首先講述的是基本原理，因為前面總結了很多基本原理，所以這個位置比較粗略的帶過。

1、基本原理

從圖上可以看出，Vt為開啟電壓，對于N溝道的cmos，當門極加的電壓逐漸變大的時候，多數載流子被門極所吸引，向上移動，形成N型溝道，N型半導體即被導通，有導通電流。開始有導通電流的門極所加的電壓我們稱為開啟電壓，隨著開啟電壓的增大，電流逐漸增大。這就是cmos管的基本原理。

從cmos管過渡到nandflash：

和cmos不同的是，在門極附近加了浮柵，浮柵的兩邊是氧化層。

當寫的時候，加入足夠大的門極電壓，就可以通過氧化層的隧穿效應，將電子打入到浮柵中完成寫0的過程；

當擦除的時候，就加反向電壓同樣利用隧穿效應讓電子從氧化層出來，就可以完成擦除功能。

當讀的時候，由于浮柵里面有電子，會有反向電場，這個時候會導致開啟電壓增大，讀的時候就是靠這個特性，給門極加大于開啟的電壓的電壓值，則溝道導通，會有導通電流，通過導通電流即可分析是否是0。

從這個圖可以看出，以mlc為例，怎么讀出mlc的數據呢，同樣是按照之前的探測電壓的方式，通過步進的探測電壓，探測三個閾值，如果探測電壓下有電流檢測到，則表示是什么樣的數據值，這就是cell多bit的讀操作原理。

三種方式的讀寫擦以及PE的比較：

從這個圖可以看出，tlc主要是寫很慢，但是存儲密度大；slc讀寫速度慢，但是密度小。

字線和位線的原理，之前已經有講述，這里不再多講了。

從和這個圖上看到，nandflash最壞的一點就是異地更新（out-of-placeupdate）

什么叫做異地更新呢？？

就是當我們要對某個page的數據進行更新的時候，我們不能直接像這個page寫，因為這個page不是空白頁，已經被寫了，這個時候我們只能將這個page復制到其他空白頁，然后在測試這個block，然后在寫入，十分的不方便，就是因為有數據更新寫的時候要進行異地復制，擦除，再寫。
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