IBM今日宣布，IBM與其研究聯盟合作伙伴Global Foundries以及三星公司為新型的芯片制造了5納米大小的晶體管。研究團隊將硅納米層進行水平堆疊，而非傳統的硅半導體行業的垂直堆疊構架，這使得5納米晶體管的工藝有了實現可能。這項技術有可能應用于自動駕駛、人工智能和5G網絡。
2017-06-07 14:28:09
1689 芯片制程從微米級進入2納米時代，晶體管架構經歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對物理極限的挑戰。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構演進到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:022048 
列出使用VBE的測試方法。VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發射極間電壓：VBE根據溫度變化。圖1. 熱電阻測量電路由此，通過測定VBE，可以推測結溫。通過圖1的測定電路，對晶體管輸入封裝功率：PC
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產生0.2 V壓降。功率場效應管可以無需任何外接元件而直接并聯，因為其漏極電流具有負溫度系數。
1、晶體管的Vbe擴散現象是什么原理，在此基礎上為什么要加電阻？
2、場效應管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對最大額定值？3. 是否在SOA范圍內？4. 在使用環境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內
2019-04-15 06:20:06
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
(1) 電流放大系數β和hFEβ是晶體管的交流放大系數，表示晶體管對交流（變化）信號的電流放大能力。β等于集電極電流IC的變化量△IC與基極電流IB的變化量△IB兩者之比，即β=△IC/△IBhFE
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數有哪些？晶體管的開關電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
。 Si晶體管的分類 Si晶體管的分類根據不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。 雙極晶體管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發
2018-11-28 14:29:28
控制大功率現在的功率晶體管能控制數百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關有很多優點，主要是；(1)容易關斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
列出使用VBE的測試方法。VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發射極間電壓：VBE根據溫度變化。圖1. 熱電阻測量電路由此，通過測定VBE，可以推測結溫。通過圖1的測定電路，對晶體管輸入封裝功率：PC
2019-05-09 23:12:18
、發射極和集電極。為了識別NPN和PNP晶體管，我們有一些標準的電阻值。每對端子必須在兩個方向上測試電阻值，總共進行六次測試。這種方法對于快速識別PNP晶體管非常有益。我們現在可以觀察每對終端的運行方式
2023-02-03 09:44:48
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
“魚和熊掌”兼得的HI-FI新方法音響“HI—FI”是發燒友永恒的主題。“好聲音”又是一個系統工程，從對碟片音源、CD、前級、電源、功放、線材、音箱喇叭一整套性能的優化組合、乃至220伏電能的純凈
2014-03-27 15:02:19
一種標定陀螺儀的新方法
2016-08-17 12:17:25
片晶體管通常基于納米片堆疊技術，納米片作為晶體管的溝道部分，其厚度和寬度可以精確控制，以實現更好的靜電控制和更高的驅動電流。叉片晶體管可以實現垂直堆疊，即多個晶體管層疊在一起。這種堆疊方式進一步提高了
2025-06-20 10:40:07
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
