8月25日，臺積電總裁魏哲家在臺積電技術研討會上談到了臺積電未來的4nm工藝、3nm工藝以及全新的N12e特殊制程。

魏哲家指出，N5的升級版工藝N5P將于2021年量產。正如基于N7工藝發展出N6工藝一樣，臺積電還基于N5工藝發展出了N4工藝，滿足下游廣泛的產品需求。

據魏哲家介紹，N4在速度、功耗和密度上有所提升，并且與N5有100%的IP相容性，因而能夠沿用N5既有的設計基礎架構，加速產品創新，N4將于2021年第四季度開始試產。

另外，魏哲家還報告了N3工藝的進展情況。他表示，N3技術具備創新的微縮特征，與N5相比，速度可以提升15%、功率降低30%、邏輯密度增加70%，N3預計于2021年進行試產，并于2022年下半年進入量產。

魏哲家還透露，臺積電正在與客戶密切合作，定義N3之后的下一節點規格與進度。

值得一提的是，除了先進的邏輯制程，臺積電還擁有完整的特殊制程技術，包括MEMS、CMOS影像感測器、Non-Volatile Memory （NVM）、射頻、BCD power等。魏哲家表示，特殊制程在實現人機互動、人類感知和動作能力方面扮演關鍵角色，也因為上述能力的拓展，讓各種聯網設備對半導體的需求大增。如今，隨身攜帶的邊緣設備除了聯網之外，還必須有更多的智慧處理大量數據，而這些聯網的邊緣設備所用到的半導體技術都對低功耗提出了巨大需求。

針對以上提到的低功耗需求，臺積電最新推出了N12e技術，在沒有犧牲速度和邏輯密度的前提下，進一步提升了電源效率。據魏哲家介紹，N12e支持超低漏電設備和超低VDD的設計，可低至0.4V以下。N12e將在智慧物聯、移動設備和其他產品應用方面帶來更多正面改變。
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