国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

新型冠狀肺炎正式進入大流行,全球系統風險將沖擊存儲器產業

章鷹觀察 ? 來源:集邦咨詢 ? 作者:集邦咨詢 ? 2020-03-14 10:30 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)表示,雖然疫情在中國看似趨緩,然而在中東、歐洲與美國急速擴散,世界衛生組織(WHO)已正式宣布新冠肺炎成為全球大流行傳染病,這將讓全球經濟陷入系統性風險,存儲器市場恐怕提前反轉進入不景氣周期。

從需求來看,新冠肺炎的大流行將嚴重沖擊經濟與社會活動,進一步影響個人消費力道;而終端產品的出貨下滑,勢必將造成存儲器需求同步下修。

2020年第一季與第二季內存(DRAM)與閃存(NAND Flash)均價仍維持上漲,主要是因為年初客戶端庫存水位偏低,雖在價格走勢持續上揚的前提下,采購備貨意愿強烈,然而集邦咨詢認為真正的挑戰會從第三季開始,隨著需求萎縮導致庫存去化不易,將大幅削弱客戶端采購力道,使得價格漲幅受到抑制,在NAND Flash領域更可能由漲轉跌。

全球經濟降溫、消費者信心下滑,終端產品需求將持續下修

隨著疫情蔓延使得全球經濟降溫,對于消費性電子產品的沖擊為:(一)個人所得可分配支出轉為保守,導致需求遞延,平均消費金額將下降;(二)受疫情影響,產業供應鏈物流及人事成本增加,營收減少,產業更可能面臨洗牌。

目前影響DRAM與NAND Flash的三大終端產品為筆記本電腦、服務器以及智能手機,其中智能手機將面臨最大幅度的下修。雖然近期出現自農歷新年以來較明顯的渠道銷售(sell through)回溫,但這股動能可能無法延續,實際上智能手機生產量仍持續下修。

在服務器方面,目前因為遠距辦公與教學的需求帶動而有增溫,且云端建設的動能未有熄火,因此整體而言目前未有明顯沖擊;但在企業方面,因應疫情所以多轉趨保守經營,將收斂資本支出,未來企業級(enterprise)服務器需求可能將轉趨疲弱。

需求不振將使下半年存儲器價格漲幅受限,NAND Flash可能轉跌

2020年DRAM及NAND Flash的供給增加有限,年成長幅度分別僅13%及32%,加上客戶庫存水位大多處于低檔,因此集邦咨詢原先預估,價格漲勢可延續至今年年底,然而隨著需求出現結構性改變,從第二季末開始,采購端拉高庫存的力道將萎縮,進而影響下半年價格走勢。

在DRAM領域,由于原本供需差距就大,所以就算需求面臨下修,供需依舊會有缺口,因此最悲觀預估是下半年漲幅收斂,但不至于由漲反跌。反觀NAND Flash領域,供需缺口并不顯著,而且已經觀察到第二季客戶端需求轉弱的狀況,若需求持續下修,下半年價格可能快速反轉。

本文來自集邦咨詢,本文作為轉載分享。

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • DRAM
    +關注

    關注

    41

    文章

    2394

    瀏覽量

    189156
  • 三星電子
    +關注

    關注

    34

    文章

    15894

    瀏覽量

    183120
  • 服務器
    +關注

    關注

    14

    文章

    10253

    瀏覽量

    91490
  • Nand flash
    +關注

    關注

    7

    文章

    248

    瀏覽量

    41610
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    【案例5.1】存儲器選型的考慮要點

    的選型。以下是選型時最關鍵的兩個因素:(1)產品對存儲器容量的要求。一般由系統設計部門和軟件設計部門,根據產品需求,共同確定對存儲器容量的要求。本案例中的數據表
    的頭像 發表于 03-04 17:20 ?198次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲器</b>選型的考慮要點

    結構設計、流場仿真與試驗驗證:船舶大流量燃油穩壓閥的系統性研究

    大流量燃油供給的精密系統。本文針對現代大型船舶嚴苛的大流量、高穩定性供油需求,提出了一種新型自力式大流量燃油壓力調節閥的設計方案。
    的頭像 發表于 02-05 10:18 ?214次閱讀
    結構設計、流場仿真與試驗驗證:船舶<b class='flag-5'>大流</b>量燃油穩壓閥的<b class='flag-5'>系統</b>性研究

    FIFO存儲器的種類、IP配置及應用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,FIFO是一個數據具有先進先出的存儲器
    的頭像 發表于 01-13 15:15 ?378次閱讀
    FIFO<b class='flag-5'>存儲器</b>的種類、IP配置及應用