的大多數載流子傳輸。與雙極晶體管相比，場效應管具有輸入阻抗高、噪聲低、限頻高、功耗低、制造工藝簡單、溫度特性好等特點，廣泛應用于各種放大器、數字電路和微波電路等。基于硅的金屬MOSFET和基于GaAs
2023-02-03 09:36:05
顯示器和透明太陽能電池板產品的出現。 在許多透明電子系統中，晶體管都是至關重要的部件。如今，這種器件通常是薄膜晶體管形式，由In2O3、ZnO2、SnO2等透明導電氧化物材料制成。 不過，薄膜晶體管
2020-11-27 16:30:52
達林頓晶體管是一對雙極晶體管，連接在一起，從低基極電流提供非常高的電流增益。輸入晶體管的發射極始終連接到輸出晶體管的基極;他們的收藏家被綁在一起。結果，輸入晶體管放大的電流被輸出晶體管進一步放大
2023-02-16 18:19:11
，出于實際原因，保持區域大致相同至關重要。 如前所述，實現更多計算能力的一種方法是縮小晶體管的尺寸。但隨著晶體管尺寸的減小，漏極和源極之間的距離降低了柵極控制溝道區域電流的能力。正因為如此，平面
2023-02-24 15:25:29
使用PIM分析儀測試連接器互調的新方法是什么？
2021-05-10 06:59:33
較長的連線。長而窄的連線電阻更大，延時更長。字線和位線的電阻對SRAM運行速度的提高和工作電壓的降低構成了限制。 按照傳統方法來實現集成電路需要先在在硅襯底上構建晶體管，然后再在硅襯底上添加互連層，將
2020-05-11 15:40:48
功率型LED熱阻測量的新方法摘 要： LED照明成為21世紀最引人注目的新技術領域之一，而功率型LED優異的散熱特性和光學特性更能適應普通照明領域的需要。提出了一種電學法測量功率LED熱阻的新方法
2009-10-19 15:16:09
各位高手，小弟正在學習單結晶體管，按照網上的電路圖做的關于單結晶體管的仿真，大多數都不成功，請問誰有成功的單結晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
【作者】：張惠珍;馬良;【來源】：《系統工程理論與實踐》2010年03期【摘要】：文章在對已有二次分配問題(QAP)線性化模型深入研究的基礎上,提出一種二次分配問題線性化新方法,進而給出了對稱二次
2010-04-24 09:49:00
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何使用MangaGAN新方法生成久保帶人Style的漫畫形象？
2021-09-27 06:00:53
來至網友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
。3. 向實際電路（評估電路）上貼裝晶體管請確認選定的晶體管是否在實際電路上安全工作？在工作的情況下，是否長期（可靠）穩定地工作？等等，還需要考慮電氣裕量。晶體管可否使用的判定方法可否使用的判定按照以下
2019-05-05 09:27:01
to -2.4mV/oC的范圍有偏差)R1的溫度變化率，如下圖表。關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域(數字晶體管的情況)數字晶體管的輸出電壓-輸出電流特性，按以下測定方法測定。IO（低電流區域
2019-04-22 05:39:52
選定方法數字晶體管的型號說明IO和IC的區別GI和hFE的區別VI(on)和VI(off)的區別關于數字晶體管的溫度特性關于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領域（數字晶體管的情況）關于數字晶體管
2019-04-09 21:49:36
了所謂的頂部朝下的方法，類似于把原件精確地蝕刻并固定在晶體管上的工業流程類似，由于兼容傳統工藝，有望被業界采納。新一代硅芯片將在明天問世，屆時將采用垂直結構，而非平板設計，但由于硅的電子流動性有限，人們
2011-12-08 00:01:44
新方法。在三相采樣等效電路上分別并聯一組三極管控制的電阻分壓開關電路,參考電機轉速線性調節控制信號占空比,以此控制三極管通斷,從而調節電阻分樂開關電路阻值,可以避免高速時反電勢幅值高于檢測電路供電電壓
2025-06-26 13:50:59
突破現有的邏輯門電路設計，讓電子能持續在各個邏輯門之間穿梭。此前，英特爾等芯片巨頭表示它們將尋找能替代硅的新原料來制作7nm晶體管，現在勞倫斯伯克利國家實驗室走在了前面，它們的1nm晶體管由納米碳管
2016-10-08 09:25:15
等效的提高開關速度的方法，較小R1值也會加快輸出波形的上升速度。2、使用肖特基箝位利用肖特基箝位也是提高晶體管開關速度的另外一種方法，我們熟悉的74LS、74ALS、74AS等典型的數字IC TTL
2023-02-09 15:48:33
