（SiC）MOSFET產品系列，成為該公司不斷擴充的功率半導體產品組合中的最新系列。 Littelfuse在3月份投資享有盛譽的碳化硅技術開發公司Monolith Semiconductor Inc.，向
2017-10-17 17:07:18
9636 碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、飽和電子漂移速度高、熱導率大、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩定性良好等特點，被認為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導體材料
2020-09-24 16:22:14
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
充電器、電機和太陽能逆變器，不僅可以從這些新器件中受益匪淺，不僅在效率上，而且在尺寸上，可實現高功率、高溫操作。但是，不僅器件的特性讓人對新設計充滿好奇，也是意法半導體的戰略。碳化硅（SiC）技術是意
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更小、更輕，所以電池充電的續航里程更長。 碳化硅技術仍在不斷發展，有望獲得更好的性能。在下一代中，導通電阻將隨著開關損耗進一步下降，額定電壓將增加，片芯將進一步縮小，產量提高，從而降低成本。更多的變型
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高達1400℃的溫度下，仍能保持其強度。這種材料的明顯特點在于導熱和電氣半導體的導電性極高。碳化硅化學和物理穩定性，碳化硅的硬度和耐腐蝕性均較高。是陶瓷材料中高溫強度好的材料
2021-01-12 11:48:45
精細化，集成化方向發展。 在新技術驅動下，汽車電子行業迎來新一輪技術革命，行業整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下，車用電路板也會向上成長。車用電路板穩定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅基板從業者
2020-12-16 11:31:13
。 碳化硅近幾年的快速發展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產業的發展，作為光伏產業用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業內人開始關注起碳化硅這個行業了。目前碳化硅制備技術非常
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅肖特基二極管主要特點及產品系列 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術參數如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產品列表見下：原作者：基本半導體
2023-02-28 16:55:45
流增大。 碳化硅肖特基二極管的溫度特性與硅快速恢復二極管不同，當溫度升高時導通阻抗會增加，VF值也上升，這樣器件發熱不易發生熱失控，更適合并聯使用。 同等溫度條件下，IF=10A時碳化硅與硅二極管正向
2023-02-28 16:34:16
二十世紀五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代，碳化硅技術才真正意義上得到了迅速發展。SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
通損耗一直是功率半導體行業的不懈追求。 相較于傳統的硅MOSFET和硅IGBT 產品，基于寬禁帶碳化硅材料設計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導通電阻低，開關損耗小的特點，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
，獲得華大半導體有限公司投資，創能動力致力于開發以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現相比硅元器件更高的工作溫度，實現雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:22 編輯
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術：
1 車載電源OBC與最新發展
2 雙向OBC關鍵技術
3 11kW全
2022-06-20 16:31:07
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
點左面時，變換器工作在低于諧振頻率的升壓狀態，輸出二極管實現零電流ZCS關斷，碳化硅MOSFET關斷瞬間主要存在勵磁電流的較小關斷損耗。但其主要缺陷原邊勵磁電流有效值增加，從而在原邊產生環流損耗，此
2016-08-05 14:32:43
對于高壓開關電源應用，碳化硅或SiC MOSFET帶來比傳統硅MOSFET和IGBT明顯的優勢。在這里我們看看在設計高性能門極驅動電路時使用SiC MOSFET的好處。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
可有效減小功率回路寄生電感參數，減小開關過程中的震蕩、過沖現象。但目前瓷片電容不耐高溫，所以并不適宜于碳化硅的高溫工作情況。驅動集成技術也逐漸引起了人們的重視，三菱、英飛凌等公司均提出了 SiC 智能
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系統可靠性大大增強，穩定的超快速本體二極管，因此無需外部續流二極管。三、碳化硅半導體廠商SiC電力電子器件的產業化主要以德國英飛凌、美國Cree公司、GE、ST意法半導體體和日本羅姆公司、豐田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
使用絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。但隨著半導體技術的進步，碳化硅 （SiC） 金屬氧化物半導體場效應晶體管 （MOSFET） 能夠以比 IGBT 更高的頻率進行開關，通過降低電阻和開關損耗來提高效率
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知識
碳化硅又稱金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491558 Littelfuse公司是全球電路保護領域的領先企業，日前宣布作為公司強力進軍工業和汽車用功率半導體元件市場戰略的一項舉措，Littelfuse對碳化硅技術研發領域的初創公司Monolith
2015-12-22 11:04:2211058 非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 目前中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm2。 人類1905年 第一次在隕
2018-01-03 09:48:4821689 該產品旨在超越硅MOSFET和IGBT的性能，在電源轉換系統中實現超快切換 全球電路保護領域的領先企業Littelfuse, Inc.與從事碳化硅技術開發的德州公司Monolith
2018-03-18 09:19:004275 全球電路保護領域的領先企業Littelfuse， Inc.與從事碳化硅技術開發的德州公司Monolith Semiconductor Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅（SiC） n通道增強型
2018-03-19 09:55:276573 的重要補充，也是Littelfuse公司已發布的1200V碳化硅MOSFET和肖特基二極管的強有力補充。最終用戶將受益于更加緊湊節能的系統以及潛在更低的總體擁有成本。
2018-10-23 11:34:376278 支持電動和混合動力汽車、數據中心和輔助電源等高頻、高效電源控制應用 Littelfuse公司，今日宣布推出其首款1700V碳化硅MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充了其碳化硅MOSFET器件組合。
