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電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>測試/封裝>全新SMT封裝的控制器HMC677G32

全新SMT封裝的控制器HMC677G32

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2022-04-19 09:36:011723

HMC920 活動比亞控制器數據表 HMC920 活動比亞控制器數據表

電子發燒友網為你提供ADI(ADI)HMC920 活動比亞控制器數據表相關產品參數、數據手冊,更有HMC920 活動比亞控制器數據表的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料,HMC920 活動
2023-10-07 17:50:48

HMC981LP3E 活動比亞控制器數據表 ADI

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2023-10-11 18:51:02

HMC480 InGaP HBT增益模塊放大器,采用SMT封裝,DC-5GHz技術手冊

HMC480ST89(E)是一款InGaP HBT增益模塊MMIC SMT放大器,在DC至5 GHz的頻率下工作,采用行業標準SOT89封裝。 該放大器能夠用作可級聯50 Ohm RF/IF增益級
2025-03-20 13:54:33774

HMC517LC4低噪聲放大器,采用SMT封裝,17-26GHz技術手冊

HMC517LC4是一款高動態范圍GaAs PHEMT MMIC低噪聲放大器(LNA)芯片,采用符合RoHS標準的無引腳無鉛SMT封裝HMC517LC4提供19 dB小信號增益、2.5 dB
2025-03-20 14:11:22841

HMC920LP5E有源偏置控制器,采用SMT封裝技術手冊

HMC920LP5E是一款有源偏置控制器,可生成調節漏極電壓并主動調節外部放大器的柵極電壓,實現恒定偏置電流。 該器件可用來偏置任何工作在A類的增強型和耗盡型放大器,漏極電壓(VDRAIN)范圍為3V至15V,漏極電流(IDRAIN)最高500mA,提供完整的偏置解決方案。
2025-03-21 15:26:49829

HMC977 I/Q下變頻,采用SMT封裝,20-28GHz技術手冊

HMC977是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件提供14 dB的小信號轉換增益、2.7 dB的噪聲系數和21 dBc的鏡像抑制性能
2025-03-26 10:44:04990

HMC951BLP4E I/Q下變頻,采用SMT封裝,5.6-8.6技術手冊

HMC951B是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件在整個頻段范圍內提供13 dB的小信號轉換增益、2 dB的噪聲系數和24 dB的鏡像抑制
2025-03-28 10:33:37780

HMC264LC3B 次諧波混頻,采用SMT封裝技術手冊

HMC264LC3B是一款集成LO放大器的21 - 31 GHz次諧波(x2) MMIC混頻,采用無引腳“無鉛”SMT封裝。 在30 dB時,2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO放大器
2025-04-01 14:38:20743

HMC264LM3次諧波混頻,采用SMT封裝技術手冊

HMC264LM3是一款集成LO放大器的20 - 30 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻,采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在25至35 dB時,2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波。 LO
2025-04-01 14:43:12786

HMC265LM3次諧波混頻,采用SMT封裝技術手冊

HMC265LM3是一款集成LO和IF放大器的20 - 31 GHz表貼次諧波(x2) MMIC混頻下變頻,采用SMT無引腳芯片載體封裝。 在28至47 dB時,2LO至RF和IF隔離性能出色
2025-04-01 14:52:50704

HMC338LC3B次諧波混頻,采用SMT封裝技術手冊

HMC338LC3B是一款集成LO放大器的24 - 34 GHz次諧波(x2) MMIC混頻,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 在30 dB時,2LO至RF隔離性能出色,無需額外濾波
2025-04-02 09:17:36713

HMC570LC5 I/Q接收機,采用SMT封裝技術手冊

HMC570LC5是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件在整個頻段范圍內提供10 dB的小信號轉換增益、3 dB的噪聲系數和18 dB的鏡像
2025-04-02 09:45:14729

HMC572LC5 I/Q接收機,采用SMT封裝技術手冊

HMC572LC5是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件在整個頻段范圍內提供8 dB的小信號轉換增益、3.5 dB的噪聲系數和18 dB的鏡像抑制性能。 HMC572LC5采用LNA,后接由x2有源倍頻驅動的鏡像抑制混頻
2025-04-02 09:59:55919

HMC967LP4E I/Q下變頻,采用SMT封裝技術手冊

HMC967LP4E是一款緊湊型GaAs MMIC I/Q下變頻,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 該器件提供15 dB的小信號轉換增益、2.5 dB的噪聲系數,并在頻段范圍內提供25
2025-04-02 16:10:21842

