8月3日，上交所正式受理了普冉半導體（上海）股份有限公司（以下簡稱“普冉股份”）的科創板上市申請。

招股書顯示，普冉股份的主營業務是非易失性存儲器芯片的設計與銷售，目前主要產品包括NOR Flash和EEPROM兩大類非易失性存儲器芯片，屬于通用型芯片，可廣泛應用于手機、計算機、網絡通信、家電、工業控制、汽車電子、可穿戴設備和物聯網等領域。

2017至2020年第一季度，普冉股份分別實現營業收入7780.11萬元、17825.27萬元、36298.96萬元、14202.19萬元，收入三年復合增長率為116.00%，分別實現凈利潤371.79萬元、1337.37萬元、3232.08萬元、1307.31萬元，凈利潤三年復合增長率194.84%。

其中，普冉股份研發投入分別為1290.91萬元、1345.79萬元、3114.11萬元和859.35萬元，累計研發投入金額占報告期公司累計營業收入比例為8.68%，研發投入占比較高。

值得注意的是，報告期內，普冉股份NOR Flash產品的收入分別為4471.30萬元、13459.31萬元、25467.60萬元和10570.28萬元，占當期營業收入比例為57.47%、75.51%、70.16%和74.43%。公司NOR Flash產品使用SONOS工藝結構進行設計。

普冉股份決定申請首次公開發行不超過905.7180萬股人民幣普通股（A股），本次募集資金將投向于閃存芯片升級研發及產業化項目、EEPROM芯片升級研發及產業化項目和總部基地及前沿技術研發項目。

在閃存芯片升級研發及產業化項目項目中，普冉股份將采用領先于業界的工藝制程，對NOR Flash存儲器芯片開展設計研究，實現公司在先進制程、大容量Flash存儲器芯片領域的產業化。項目具體研發的產品包括：40nmNOR Flash系列存儲器芯片；NewGenNOR Flash系列存儲器芯片。本項目的產品將被應用于物聯網、藍牙、智能穿戴設備、指紋識別、智能家居、智能手機等領域。

在EEPROM芯片升級研發及產業化項目中，普冉股份將對工業和消費級以及車載級EEPROM存儲器芯片開展設計研究，實現公司EEPROM存儲器芯片在多維下游應用領域的產業化。項目具體研發產品包括兩部分：其一，公司擬在當前技術積累下，對手機攝像頭模組等消費類EEPROM以及智能電表、智慧通信等工業類EEPROM存儲器芯片進行升級研發，使其達到更低工作電壓和更低功耗；其二，公司擬開發車載EEPROM產品，通過運用糾錯校驗（ECC）和差分存儲技術，使其具備超高擦寫能力、超長數據保存時間等特點。

總部基地及前沿技術研發項目是解決公司實驗場地和辦公場地不足問題的必然舉措，有助于公司在現有技術儲備的基礎上突破原有存儲器芯片性能并持續進行優化。

關于未來發展戰略，普冉股份表示，公司將專注于集成電路設計領域的科技創新，圍繞非易失存儲器領域，以NOR Flash和EEPROM為核心，不斷滿足客戶對高性能存儲器芯片的需求，在持續經營中實現企業的技術積累，保障公司經營業務的可持續發展。

來源：集微網/JSSIA整理

原文標題：普冉半導體科創板IPO獲受理

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