下一季度開始，DDR3將開始面臨供給吃緊、推升價格走揚。

　　全球三大存儲器廠三星、SK海力士、美光全力搶攻高頻寬存儲器（HBM）、DDR5等兩大新市場，新產(chǎn)能均投入相關(guān)新品，無暇兼顧利基型應(yīng)用的DDR3規(guī)格DRAM市場，近期AI、網(wǎng)通需求竄升，DDR3出現(xiàn)供給吃緊，價格水漲船高，臺廠由華邦（2344）開出漲價第一槍，報價漲幅上看兩成。

　　法人看好，華邦大幅調(diào)漲DDR3報價，不僅有利華邦基本面走勢，鈺創(chuàng)、晶豪科等DRAM供應(yīng)商后續(xù)也有機(jī)會跟上這波漲勢，同步吃香。

　　業(yè)界人士分析，AI今年成為終端市場主流，引動HBM需求爆發(fā)，甚至出現(xiàn)供不應(yīng)求的態(tài)勢，由于價格相對高且利潤佳，三星、SK海力士、美光積極投入HBM的生產(chǎn)，主要產(chǎn)能并同步瞄準(zhǔn)最新的DDR5市場商機(jī)，對于相對舊規(guī)格的DDR4及DDR3等DRAM則選擇維持在減產(chǎn)前的產(chǎn)能，甚至逐步淡出DDR3市場。

　　全球三大存儲器廠無暇兼顧DDR3市場之際，隨著物聯(lián)網(wǎng)、網(wǎng)通及車用等大量終端市場仍在使用舊規(guī)格的DRR3或DDR4，但由于導(dǎo)入AI技術(shù)后，終端產(chǎn)品對DDR3亦有容量升級的需求，在需求大開、制造商產(chǎn)能供應(yīng)未增的情況下，DDR3市場自去年完成庫存去化后，今年第2季開始，DDR3傳出將開始面臨供給吃緊、推升價格走揚。

　　業(yè)界指出，三星、美光及SK海力士去年第4季及今年第1季已經(jīng)陸續(xù)喊漲DDR3，近期華邦則規(guī)劃在第2季調(diào)升DDR3規(guī)格DRAM，且一口氣要大漲兩成，成為中國臺灣第一家率先大規(guī)模漲價的存儲器芯片供應(yīng)商。

　　據(jù)了解，DDR3目前已經(jīng)是利基型存儲器，主要應(yīng)用在網(wǎng)通、物聯(lián)網(wǎng)或穿戴裝置等終端產(chǎn)品線，雖然目前DDR4需求正逐步崛起，但市面上仍以DDR3為主要應(yīng)用利基型存儲器，隨著終端市場近期掀起回溫，成為DDR3需求步入供給吃緊的另一大主因。

　　華邦總經(jīng)理陳沛銘先前指出，預(yù)估第2季或第3季的DDR3市場即會達(dá)到供需平衡或略微供不應(yīng)求的狀況，有助價格上漲趨勢，對以DDR3為營收主力的華邦營運有利。

　　華邦2022年已宣布將持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)DDR3產(chǎn)品線，且預(yù)期在未來十年繼續(xù)生產(chǎn)DDR3，涵蓋LPDDR3、1Gb至4Gb的DDR3等產(chǎn)品，并將其應(yīng)用在AI加速器、物聯(lián)網(wǎng)、汽車、電信、WiFi 6／6E及光纖等相關(guān)應(yīng)用。華邦目前在DRAM相關(guān)營收占比仍維持過半水準(zhǔn)，又以DDR3為大宗。

　　DDR3和DDR5分別有哪些特點

　　DDR3是目前最常見的內(nèi)存類型之一，它的傳輸速率在800 MHz至2133 MHz之間。DDR4相對于DDR3提高了傳輸速率和帶寬，最高可達(dá)3200 MHz，同時還可以實現(xiàn)更低的電壓和更低的功耗。而DDR5是目前最新的內(nèi)存類型，可以提供更高的傳輸速率和更高的帶寬，可以達(dá)到8400 MHz的傳輸速率，同時還支持更高的容量、更高的帶寬和更高的數(shù)據(jù)完整性。

　　DDR3是目前最常見的內(nèi)存類型之一，它的傳輸速率在800 MHz至2133 MHz之間。DDR5是最新的內(nèi)存類型，可以提供更高的傳輸速率和更高的帶寬，可以達(dá)到8400 MHz的傳輸速率。

　　再看DDR3和DDR5各自的特點：

　　DDR3

　　速度和帶寬提升：DDR3相對于DDR2在速度和帶寬方面有了顯著的提升。DDR3的內(nèi)部時鐘速度更高，數(shù)據(jù)傳輸速度更快，帶寬更大，因此可以提供更高的數(shù)據(jù)傳輸性能。

　　低功耗：DDR3的工作電壓較DDR2更低，通常為1.5V，這有助于減少電能消耗和熱量產(chǎn)生。低功耗也使得DDR3在移動設(shè)備和筆記本電腦等對電池壽命和散熱要求較高的場景中更具優(yōu)勢。

　　高容量支持：DDR3支持更大的內(nèi)存容量，可以提供更多的存儲空間。這對于需要處理大量數(shù)據(jù)的應(yīng)用程序和任務(wù)來說非常重要，如圖形處理、視頻編輯和虛擬化等。

　　高頻率和時序：DDR3內(nèi)存的頻率范圍通常從800MHz到2133MHz，可以根據(jù)需求選擇不同的頻率。此外，DDR3還引入了更嚴(yán)格的時序要求，以確保數(shù)據(jù)的穩(wěn)定和可靠傳輸。

　　向后兼容性：DDR3內(nèi)存插槽通常是不兼容DDR2或DDR的，但DDR3內(nèi)存模塊可以在DDR3兼容的主板上與較早的DDR2或DDR插槽一起使用。然而，需要注意的是，內(nèi)存模塊將以較低的速度和時序運行，以適應(yīng)較低的標(biāo)準(zhǔn)。

　　DDR5

　　DDR5內(nèi)存相對于DDR4有更高的內(nèi)部時鐘速度和數(shù)據(jù)傳輸速率，從而提供更高的帶寬。DDR5的傳輸速率可以達(dá)到6400MT/s以上，比DDR4的最高傳輸速率提高了一倍以上。

　　更高的密度和容量支持：DDR5內(nèi)存相對于DDR4可以支持更大的內(nèi)存容量和更高的密度。DDR5內(nèi)存模塊的單個芯片容量更大，同時支持更多的通道和更多的插槽配置，可以提供更大的存儲空間。

　　更低的功耗：DDR5內(nèi)存相對于DDR4具有更低的工作電壓和更高的能效。DDR5的工作電壓通常為1.1V，比DDR4的1.2V低一些。低功耗的特點有助于減少能源消耗，并且產(chǎn)生較少的熱量。

　　更嚴(yán)格的時序控制：DDR5引入了更嚴(yán)格的時序控制，以確保數(shù)據(jù)的穩(wěn)定和可靠傳輸。通過更精細(xì)的時序控制，DDR5可以提供更高的性能和更好的信號完整性。

　　改進(jìn)的錯誤修復(fù)和可靠性：DDR5引入了新的錯誤修復(fù)和可靠性功能，包括行級錯誤修復(fù)（RAS）和列級錯誤修復(fù)（CAS）。這些功能可以提供更好的數(shù)據(jù)完整性和可靠性，減少因內(nèi)存錯誤導(dǎo)致的系統(tǒng)崩潰和數(shù)據(jù)損壞的風(fēng)險。

　　審核編輯：黃飛