HMC648ALP6E 6位數字移相器芯片,采用SMT封裝技術手冊

1.2度,且在所有相位狀態下插入損耗變化極小,不超過±0.5 dB。這款高精度移相器由正邏輯0/+5V控制HMC648ALP6E采用6×6毫米緊湊型小外形晶體管(SMT封裝,內部已匹配至50歐姆,無需外部組件。
2025-04-09 09:48:551124

HMC642A/HMC642LC5 6位數字移相器芯片和采用SMT封裝技術手冊

及±0.25 dB至±0.4 dB的極低插入損耗變化。 此款高精度移相器通過0/5 V的正控制邏輯控制HMC642A采用緊湊型5 mm x 5 mm無引腳SMT陶瓷封裝,內部匹配50 Ω,無需任何外部元件。
2025-04-09 11:29:441175

HMC573LC3B x2有源倍頻,采用SMT封裝技術手冊

HMC573LC3B是一款x2有源寬帶倍頻,使用GaAs PHEMT技術,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號驅動時,該倍頻提供+12 dBm的典型輸出功率,在8至22
2025-04-18 11:13:24749

HMC577LC4B x2有源倍頻,采用SMT封裝技術手冊

HMC577LC4B是一款x2有源寬帶倍頻,使用GaAs PHEMT技術,采用符合RoHS標準的無引腳SMT封裝。 由+5 dBm信號驅動時,該倍頻提供+20 dBm的典型輸出功率,在27至31 GHz的頻率下工作。 在29 GHz頻率下的Fo和3Fo隔離為>55 dBc。
2025-04-18 11:40:42770

HMC973ALP3E電壓可變衰減,采用SMT封裝,0.5-6.0GHz技術手冊

HMC973A是一款吸收式電壓可變衰減(VVA),工作頻率范圍為0.5至6 GHz,非常適合必須利用模擬DC控制信號來控制超過26 dB幅度范圍的RF信號電平的設計。 它集成一個分流型衰減,由
2025-04-24 09:36:41767

HMC759LP3E 0.25dB LSB 7位數字衰減,采用SMT封裝,10-300MHz技術手冊

HMC759LP3E是一款7位BiCMOS數字衰減,采用低成本無引腳SMT封裝。 這款多功能數字衰減采用針對接近直流操作的片外交流接地電容,適合各種RF和IF應用。 控制接口兼容CMOS/TTL
2025-04-24 16:35:45698

HMC586LC4B采用SMT封裝的寬帶VCO,帶有緩沖放大器技術手冊

HMC586LC4B是一款寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩,集成了諧振、負電阻器件、變容二極管。 由于振蕩的單芯片結構,其輸出功率和相位噪聲性能在不同的溫度下始終非常出色。 Vtune端口
2025-04-30 11:34:18825

HMC587LC4B采用SMT封裝的寬帶VCO,帶有緩沖放大器技術手冊

HMC587LC4B是一款寬帶GaAs InGaP電壓控制振蕩,集成了諧振、負電阻器件、變容二極管。 由于振蕩的單芯片結構,其輸出功率和相位噪聲性能在不同的溫度下始終非常出色。 Vtune端口
2025-04-30 11:43:13750

HMC920LP5E:高性能有源偏置控制器的深度解析

HMC920LP5E:高性能有源偏置控制器的深度解析 在電子工程師的日常工作中,為射頻放大器提供穩定、可靠的偏置解決方案是一項關鍵任務。今天,我們就來深入探討一款在這方面表現卓越的產品
2026-01-04 17:00:11209

深度解析HMC981有源偏置控制器:特性、應用與設計要點

深度解析HMC981有源偏置控制器:特性、應用與設計要點 在射頻和微波電路設計領域,偏置控制器對于確保放大器穩定、可靠運行起著關鍵作用。今天,我們將深入探討Analog Devices公司
2026-01-05 10:40:2153

HMC981LP3E有源偏置控制器:特性、應用與設計要點

HMC981LP3E有源偏置控制器:特性、應用與設計要點 在電子工程師的日常設計中,偏置控制器的選擇和應用至關重要。今天我們就來深入探討一下Analog Devices公司的HMC981LP3E有源
2026-01-05 10:50:0643

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