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
求大佬分享按鍵掃描的新方法
2022-01-17 06:50:00
測電阻，新方法，不加激勵的辦法有沒有。
2015-03-26 10:44:14
用IBM43RF0100EV評估板評估IBM43RF0100 SiGe晶體管性能
2009-05-12 11:46:34
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-1 09:25 編輯
請問各大大有無 Multisim 14 基本晶體管模型數據庫以外,更多更多晶體管模型數據庫 ,(例如日本型號 2SAxxx 2SCxxx 晶體管模型數據庫) 下載.如能幫忙非常感謝
2018-05-31 18:21:56
本帖最后由 鼓山 于 2013-7-4 14:31 編輯
俺在網上找到的基于Proteus 8.0開發LM3S ARM Cortex的新方法給碼農們分享！
2013-07-04 14:00:47
運用于matlab中的矩陣求逆的新方法有哪些啊或者考慮矩陣的特殊性質，比如稀疏、對稱性，有哪些求逆的新方法可以運用啊？求助！
2013-01-21 17:10:33
晶體管實驗:實驗一 三極晶體管與場效應晶體管的特性圖示一、實驗目的1.掌握半導體管特性圖示儀的使用方法。2.掌握測量晶體管輸入輸出特性的測量方法。3.觀察、了
2009-03-06 14:08:16
37 英飛凌科技公司（Infineon），設在慕尼黑的實驗室最近取得了新的突破——這里的研究人員成功開發出全球最小的納米晶體管，其溝槽長度僅為18納米，幾乎是當前最先進的晶
2006-03-11 22:10:391263 IBM公司日前發布了據稱是全球首款電致發光(EL)納米管晶體管，并聲稱該器件發光亮度比發光二極管(LED)強1000倍，光子通量多達1萬倍。 &n
2006-03-13 13:03:07670 精確控制DDS輸出信號幅度的新方法
DDS技術作為一種先進的直接數字頻率合成技術，用數字控制的方法從一個頻率基準源產生多種頻率，具有高可靠性、高集成度、高頻率分
2008-10-15 08:57:562764 
硅晶體管與鍺晶體管的識別及區分方法
將萬用表撥至R×1k檔。對于PNP型管，黑表筆接發射極E，
2008-10-19 09:47:349616 
測量晶體三極管的新方法
晶體三極管是電子電路中最常見的器件之一。在各種電子電路中的應用十分廣泛。但是，判定三極管的好壞及極
2008-11-09 15:32:123363 IBM研發出最快的石墨烯晶體管，超越硅材料的極限
IBM研究中心聲稱研究出世界上速度最快的石墨烯場效應晶體管，運行頻率達到26GHz。
IBM Thomas J. Watson研究中心（
2008-12-27 12:55:48792 CMOS和模擬器件電路的晶體管設計新方法
日本廣島大學(University of Hiroshima)和日本半導體技術理論研究中心(STARC)共同披露了一種適用于CMOS和模擬器件電路的晶體管設計
2009-03-28 16:20:54720 一種熱電阻阻值測量的新方法
摘 要：在利用熱電阻測量溫度中，熱電阻阻值的精確測量是精確測量溫度的關鍵，針對傳統熱電阻
2009-05-26 16:34:113135 
判別晶體管電極的方法
2009-07-31 17:38:01829 
晶體管（transistor）
4
5納米工藝的四核處理器已能容納8億個晶體管
2009-11-05 10:34:251669 晶體管的檢測和更換方法
電路中的晶體管主要有晶體二極管、晶體三極管、可控硅和場效應管等等，其中最常用的是三極管和二極管
2009-11-05 10:54:301014 晶體管溫度補償電路實例分析
晶體管的主要參數，如電流放大倍數、基極-發射極電壓、集電極電流等，都與環境溫度密切相關。因此，在晶體管電路中需
2009-11-27 08:55:005402 晶體管的種類和使用方法
具有信號放大功能的3個端子的半導體器件。作為電流載體，有利用電子及空穴兩個載子的雙極晶體管，
2010-03-01 10:13:532951 多路高壓觸發源抗干擾的新方法
本文提出了一種多路高壓觸發薄抗干擾的新方法．它的特點是各觸發電路中的儲能電容器并非同時處于充好電
2010-04-20 10:58:42932 優化太陽能系統效率和可靠性的一種較新方法是使用連接至每個單獨太陽能板的微型逆變器,電源逆變器是太陽能發電系統中關鍵的電子組件
2011-02-12 10:41:191423 4月8日消息，據國外媒體報道，本周四IBM向媒體展示了其最快的石墨烯晶體管，該產品每秒能執行1550億個循環操作，比之前的試驗用晶體管快50%。