    瑞薩RA系列FSP庫開發實戰指南之常用存儲器介紹

    存儲器是計算機結構的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數據的部件,有了存儲器計算機才具有記憶功能。基本的存儲器種類見圖21_1。
    的頭像 發表于 01-12 06:21 ?7211次閱讀
    瑞薩RA系列FSP庫開發實戰指南之常用<b class='flag-5'>存儲器</b>介紹

    存儲器缺貨潮下的產業新局:力積電成焦點,功率半導體迎聯動機遇

    全球存儲器缺貨、價格飆漲的風口下,力積電的銅鑼新廠成了國際大廠爭搶的核心資源 —— 繼晟碟之后,美光也正在與力積電洽談合作,希望借助這座已建成、仍有 4-5 萬片月產能余量的工廠快速落地存儲器產能,雙方已敲定三種合作方向,只待力
    的頭像 發表于 12-22 11:43 ?2976次閱讀
    <b class='flag-5'>存儲器</b>缺貨潮下的<b class='flag-5'>產業</b>新局:力積電成焦點,功率半導體迎聯動機遇

    DDR SDRAM是什么存儲器(雙數據速率同步動態隨機存取存儲器介紹)

    在計算機和電子設備中,存儲器扮演著數據臨時存放與快速交換的關鍵角色。其中,DDR SDRAM(雙數據速率同步動態隨機存取存儲器)已成為現代內存的主流技術之一。它不僅在速度上顯著超越前代產品,更憑借其高效傳輸機制,廣泛應用于電腦、服務
    的頭像 發表于 12-08 15:20 ?1280次閱讀

    雙口SRAM靜態隨機存儲器存儲原理

    在各類存儲設備中,SRAM(靜態隨機存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統中。其中,雙口SRAM靜態隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設計,在高帶寬和多
    的頭像 發表于 11-25 14:28 ?551次閱讀

    芯源的片上存儲器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區域組成:主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。 ●● 主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區
    發表于 11-12 07:34

    高速存儲器sram,帶ECC的異步SRAM系列存儲方案

    在要求高性能與高可靠性的電子系統中,存儲器的選擇往往成為設計成敗的關鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列,憑借其出色的性能表現與獨有的錯誤校正(ECC)能力,為工業控制、通信設備及高精度計算等應用提供了值得信賴的存儲解決方
    的頭像 發表于 11-05 16:21 ?401次閱讀

    AI驅動存儲產業變革,GMIF2025峰會引領產業創新方向

    存儲產業的創新發展路徑。 ? ? 本次峰會不僅匯聚了高水平的主題演講,還通過展覽展示、年度大獎頒發、存儲器品牌全球直播等多元化形式,構建了一個集技術交流、成果發布、品牌推廣與
    的頭像 發表于 09-29 10:17 ?761次閱讀
    AI驅動<b class='flag-5'>存儲</b><b class='flag-5'>產業</b>變革,GMIF2025峰會引領<b class='flag-5'>產業</b>創新方向

    新型存儲突破,ULTRARAM即將量產

    電子發燒友網綜合報道,近日Quinas Technology 和 IQE plc 宣布,新型存儲器ULTRARAM 已突破重大制造障礙,即將進入試生產階段。 ? ULTRARAM結合了DRAM
    的頭像 發表于 08-29 09:22 ?6623次閱讀
    <b class='flag-5'>新型</b><b class='flag-5'>存儲</b>突破,ULTRARAM即將量產

    簡單認識高帶寬存儲器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM(動態隨機存取存儲器)。其核心設計是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發表于 07-18 14:30 ?4338次閱讀

    MCU存儲器層次結構解析

    ? ? ? ?MCU的存儲器層次結構通過整合不同性能與功能的存儲單元,優化系統效率并滿足多樣化場景需求。其核心架構可分為以下層次: 一、寄存層(最高速) 定位?:集成于CPU內核中,
    的頭像 發表于 05-09 10:21 ?792次閱讀

    非易失性存儲器芯片的可靠性測試要求

    非易失性存儲器(NVM)芯片廣泛應用于各種設備中,從智能手機、個人電腦到服務和工業控制系統,都是不可或缺的關鍵組件,它們不僅提高了數據的安全性和可靠性,還極大地增強了系統的整體性能。
    的頭像 發表于 04-10 14:02 ?1701次閱讀

    SK海力士僅選擇存儲器(SOM)的研發歷程

    人工智能與高性能計算(HPC)正以空前的速度發展,動態隨機存取存儲器(DRAM)和NAND閃存等傳統存儲技術發揮到極致。為了滿足人工智能時代日益增長的需求,業界正在探索超越傳統存儲
    的頭像 發表于 04-03 09:40 ?2020次閱讀