逆向設計傳統上被稱為“自底向上”的設計方法，也稱為反向設計。“反向設計”的提法似乎讓人很容易與侵犯別人知識產權產生聯系，實際上逆向設計與正向設計一樣，只是IC設計的一種技術手段，通過逆向設計獲取別人先進的設計思想用于自己的芯片設計中，并不能說侵犯知識產權。特別是對于初學IC設計的人員，通過學習和研究比較成熟的電路版圖，可以迅速增加相關電路設計經驗，更快熟悉整個IC設計流程和完善IC設計知識體系。

目前中國的IC設計業還處在學習模仿國外的階段，早在幾年前中國的IC設計企業往往是完全復制國外的芯片。最近幾年，隨著人們對知識產權意識的提高，都能夠采取正確的方式來對待逆向設計，即利用逆向設計來設計自己的芯片。逆向設計流程與正向設計正好相反，從流程上來講，首先要去掉芯片的封裝，然后對芯片進行層層剝離，對剝離出來的芯片進行拍照和分析。隨著芯片復雜度的提高，簡單的拍照已經不能對芯片進行有效的分析，芯愿景公司推出了Chiplogic軟件，其它逆向設計公司也推出了自己的逆向軟件，利用軟件方來實現對芯片的分析，大大提高了分析的效率。

逆向設計非常適合模擬芯片設計，如ADC、DAC、鎖相環等模擬電路，因為模擬電路的設計往往靠經驗。此外，對于10萬門以下的數字電路也適合，對于混合信號電路來講，可以適合模擬部分的反向設計服務。在時間方面，普通的逆向設計往往需要3-5個月，而小于10萬門的數字電路逆向設計一般需要2-3個月。

逆向設計最重要的是要與正向設計進行無縫的銜接，因此，在設計過程中，除了大部分采用逆向提取軟件外，還要采用EDA廠商的軟件進行布局、驗證（例如Cadence）。目前在國內，除了芯愿景公司，上海的圣景公司、***宜碩也提供逆向設計服務；國際上著名的逆向設計企業主要有Chipworks和Semiconducto Insights（SI）公司。逆向設計公司都能提供完整的解剖和電路提取服務，最欠缺的是對電路的深入分析，這就需要設計者來完成相關工作。

逆向設計流程

◆ 腐蝕

－塑料封裝外殼的腐蝕，可看到第一層金屬層

一般采用98%的硫酸加熱蒸煮 ，根據不同塑封料可能會用到濃硝酸。

－金屬鋁層的腐蝕，可看到多晶和有源區

采用熱磷酸

－有多層金屬時，去除一層金屬后需要用氫氟酸去二氧化硅

－去多晶硅，染色看顯現 P阱和N阱

－其它細節處理，縱向結構解剖（SEM掃描電鏡/TEM透射電鏡或摻雜濃度曲線測試，一般需要IC解剖不作，都是標準工藝，分立器件一般需要做）

◆ 照相拼圖

－每腐蝕一層，分區域照相

－每一層金屬拼合圖，每一層多晶拼合圖，有源區拼合圖

－利用chiplogic軟件或其它逆向公司提供的軟件組件把拼合圖處理成軟件可識別的圖像文件

－圖片均是按比例處理，可用軟件直接測試MOS長寬比及最小線寬等

－處理后的圖片組在軟件中可同時看到多層圖像，這是手工提圖難以做到的

－一般的帶CCD顯微鏡是不能用來芯片照相拼圖 ，需要專門顯微鏡設備

◆ 標注分塊

－標注各引腳功能

－從芯片引腳出發，把芯片各功能區在全版圖上大致區分出來

－一般最先標注電源和地線，能提高后面分析效率

◆ 提取、整理電路

－數字電路需要歸并同類圖形，例如與非門、或非門、觸發器等，同樣的圖形不要分析多次

－提出的電路用電路繪制軟件繪出（ViewWork、Laker、Cadence等），按照易于理解的電路布置，使其他人員也能看出你提取電路的功能

－提取電路的速度完全由提圖人員經驗水平確定

－Chiplogic軟件是按照版圖的位置把各組件連接起來，如果不整理電路是看不出各模塊的連接及功能的，所以完全靠軟件是不能完成電路功能塊劃分和分析

◆ 分析電路

－提取出的電路整理成電路圖，并輸入幾何參數（MOS為寬長比）

－通過你的分析，電路功能明確，電路連接無誤

◆ 仿真驗證，電路調整

－對電路進行功能仿真驗證

－模擬電路一般采用Hspice、Cadence等工具，小規模數字電路采用Cadence，Hsim等工具

－根據新的工藝調整電路

－調整后進行驗證

◆ 版圖繪制驗證及后仿真

－根據新的工藝文件繪制版圖

－版圖DRC、LVS，寄生參數提取（Dracula，Assura，Calibre等工具）

－提取的網表作仿真驗證，并與前仿結果對比

－版圖導出GDS文件，Tape out

◆ IC后端設計流程圖