微控制器的存儲架構可能很簡單（圖1）。但是，隨著應用開始朝便攜化、虛擬化和個性化方向發展，它們現在變得相當復雜。多核（multicore）、許多核（many core）和集群架構，它們同樣在一個設備中融合了各種存儲技術。高端微處理器將多個緩存級別與超多的互連和緩存一致方案整合在一起。

不久以前，高速緩存缺失還只能調用擴展到附近硬盤驅動器的事件鏈。而現在，這種效應已經擴展到固態磁盤（SDD）驅動器和硬盤驅動器，或者可能通過iSCSI將頁面提供給虛擬存儲系統從而延伸到云或局域網（LAN）。并且與應用程序相關的所有操作都以透明方式處理。

盡管如此，設計人員、開發人員、管理人員和用戶還需要考慮系統要使用的存儲器類型和數量及其配置方式。由于選擇方案多種多樣，他們現在所面臨的挑戰比過去更大。

圖1：現在，存儲層次結構的范圍相當廣泛。它甚至可以通過互聯網連接擴展到云領域。

DRAM發展動態

DRAM的容量越來越大，速度越來越高，價格也越來越便宜。DDR3雙列直插內存模塊（DIMM）目前的最高容量已經達到16GB，運行速率為533至800MHz，支持1066至1600 Mtransfers/s。標準DDR3的工作電壓為1.5V，但是最新的低功耗DDR3L的工作電壓為1.35 V，可以顯著降低功耗和減少發熱。

DIMM和小外形DIMM（SODIMM）是臺式電腦、服務器和筆記本電腦的標準配置，而嵌入式存儲要求同樣永無止境。BGA器件（比如Micron的DDR3芯片）因其外形尺寸而受到移動、工業和耐用型應用的青睞（圖2）。DDR3內存與處理器的堆疊式封裝匹配，在蘋果iPad等高端移動設備中非常普遍。

圖2：Micron公司的DDR3 BGA芯片非常適合用于嵌入式設計。

BGA封裝可以為耐用型應用提供內存，但是對耐用型存儲器的需求仍然沒有降溫。SFF-SIG的RS-DIMM平臺填補了這一空白（圖3）。該模塊的尺寸為67.5mm×38mm×7.36mm（長×寬×高），支持9芯片和18芯片設計。用于DDR3的Samtec連接器的引腳分布，類似于標準DIMM的引腳分布。該標準還規定了可選的SATA接口。

除了臺式電腦、筆記本電腦和服務器領域的其他內存替代市場外，DDR3已經占領了幾乎所有市場。不過，它確實還沒能取代嵌入式設計中的DDR2，在嵌入式設計中，兼容性和低速率較為普遍。芯片和系統設計人員所面臨的挑戰是，DDR3的低功耗、高容量和成本優勢非常明顯。此外，仍有大量的微控制器沒有DDR3的速度或存儲要求，而片上存儲器又不足以滿足要求。

GDDR5顯存基于DDR3。由于其設計規則與DDR3相似，因此有助于降低成本和簡化系統設計。與上一代相比，GDDR5的數據線路數有所增加。它現在主要用于高性能圖形和超級計算機環境。

到目前為止，各種DDR實現方案采用的都是單端信令技術。截至目前，設計必須遵從信令限制，但是隨著實現的速度越來越高，這種局面有可能發生變化。高速串行接口，比如PCI Express、USB 3.0、SATA和串行連接SCSI（SAS），采用的都是差分信令技術。DDR可能也會經歷這個階段。

Rambus公司的太比特倡儀（Terabit Initiative）是該公司針對用于新一代內存的差分信令系統所提出的倡儀。該公司正在展示為應對這種轉變而推出的20Gbps串并轉換器（SERDES）。

FlexMode設計定義了可處理DDR3、GDDR5及其新差分支持的接口，采用同一組引腳，由于差分對需要兩倍的線路，因此引腳的用途并不相同。

這種技術用控制/尋址（C/A）引腳換來了額外的差分數據引腳。C/A信號也是差分信號，這就進一步減少了實際的C/A信號量。該設計得以實現的原因在于C/A線路數據速率的提高。

串行端口內存技術（SPMT）聯盟正在采用另一種差分技術。其解決方案針對移動設備，采用低壓差分信令（LVDS）系統，這種系統像PCI Express一樣可以通過增加通道進行擴展。與PCI Express一樣，SPMT是一種自同步技術。20引腳的方案具有6GBps的帶寬。