MSP430 FLASH型單片機(jī)的FLASH存儲器模塊根據(jù)不同的容量分為若干段，其中信息存儲器SegmengA及SegmentB各有128字節(jié)，其他段有512字節(jié)。SegmentB的地址是：0x01000h到0x107F，SegmentA的地址是：0x01080h到0x010FFh。其他段的地址根據(jù)容量不同，從0xFFFFh開始，每512字節(jié)為一段進(jìn)行分配。

　　FLASH存儲器寫入數(shù)據(jù)時，每一位只能由“1”變成“0”，不能由“0”變成“1“，因此，當(dāng)我們有數(shù)據(jù)要保存到FLASH存儲器時，要先對目標(biāo)段進(jìn)行整段擦除操作，擦除操作使的對應(yīng)段FLASH存儲器變成全“1”。下面是擦除FLASH段的子程序，配置好必要的寄存器后，向段中任意地址寫入數(shù)據(jù)，及擦除一段。

　　void flash_clr（int *ptr）

　　{

　　_DINT（）; //關(guān)中斷

　　FCTL3 = 0x0A500; //* Lock = 0 開鎖

　　FCTL1 = 0x0A502; //* Erase = 1 使能擦除

　　*（（int *） ptr） = 0; //* 擦除段

　　}

　　FLASH存儲器可以按字節(jié)寫入，也可以按字寫入。

　　// 字節(jié)寫入

　　void flash_write_int8（int8_t *ptr， int8_t value）

　　{

　　_DINT（）;

　　FCTL3 = 0x0A500; // Lock = 0 開鎖

　　FCTL1 = 0x0A540; // Write = 1使能寫入

　　*（（int8_t *） ptr） = value; // 寫入數(shù)據(jù)

　　}

　　// 字寫入

　　void flash_write_int16（int16_t *ptr， int16_t value）

　　{

　　_DINT（）;

　　FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

　　FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

　　*（（int16_t *） ptr） = value; /* Program the flash */

　　}

　　FLASH存儲器可以連續(xù)寫入

　　// 按字節(jié)寫入指定的數(shù)量的數(shù)據(jù)

　　void flash_memcpy（char *ptr， char *from， int len）

　　{

　　_DINT（）;

　　FCTL3 = 0x0A500; /* Lock = 0 */

　　FCTL1 = 0x0A540; /* Write = 1 */

　　while （len）

　　{

　　*ptr++ = *from++;

　　len--;

　　}

　　}

　　在我們的應(yīng)用程序中可以將要保存的數(shù)據(jù)放在一個自定義的結(jié)構(gòu)中，例如：

　　typedef struct Setup

　　{

　　float gain_ch0; // 0通道增益

　　float gain_ch1; // 1通道增益

　　float gain_ch2; // 2通道增益

　　…

　　char init_flag; //初始化標(biāo)記，恒為0xAA;

　　}SETUP;

　　我們定義了一個SETUP結(jié)構(gòu)，存放三個AD通道的增益，以及其他要掉電保存的信息，init_flag的作用是標(biāo)志FLASH的參數(shù)是否已被正確初始化，當(dāng)我們設(shè)置了FLASH參數(shù)后，將init_flag置一個固定值，例如設(shè)為0xAAh，在程序開始運(yùn)行時，檢查init_flag，當(dāng)init_flag的值為0xAAh時，表明參數(shù)已被初始化。

　　使用FLASH參數(shù)：在程序中定義一個SETUP類型的指針變量，通過這個指針訪問FLASH中的參數(shù)。例如：

　　#define SegmentA 0x1080

　　float temp;

　　SETUP *p_setup_flash = （SETUP *） SegmentA

　　if（p_setup_flash-》 init_flag == 0xAA）

　　{

　　temp = p_setup_flash-》gain_ch0;

　　}

　　修改FLASH信息：由于FLASH不能象RAM一樣直接修改，可以將FLASH信息拷貝到RAM中，修改相應(yīng)參數(shù)后，重新保存到FLASH存儲器中，之前要先擦除FLASH存儲區(qū)。例如：

　　SETUP *p_setup;

　　SETUP buf; // 臨時變量

　　p_setup = （SETUP *） SegmentA // 指向FLASH

　　memcpy（（char *） buf， （char *） p_setup_flash， sizeof（SETUP））; // 拷貝到RAM

　　p_setup = &buf; // 指向RAM

　　p_setup-》 gain_ch0 = 1.02; // 修改參數(shù)

　　flash_memcpy（（char *） p_setup_flash， （char *） buf， sizeof（SETUP））; // 拷貝到FLASH