閃存體系結構包括堆疊有大量閃存單元的存儲陣列。基本的閃存單元由具有控制柵和浮柵的存儲晶體管組成，浮柵通過薄介電材料或氧化物層與晶體管的其余部分絕緣。浮柵存儲電荷并控制電流。

　　電子被添加到浮動柵極或從浮動柵極移除，以改變存儲晶體管的閾值電壓。改變電壓會影響將單元編程為零還是一。

　　閃存單元由具有控制柵極和浮置柵極的存儲晶體管組成。

　　一種稱為Fowler-Nordheim隧穿的過程會將電子從浮柵中去除。Fowler-Nordheim隧穿或稱為溝道熱電子注入的現象都會將電子捕獲在浮柵中。

　　使用Fowler-Nordheim隧道技術，數據會通過控制門上的強負電荷擦除。這迫使電子進入存在強正電荷的通道。

　　當使用Fowler-Nordheim隧道將電子捕獲在浮柵中時，情況會相反。電子在存在高電場的情況下設法穿過薄的氧化物層到達浮柵，在單元的源極和漏極上帶有強負電荷，而在控制柵極上帶有強正電荷。

　　一種稱為Fowler-Nordheim隧穿的過程會將電子從浮柵中去除。

　　溝道熱電子注入（也稱為熱載流子注入）使電子能夠突破柵氧化層并改變浮柵的閾值電壓。當電子從通道中的高電流以及控制柵極上的吸引電荷中獲取足夠量的能量時，就會發生這種突破。

　　溝道熱電子注入使電子能夠穿透柵氧化層并改變浮柵的閾值電壓。

　　不管包含閃存單元的器件是否由于氧化物層產生的電隔離而正在接收電力，電子都會被捕獲在浮柵中。此特性使閃存可以提供持久存儲。