2018-11-03 11:02:415483 碳化硅概念股有哪些？碳化硅國內企業有哪些？國內碳化硅產業鏈企業盤點分析：英飛凌以1.39億美元收購初創企業Siltectra，獲得后者創新技術ColdSpilt以用于碳化硅晶圓的切割上，進一步加碼
2018-12-06 16:08:00140328 Cree， Inc. （Nasdaq： CREE）宣布，作為公司長期增長戰略的一部分，將投資10億美元用于擴大SiC（碳化硅）產能，在公司美國總部北卡羅萊納州達勒姆市建造一座采用最先進技術的自動化
2019-05-14 10:24:444139 隨著汽車電子、工控等應用領域蓬勃發展，市場對碳化硅（SiC）的需求持續增長，國內外碳化硅企業陸續擴產，日前碳化硅大廠Cree（科銳）也宣布將投資10億美元擴大碳化硅產能。
2019-05-08 16:40:054715 前言 碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521 基本半導體是國內比較早涉及第三代半導體碳化硅功率器件研發的企業，率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件，為業界熟知，并得到廣泛應用。在11月27日舉行的2021基本創新日活動中
2021-11-29 14:54:089429 
億美元的新工廠。隨著新能源汽車的加速滲透，碳化硅技術的重要性愈發凸顯。安森美、Wolfspeed、意法半導體等碳化硅領域主導企業，均發表了對行業發展的積極展望，并計劃投資擴大產能。碳化硅大廠間的新一輪卡位之戰正在展開。 激進的擴產步伐 作為碳化
2022-10-08 17:02:251660 前言：碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135 、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:023904 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:001067 特斯拉碳化硅技術怎么樣？特斯拉碳化硅技術成熟嗎？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優點，碳化硅技術能夠幫助電動汽車實現快速充電，增加續航；這個特性使得眾多的車企把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:093880 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:355708 電機碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制作電機的技術，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導率、高電阻率、低摩擦系數等，來提高電機的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:007613 我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末經過碳化硅單晶生長成為碳化硅晶錠；碳化硅晶錠
2023-02-21 10:04:113177 
碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛，本期為番外篇，前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游，本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場，以及未來的發展趨勢，感謝各位
2023-05-31 09:43:201105 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612 緯湃科技首席執行官Andreas Wolf說：“高能效碳化硅功率半導體正處于需求量激增的起步階段。因此我們必須與安森美一起打造完整的碳化硅價值鏈。通過這項投資，我們在未來十年甚至更長時間內都能確保該項關鍵技術的供應。”
2023-06-06 15:03:471531 
發布公告稱全資子公司湖南三安半導體有限責任公司與意法半導體（中國）投資有限公司擬在重慶共同設立一家專門從事碳化硅外延、芯片生產的合資代工公司，湖南三安持股51%，意法半導體持股49%，合資公司由湖南三安控股，預計投入總金額32億美元（約合
2023-06-08 19:33:051848 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:561715 
6.1.2n型區的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》第６章
2022-01-06 09:17:331568 碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度，但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:453687 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優良電氣特性，突破硅基半導體材料物理限制，是第三代半導體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領域的發展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 在碳化硅產業鏈中，碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節，是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。
碳化硅襯底的生產流程包括長晶、切片、研磨和拋光四個環節。
2023-10-27 09:35:573651 碳化硅，又稱SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多，但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:233791 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646 
總部位于英國蘇格蘭的碳化硅（SiC）晶圓制造公司Clas-SiC，正積極尋求與多家企業合作，在印度建立一座或多座碳化硅功率半導體晶圓廠。這一舉措不僅彰顯了Clas-SiC在碳化硅技術領域的領先地位，也反映了該公司對印度市場的深度布局和長期投資信心。
2024-06-13 09:44:491354 多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而受到關注。
2025-02-05 13:49:121953 
器件設計公司正在加速被市場拋棄：碳化硅功率器件設計公司出現倒閉潮，這是是市場集中化的必然結果。結合英飛凌、安森美等企業的業務動態，可從以下維度分析這一趨勢： 1. 技術壁壘與產能競賽：頭部企業構建護城河 技術門檻高企 ：碳化硅
2025-02-24 14:04:38933 
結合國產碳化硅功率半導體市場的競爭格局和技術發展趨勢，SiC碳化硅二極管公司已經成為國產碳化硅功率器件行業出清的首批對象，比如2024已經有超過兩家SiC碳化硅二極管公司破產清算，僅有碳化硅二極管
2025-02-28 10:34:31753 隨著全球對綠色能源和高效能電子設備的需求不斷增加，寬禁帶半導體材料逐漸進入了人們的視野。其中，碳化硅（SiC）因其出色的性能而受到廣泛關注。碳化硅功率器件在電力電子、可再生能源以及電動汽車等領域的應用不斷拓展，成為現代電子技術的重要組成部分。本文將詳細探討碳化硅功率器件的特點及其應用現狀。
2025-04-21 17:55:031082 )、數據中心和電網基礎設施日益增長的需求。相比傳統的硅器件，碳化硅技術更具優勢，尤其是在功率轉換效率和熱敏感性方面。碳化硅對電子、電力行業的整體影響可帶來更強的盈利能力和可持續性。 來自兩家行業領先半導體
2025-10-02 17:25:001521
電子發燒友App
工商網監
評論