山西作為我國的煤炭大省，長期以來一“煤”獨大，而這情形也導致山西產業結構單一。為破解“興于煤，困于煤”這一難題，山西開啟了轉型之路。

近幾年，依托豐富的礦產資源，山西聚焦半導體材料、碳基新材料、合成生物新材料、特種金屬材料等領域，把發展新興產業作為轉型重點。

目前，山西半導體產業主要集聚在太原、忻州、長治等地，以太原中國電科（山西）電子信息創新產業園、忻州半導體產業園兩大半導體產業園為中心，初步形成了砷化鎵、碳化硅等第二/三代半導體襯底材料—芯片—封裝—應用產業鏈條。

2019年5月，山西省半導體產業聯盟成立，由山西從事半導體技術研發、產品生產的企業、大專院校和科研單位共59家相關機構發起，實現了對山西半導體產業、企業的全覆蓋。

據山西經濟日報報道，下一步，山西將發揮能源和材料資源優勢，以砷化鎵、碳化硅等第二代、第三代半導體、LED、裝備、芯片制造等特色領域為重點，打造國內領先的半導體材料產業基地，構建專用芯片和器件產業集聚區，形成重點領域集成電路裝備產業新高地，培育集成電路封裝測試與整機協同發展新生態。

半導體相關政策加碼，推動山西轉型

在山西省積極轉型的同時，近兩年，半導體相關政策也不斷加碼。其中，政策皆明確，重點支持太原碳化硅、氮化鎵第三代半導體；忻州砷化鎵第二代半導體，長治深紫外半導體等光電半導體產業發展；打造長治—晉城光電產業集群與太原—忻州半導體產業集群。

早在2011年初，在國務院印發進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展若干政策之后，山西緊隨“熱潮”，發布了《貫徹落實國務院關于印發進一步鼓勵軟件產業和集成電路產業發展若干政策通知的實施意見》（以下簡稱《意見》）。

《意見》指出，對集成電路線寬小于0.8微米（含）的集成電路生產企業，經認定后，自獲利年度起，實行企業所得稅“兩免三減半”的政策，即自獲利年度起，第一年至第二年免征企業所得稅，第三年至第五年按照25%的法定稅率減半征收企業所得稅。

同時，在山西新創辦的集成電路設計企業和符合條件的軟件生產企業，經認定后，自獲利年度起，享受企業所得稅“兩免三減半”優惠政策。

此后，2019年5月，《山西省推動制造業高質量發展行動方案》發布，山西將重點發展第三代/二代半導體、光伏、LED、鋰離子電池、新型顯示、電子專用裝備及材料等產品；推動發展光通信、光學鏡頭模組、手機機構件、導光板、敏感元件、新型傳感器、新型電阻電容等電子零部件和元器件；支持開展專用集成電路、關鍵電子元器件、新型顯示、關鍵裝備及材料等技術的開發和產業示范。重點培育太原-忻州半導體產業集群、太原-陽泉人工智能產業集群、長治-晉城光電產業集群等。

2019年8月，山西出臺《山西省加快推進數字經濟發展的實施意見》（以下簡稱《意見》），山西將著力打造全國領先的半導體產業集群。

圍繞5G、電力電子、LED等關鍵應用，山西省重點支持太原碳化硅、氮化鎵第三代半導體、紅外探測芯片，忻州砷化鎵第二代半導體，長治深紫外半導體等光電半導體產業發展，提升裝備、材料、襯底、芯片、器件等核心關鍵技術和工藝水平，打造高純半導體材料、襯底、外延、芯片、應用等全產業鏈產品體系，培育形成全國領先的半導體產業集群。

此外，《意見》還明確，山西還將打造長治—晉城光電產業集群與太原—忻州半導體產業集群。

2020年6月，《山西省電子信息制造業2020年行動計劃》印發，提出以太原、忻州為核心，依托中國電科（山西）電子信息創新產業園、忻州半導體產業園等重點企業重大項目，以碳化硅、氮化鎵第三代半導體、砷化鎵二代半導體為重點，圍繞功率電子、電力電子、LED、5G等關鍵領域，提升裝備、材料、器件等核心關鍵技術和工藝水平，形成碳化硅、砷化鎵高純半導體材料、藍寶石材料、芯片設計、芯片制造、封測、應用等全產業鏈產品體系，打造太原-忻州半導體產業集群。

2020年7月，山西工信廳發布了《山西省數字產業2020年行動計劃》，山西將打造半導體、光電產業集群。以太原、忻州為核心，以碳化硅、氮化鎵第三代半導體等為重點，形成碳化硅、芯片設計、芯片制造等全產業鏈產品體系，打造太原、忻州半導體產業集群。以長治、晉城為核心，以光伏、LED顯示、深紫外LED、光通信連接器、光學鏡頭模組、智能制造設備、鋰離子電池等產業為重點，打造長治-晉城光電產業集群。

