去年12月，三安光電一筆333億未來五年投資的系列項目引發行業關注，該筆投資具體投向高端氮化鎵LED襯底、外延、芯片的研發與制造產業化項目；高端砷化鎵LED外延、芯片的研發與制造產業化項目； 大功率氮化鎵激光器的研發與制造產業化項目；光通訊器件的研發與制造產業化項目；射頻、濾波器的研發與制造產業化項目；功率型半導體（電力電子）的研發與制造產業化項目；特種襯底材料研發與制造、特種封裝產品應用研發與制造產業化項目。 這意味著三安光電在繼續鞏固LED龍頭地位的同時，也在強化化合物半導體領軍企業的優勢，同時多元化布局5G、物聯網等領域，意圖打開新的市場空間。

LED進一步鞏固優勢

在LED領域，三安光電經過多年的默默耕耘，如今已成為全球收入規模和盈利水平較高的LED芯片企業之一。

目前來看，LED產業雖然前景可期，但競爭卻也愈發激烈，在此背景下，企業能否盈利主要取決于自身技術進步及規模優勢，同時半導體行業技術含量也決定了成本的高低，只有通過技術優勢來平衡化解價格風險。

業內分析人士指出，由于LED行業屬于國家重點發展的戰略新興產業之一，受國家產業政策的推動及LED產品日益普及帶來巨大需求的影響，現有LED企業產業集中度在不斷提升。此次三安333億投資的投資，包括LED芯片的擴產，這也有利于提升三安光電市場占有率，進一步鞏固三安光電在行業中的龍頭地位。

對此，三安光電表示，要保持LED業務上的領先優勢，只能始終堅持自主創新、技術立企的發展戰略，研發和科技成果轉化并重，努力推進產業化發展步伐，不斷加大企業研發投入，大力發展具有自主知識產權的核心技術，不斷增強企業核心競爭力。

目前，三安光電擁有的MOCVD設備及產能規模居國內首位，產品性能指標居國際先進水平，市場占有率居全國之首。國家集成電路產業投資基金股份有限公司為三安光電第二大股東，是三安光電重要的戰略投資者。

集成電路整裝待發

隨著“十三五”計劃的深入實施，國家在半導體產業，特別是集成電路產業的布局將進一步加強，扶持的力度將進一步加大，在國家產業政策的支持以及自身戰略規劃發展的需要下，三安光電于2014年成立了廈門市三安集成電路有限公司（簡稱三安集成）。新建了中國首家具備規模化研發、生產微波射頻、電力電子及6吋化合物半導體砷化鎵和氮化鎵外延、芯片生產線。

據集微網記者了解，三安集成業務涵蓋前端射頻、電力電子及光通訊等通訊微電子領域芯片的研發、代工及服務，是國家集成電路大基金重點支持的化合物集成電路芯片制造企業，也是國內首家面向射頻、高功率商用的化合物半導體制造廠商。

目前，芯片制造現有6吋砷化鎵高速半導體芯片代工線1條，4、6吋兼容氮化鎵、碳化硅高功率半導體芯片代工線1條，當前員工總數500多人，其技術團隊主要成員來自于海內外各知名***。三安集成代工的產品主要為微波、功率、光通訊芯片及射頻濾波器等，應用在智能手機、11ac WiFi、GPS、基站等無線通訊領域。

積極卡位5G、物聯網

如果說LED芯片是目前三安發展的主要支撐力量，那么化合物半導體則將為三安的長遠發展帶來驅動力。而隨著5G、物聯網時代的到來，更為三安的發展提供了廣闊的市場空間。

2015年，三安光電在國家半導體產業基金的支持下切入在化合物半導體領域，戰略布局GaAs/GaN化合物半導體。目前部分產品已獲得客戶認證通過，并且有少量出貨，尚有部分產品在驗證階段，成為國內在化合物半導體方面最領先的企業。

隨著5G 通信技術的到來，以及人臉識別，無人駕駛等應用的普及，基于化合物半導體的通信用功率放大器（PA），以及3D感測用激光器（VCSEL）面臨結構性增長機遇。

如今三安正在積極卡位5G、物聯網等通訊射頻市場，在日本成立子公司，利用當地優勢資源，從事濾波器方向的研發工作；同時在美國成立研發中心，積極布局光通訊用光電探測器芯片，具備從外延到芯片研發生產能力，未來有望在5G領域獲得更多話語權。

吸附效應明顯助推產業集聚