12月16日消息，由于在上半年疲軟之后下半年內(nèi)存投資激增，預(yù)計2019年全球晶圓廠設(shè)備支出將上調(diào)至566億美元。SEMI數(shù)據(jù)現(xiàn)在表明，從2018年到2019年，晶圓廠設(shè)備投資僅下降7％，與之前預(yù)測的下降18％相比有明顯改善。對內(nèi)存（尤其是3D NAND）的投資不斷增加，領(lǐng)先的邏輯和代工廠推動了這一轉(zhuǎn)變。

SEMI還將其2020年晶圓廠設(shè)備投資計劃修訂為更樂觀的580億美元。

反彈迅速帶動了全球晶圓廠設(shè)備支出的放緩，如圖1的黃色趨勢線所示，總投資在2018年下半年下降了10％，在2019年上半年下降了12％。在2019年的前六個月，由于3D NAND部門的投資受到特別嚴(yán)重的打擊，晶圓廠用于存儲器的設(shè)備支出下降了38％，降至100億美元以下，較2018年下半年暴跌了57％.2018年下半年，DRAM投資下降了12％。今年上半年占12％。

圖1：按半年計算的晶圓廠設(shè)備支出和主要投資貢獻(xiàn)者的變動率

下降趨勢在2019年底突然轉(zhuǎn)移。現(xiàn)在，在臺積電和英特爾的帶動下，領(lǐng)先邏輯和代工廠的投資現(xiàn)在預(yù)計將在2019年下半年增長26％，而3D NAND支出將比去年同期猛增70％以上。同一時期。盡管今年上半年DRAM投資持續(xù)下降，但自7月份以來的下降趨勢更為緩和。

在索尼的領(lǐng)導(dǎo)下，圖像傳感器支出預(yù)計在2020年上半年增長20％，在下半年猛增90％以上，達(dá)到16億美元的峰值。在英飛凌，意法半導(dǎo)體和博世的推動下，與電源相關(guān)的設(shè)備投資預(yù)計將在2020年上半年增長40％以上，在下半年再增長29％，達(dá)到近17億美元。