2011-04-08 09:32:42981 英國劍橋大學科學家開發出一種名為“集合滲透震動”(collective osmotic shock，COS)的新方法來制造多孔納米材料，可大大提高制造效率，在水資源過濾、發光設備制造和化學傳感器等方面具
2011-11-30 08:53:17923 在今天的IEEE國際電子設備會議上，IBM的科學家們展示了一系列突破性的科研成果，IBM拿出了全球第一個通道長度(柵極長度)不足10nm的碳納米晶體管，代表了未來計算技術的重大突破
2011-12-08 09:23:551612 
來自IBM、蘇黎世理工學院和美國普渡大學的工程師近日表示，他們構建出了首個10納米以下的碳納米管(CNT)晶體管
2012-02-04 09:45:291105 晶圓代工廠聯電（2303）昨（29）日宣布與IBM簽訂技術授權合約，將以3D架構的鰭式場效晶體管（FinFET），促進次世代尖端20納米CMOS制程的開發，以加速聯電次世代尖端技術的研發時程。
2012-06-30 11:27:11656 藍色巨人IBM的科學家們再次展示了他們雄厚的科研實力：歷史上第一次，使用標準的主流半導體工藝，將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內，并通過了可行性測
2012-10-29 11:44:488434 根據最新消息，IBM成功利用碳納米材料，在單個芯片上集成了上萬個9nm制程工藝的晶體管，相信大家對于著名的摩爾定律都略知一二，但是隨著集成電路晶體管尺寸越來越小，CPU內存等
2012-11-08 10:28:184009 FinFET的芯片。在2月份舉行的這次Common Platform 2013技術論壇上，IBM除了展示FinFET這種3D晶體管技術外，還展示了諸如硅光子晶體管，碳納米管等前沿技術。
2013-02-20 23:04:308361 晶體管種類很多，檢測方法也不一樣，這里詳細介紹了各種晶體管的檢測方法
2016-02-23 17:43:000 三次多項式型段內加減速控制新方法，下來看看
2016-05-03 09:38:5416 米特拉表示，“如果利用碳納米管晶體管取代硅晶體管，效能比可提高1000倍。”
2016-08-22 14:03:541290 基于溫度信號的風電機組發電機實時可靠性監測新方法_霍娟
2016-12-29 14:35:280 本文開始介紹了晶體管的分類與場效應晶體管，其次分析了晶體管的重要性及作用，最后介紹了晶體管工作原理與晶體管的檢測方法。
2018-02-01 09:18:3229435 本文開始介紹了什么是晶體管圖示儀和晶體管圖示儀的一般參數，其次闡述了晶體管特性圖示儀構成和晶體管圖示儀主要用途，最后介紹了晶體管圖示儀使用方法。
2018-03-19 11:35:3815371 本文開始闡述了晶體管圖示儀的定義、晶體管圖示儀的組成及主要技術指標，其次闡述了晶體管圖示儀使用方法和晶體管特性圖示儀使用方法，最后介紹了晶體管圖示儀使用注意事項。
2018-03-19 15:51:2924207 
AD采集的新方法
2018-03-23 09:44:2510 現如今，市場上最先進的計算機芯片使用7納米晶體管。中國科學院微電子研究所微電子設備與集成技術領域的專家殷華湘說，他的團隊已經研發出3納米晶體管——相當于一條人類DNA鏈的寬度，在一個指甲蓋大小的芯片上能安裝數百億個這種晶體管。
2019-06-13 16:08:275958 CPU里的晶體管都是集成的超微晶體管，一個22納米工藝的i5可能集成上十億的晶體管。
2020-01-31 16:10:0015286 儲能成本關乎行業發展前景，但其測算方法其實非常復雜，國外一家能源公司提出了一種儲能成本精確測算的新方法——Levelized Cost of Using Storage（LCUS）。
2020-04-06 08:40:001972 科學家們找到了新方法來通過激光、原子來測量重力。這種辦法精度極高，甚至能測量你的微小體重對重力的影響。
2020-05-19 15:08:253235 但是，這并不代表著對碳納米管半導體技術的研發會一帆風順。1998年首個碳納米管晶體管研發至今，碳納米管半導體技術一直遭遇材料上的瓶頸。長期以來，最小碳納米管CMOS器件的柵長停滯在20nm（2014年 IBM）。
2020-08-31 15:00:504507 使用碳納米管作為溝道材料，并使用離子凝膠作為柵極的場效應晶體管，可承受高強度的輻射，在輻射損壞后，并且可以經過簡單的工藝恢復。
2020-11-04 15:22:222778 并聯APF直流側電壓選擇新方法(肇慶理士電源技術)-并聯APF直流側電壓選擇新方法? ? ? ? ? ? ??
