SiC FET的所有器件都可以用0至+12V柵極電壓驅動，與之前的硅器件完全一樣，因此，工程師可以將它們與現有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅動器一起使用，大大簡化了他們的設計工作。

UnitedSiC公司負責亞太區銷售的VP Liu Luwei告訴21ic電子網記者，雖然是成立不久的新公司，但UnitedSiC公司的業務發展迅猛，年增長率高達20-30%的雙位數，遠高于硅器件的平均年增長率。

從DC-DC轉換和車載充電到功率因數校正和太陽能逆變器，這些領域都是UnitedSiC的應用領域。Liu Luwei透露，在效率和性能要求更高、同時成本不敏感的應用上，例如：車載、快充領域，SiC MOSFET正在逐漸取代硅器件。

Liu Luwei表示，早在2016年，UnitedSiC就開始與中國的客戶合作，合作項目覆蓋了幾乎所有領域，包括電動汽車的OBC、DC/DC，驅動，快速充電樁，電信電源，服務器電源，太陽能，儲能以及高壓斷路器。

為了更好的為國內用戶提供全方面的支持，很快的， UnitedSiC將會在深圳成立應用實驗室，進一步優化對客戶的支持。

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