日前，GLOBALFOUNDRIES宣布，它已經開發出基于Arm的3D高密度芯片，該芯片滿足實現更高水平的系統計算應用程序（如AI / ML和高端消費者移動和無線解決方案）的性能和功效。新芯片采用GF的12nm（12LP）FinFET工藝制造，采用3D的Arm互連技術，允許數據更直接地進行內核傳輸，從而最大限度地減少延遲，滿足數據中心、邊緣計算和高端消費電子應用所需的數據傳輸速率。

該芯片的交付展示了Arm和GF在研究和開發差異化解決方案方面所取得的快速進展，這些解決方案可以提高產品的密度和性能，實現可擴展的高性能計算。此外，雙方還使用了GF的混合晶圓與晶圓鍵合 3D DFT方法，該方法可實現每平方毫米多達100萬個3D連接，從而滿足了未來12nm的設計擴展的可能。

“Arm的3D互連技術使半導體行業能夠繼續延續摩爾定律，以滿足更多樣化的計算應用。”Arm研發副總裁Eric Hennenhoefer表示。“GF在制造和先進封裝能力方面的專業知識，結合Arm技術，為我們的共同合作伙伴提供了額外的差異化，為下一代高性能計算開辟了新的范例。”

“在大數據和認知計算時代，先進的封裝技術正在發揮比以往更大的作用。人工智能的使用以及對高能效，高吞吐量互連的需求正在通過先進的封裝方式推動處理器的演進。“GF的平臺首席技術專家John Pellerin表示。“我們很高興與Arm等創新合作伙伴合作，提供先進的封裝解決方案，進一步集成了各種節點技術，這些技術針對邏輯擴展，內存帶寬和RF性能進行了優化且具有小尺寸。這項工作將使我們能夠發現先進封裝的新見解，使我們的共同客戶能夠更有效地創建完整，差異化的解決方案。“

GF的業務模式已經轉變，使其客戶能夠開發新的市場和專注于應用的解決方案，專為滿足當今苛刻市場的需求而設計。 GF的3D面對面（Face-to-Face）封裝解決方案不僅為設計人員提供了異構邏輯和邏輯/存儲器集成的途徑，而且可以使用最佳制程制造，從而實現更低的延遲，更高的帶寬和更小的特征尺寸。這種方法以及早期與Arm等合作伙伴的合作，為客戶提供了最大的選擇和靈活性，同時為其下一代產品節省了成本并縮短了量產時間。