2020年7月，山西工信廳發布《山西省千億級新材料產業集群培育行動計劃（2020年）》（以下簡稱《行動計劃》），《行動計劃》表示，山西將圍繞制造業千億產業培育工程總體要求，聚焦“半導體材料、碳基新材料、生物基新材料、特種金屬材料”等四個重點領域。

在做強產業鏈方面，山西將圍繞半導體材料、碳基新材料等新材料特色產業集群，聚焦建鏈、延鏈、補鏈、強鏈，打造“襯底材料—外延片生產—芯片設計—芯片制作—封裝—應用產品”等8個具有全國比較發展優勢的特色產業鏈條。

此外，《行動計劃》還表示，將圍繞中電科二所、平晶光電等重點企業，培育發展集成電路及半導體器件產業應用的第三代半導體材料，打造半導體材料產業集群。

偏愛半導體材料、光電等領域，山西半導體相關項目接連落地、投產

從山西省落地項目來看，落地項目大都屬于半導體材料、光電領域。其中，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地、中科晶電山西忻州半導體產業基地砷化鎵項目、中科潞安深紫外LED項目等皆被列入山西省重點項目名單。

中國電科碳化硅產業基地

據悉，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地將建成國內最大的碳化硅材料供應基地。

一期項目于2019年4月1日開工建設，同年9月26日封頂，據此前山西綜改示范區消息，一期項目建筑面積2.7萬平方米，能容納600臺碳化硅單晶生產爐和18萬片N型晶片的加工檢測能力，可形成7.5萬片的碳化硅晶片產能。

2月28日，中國電科（山西）碳化硅材料產業基地舉行投產儀式。

目前，中國電科山西碳化硅材料產業基地已經實現4英寸晶片的大批量產，6英寸高純半絕緣碳化硅單晶襯底也已經開始工程化驗證，預計年底達到產業化應用與國際水平相當。

中科晶電山西忻州半導體產業基地砷化鎵項目

中科晶電山西忻州半導體產業基地砷化鎵項目由忻州中科晶電信息材料有限公司投資2.5億元，以研發、生產、銷售砷化鎵襯底材料為主，配套建筑面積約1.7萬平方米，建設有2英寸、3英寸、4英寸、6英寸砷化鎵襯底材料大規模生產線，規劃年產砷化鎵單晶片折合４英寸200萬片。

2018年11月5日，中科晶電山西忻州半導體產業基地砷化鎵項目正式開業運營。

北京大學山西碳基薄膜電子研究院

9月，山西省與北京大學簽署了《山西省人民政府與北京大學科技創新戰略合作協議》，根據協議，山西省政府和北京大學共建北京大學山西碳基薄膜電子研究院，研究院設在山西大學，開展碳基半導體材料和碳基薄膜電子技術攻關，以政產學研用相結合的模式著力建設國內一流的技術創新平臺和成果轉化基地。

銻化物第四代半導體（山西）研究院項目

10月31日，2020中國（太原）人工智能大會在中國（太原）煤炭交易中心召開。銻化物第四代半導體（山西）研究院項目在活動上簽約。

中科潞安深紫外LED項目

中科潞安深紫外LED項目分兩期建設，總投資約20億元。其中，一期工程為年產3000萬顆紫外LED芯片項目，投資5.4億元；二期工程為年產2億顆紫外LED芯片項目，投資15億元。

2019年5月30日，山西省半導體產業聯盟授牌儀式、中科潞安半導體技術研究院落成典禮暨中科潞安深紫外LED項目投產儀式舉行。

據當時山西中科潞安紫外光電科技有限公司官微顯示，中科潞安紫外光電科技有限公司董事長李晉閩表示，該項目于2018年12月完成項目的核心建設，經過5個月的調試運轉和工藝驗證，項目產線設備狀態和生產能力穩健提升和完善，并于2019年5月30日正式投產。

長治高新區半導體光電產業項目

長治高新區半導體光電產業項目總投資10.76億元，位于山西漳澤工業園區，建設工期為兩年。項目以紫外LED為特色產業、以半導體激光產業、光伏太陽能產業為主，形成集紫外LED、藍光LED、激光器、太陽能電池等于一體的光電產業鏈條，擴大光電產業在全市的產業占有率。

據黃河新聞網6月報道，目前，山西長治高新區半導體光電產業項目施工各環節正在進行中，預計將于2021年5月實現試生產。

北緯三十八度集成電路制造有限公司項目

2020年5月，北緯三十八度集成電路制造有限公司（以下簡稱“BWIC”）廠房基礎建設已經完成，正在驗收階段，預計明年年中可投產，年底可實現量產。據當時新華社報道，BWIC總經理蔣建當時表示，達產以后，如果芯片全部用于制造手機的話，每年可以制造3億多部手機的射頻模組芯片。

2020年9月，北緯三十八度集成電路制造有限公司進行了第一次設備進場。
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