我國最近在舉國家之力發(fā)展存儲器，在這一關鍵節(jié)點，反觀和學習三星存儲器的成功之道是十分必要而現實的。

三星電子在存儲器方面的成功，有外在因素如韓國政府的大力支持，以及美國對于日本半導體的反傾銷策略等，但顯然三星電子的內在因素起著決定性的作用。尤其是三星電子有一股氣勢，一定要成功超過日本，上下齊心合力，人的因素起了關鍵作用。

眾所周知，DRAM的制造決定于成品率與產品成本，所以工藝生產線上每一步操作的成品率起著十分重要的作用。再加上三星的正確策略，在美國設立研發(fā)中心，采用與韓國制造同樣的設備，以及用高薪聘請在美做存儲器的韓國工程師，并在美國培訓人才后，再回到韓國工作。另外在全球存儲器周期性下降時，它采用反周期的加大投資策略，積極擴充產能等。

內在與外在的因素綜合在一起，推動了三星電子的存儲器業(yè)成功。同樣分析天時、地利與人和，在中國似乎都具備了條件，好象僅是某些地方差了一點點。因此未來中國在突破艱難的存儲器制造業(yè)中必須十分清醒，僅擁有大市場與足夠的投資還不一定能獲得成功，需要人才的配合，并要有一股氣勢與勇氣，以及技術上的真正過硬。

三星半導體業(yè)起步

韓國半導體在1974年才開始起步，那時韓國正在推行一種叫”新社會運動”的活動。韓國半導體工業(yè)的第一個fab為韓國半導體Puchon廠，建于1974年10月。由于開張就面臨財務危機，在同年12月僅生存三個月后，就被李健熙（LeeKunhe）主席的私人投資兼并，后被并入三星。

自1980年代之后，韓國半導體業(yè)才開始跨越式的進步，三星在1983年開始籌備集成電路制造也即DRAM的研發(fā)。

64K DRAM的研發(fā)成功對于韓國半導體業(yè)具有里程碑意義，也是邁向全球存儲器強國的第一步。在那時三星電子的科研工作者，日以繼夜，努力追趕，放棄一切節(jié)假日休息，靠的是一股精神及志氣。

在64K DRAM研發(fā)中，韓國非常清楚自己與先進國家之間的技術（1．5微米）差距為4年半，需要一步一步地追趕。在256K DRAM（1．2微米）時，這一差距已縮短為3年。在1989年10月，三星已經成功開發(fā)出16M DRAM（采用0．25微米技術），它已領先于全球任何一家制造商。

也即三星電子從1983年開發(fā)存儲器，到1989年的16M DRAM研發(fā)成功，僅利用6年的時間，就前進了5代DRAM的技術，使三星電子一躍成為全球最先進的存儲器制造商。

三星電子從1983年開始DRAM的研發(fā)，1987年就實現第一次盈利，一直到1993年16M DRAM的量產，奠定了它在全球存儲器霸主的地位。

它最為關鍵的決策是三星在1993年時就大膽投資興建8英寸硅片生產線來生產DRAM。在當時全球6英寸硅片是主流地位，英特爾與臺積電分別于1992年及1996年才興建它們的第一條8英寸生產線。因為當時投資一條8英寸生產線的費用高達10000億韓元（相當于10億美元以上），風險很大。

1994年是韓國半導體工業(yè)的轉折點，三星首先發(fā)布全球首塊256M DRAM，當時256M DRAM意味著在手指甲大小的芯片上集成2．56億個晶體管及2．56億個電容。

三星電子成功的原因初探

1980年代后韓國政府改變半導體產業(yè)政策，轉向扶持DRAM，此時三星半導體開始獲得政府支持。當時韓國政府組織”官民一體”的DRAM共同開發(fā)項目，也是通過政府的投資來發(fā)展DRAM產業(yè)。

進入DRAM市場初期，三星電子首先向當時遇到資金問題的美光（Micron）公司購買64K DRAM技術，之后開始自己開發(fā)256K DRAM。為了提高技術，這時三星半導體用高薪聘請在美國半導體公司工作過的韓國人，工資比總裁高4－5倍。

另外，三星在美國建立研發(fā)中心，并配置相同的生產設備，讓這些高薪人員來培訓本土的工程師。然后經過培訓后的工程師再回到本部，日以繼夜地工作，很快三星在DRAM方面超過日本。

再有一點非常關鍵，1993年全球半導體市場轉弱，但三星采用反周期的投資策略，加大投資DRAM力度建設8英寸生產線。

1984年9月三星推出64K DRAM，但是由于DRAM價格迅速下滑，從1984年初的4美元／片下降到1985年的30美分／片，而此時三星的生產成本是1．3美元／片。到1986年底，三星半導體累積虧損3億美元，股權資本完全虧空。

由于DRAM市場不景氣，Intel等美國公司退出存儲器市場，日本公司也縮減投資規(guī)模和生產能力。而由于三星的反周期投資，繼續(xù)擴大產能，并開發(fā)更大容量的DRAM。當1987年產業(yè)出現轉機時，加上美國政府發(fā)起對于日本半導體業(yè)的反傾銷訴訟案，美國政府和日本企業(yè)達成自動出口限制協(xié)議，由于日本企業(yè)減少向美國出口，導致DRAM價格回升，三星開始首次實現盈利。

三星從1983年開始投資半導體，做存儲器。那時韓國的半導體遠沒有目前的先進，有人認為韓國有勞動力成本低的優(yōu)勢。實際上當時在工廠中作操作的人員，大部分是農村來的婦女，文化程度并不高，但是素質很好，她們的工作十分認真與精細。

三星經過若干年后能成為全球存儲器業(yè)的領先者，主要是在韓國政府傾國力的支持下，加上強有力的領導集體包括三星的前董事長李健熙等能獻身于事業(yè)。除此之外，企業(yè)上下有股氣勢，一定要趕超日本的決心和信念，再加上有一批由美國培訓回來的第一流工程師，由于它們奮發(fā)圖強加速發(fā)展半導體工藝，才取得如此輝煌的成績。

還有一個原因是，東芝與其它日本公司的研發(fā)中心與制造基地分別位于不同的地方，相距甚遠。而三星電子的研發(fā)中心與制造部分在同一地方，既節(jié)省時間與成本，又便于研發(fā)與制造之間相互的溝通。

此外，三星電子還有另外一個優(yōu)勢是有自己的終端電子產品。不僅有半導體，還有面板、電視等，這樣垂直式的產業(yè)鏈有利于整合，既有利于以最快速度反映市場的需求，也有利于終端產品與芯片各環(huán)節(jié)之間的協(xié)調。

全球存儲器業(yè)總是周期性的起伏，只有堅持到底，不懼怕暫時的虧損，才有可能成功。現在的盲點是不知道我們的持續(xù)虧損要多久？能否有決心堅持下去，因為通常只有國家意志才有堅持下去的可能性。

為了超過日本半導體，三星電子在開發(fā)64M DRAM的同時就已組建256M DRAM研發(fā)團隊。70位研究人員在Hwan Chang－Kyu領導下努力奮戰(zhàn)，經過兩年的努力終于在1994年8月29日研制成功全球第一塊256M DRAM芯片。

非常有趣的是第一批樣品就實現了全功能，但隨后檢驗及測量的次數反復達10次之多，生怕有誤差，由此奠定了在存儲器方面韓國超過日本的基礎。