2021-09-17 16:47:446 過時。IBM?在 2021?年就證明了這一點，其突破性的 2?納米芯片技術顛覆了市場。這個新的制造時代得益于減少芯片納米的競賽。? 今天，晶體管的標準長度是10納米，而且隨著最新研究，頂級公司已經生產了5納米或7納米的芯片。從歷史
2022-01-07 10:12:35743 在芯片設計和制造中，納米表示的是芯片中晶體管與晶體管之間的距離，在體積相同大小的情況下，7納米工藝的芯片容納的晶體管的數量，幾乎是14納米工藝芯片的2倍。
2022-07-06 16:35:55136833 提高晶體管開關速度的方法可以通過減少晶體管的輸入電容來提高晶體管的開關速度，這可以通過減少晶體管的輸入電容的大小來實現。
2023-02-24 15:54:572318 
數字晶體管因集電極電流和連接至基極的電阻的不同而分為不同類型。數字晶體管的選擇方法和確定使用普通晶體管作為開關時連接到基極的電阻的方法相同。
2023-05-29 16:40:45893 在當前電子技術發展的今天，如今的晶體管還是得到不錯的有應用，其中的國產晶體管晶體管，同樣是深受現在人們的關注，如今隨著這一晶體管得到應用，要在國產晶體管廠家如何完成相應的選型呢，主要還是需要注意考慮這樣幾種國產晶體管選型方法，進而可以完成對晶體管的選擇。
2022-07-20 14:28:101977 
電子發燒友網站提供《一種改善微波模塊增益指標溫度特性的新方法.pdf》資料免費下載
2023-10-25 10:05:340 電子晶體管是現代電子學的核心。這些設備精確地控制電流，但在這樣做的過程中，它們會產生熱量。
2023-11-17 09:45:361319 電子發燒友網站提供《VLSI系統設計的最新方法.pdf》資料免費下載
2023-11-20 11:10:370 晶體管的元件溫度計算方法
2023-11-23 09:09:351518 
IBM 的概念納米片晶體管在氮沸點下表現出近乎兩倍的性能提升。這一成就預計將帶來多項技術進步，并可能為納米片晶體管取代 FinFET 鋪平道路。更令人興奮的是，它可能會導致更強大的芯片類別的開發。
2023-12-26 10:12:551206 IBM突破性研發的納米片晶體管，通過將硅通道薄化切割為納米級別的薄片，再用柵極全方位圍繞，實現更為精準控電。此結構使得在指甲蓋大小空間內可容納最多達500億個晶體管，并且經過液氮冷卻處理，其性能飆升至原本的兩倍之多。
2023-12-26 14:55:071246 有什么方法可以提高晶體管的開關速度呢？ 電子行業一直在尋求提高晶體管速度的方法，以滿足高速和高性能計算需求。下面將詳細介紹幾種可以提高晶體管開關速度的方法： 1. 尺寸縮小：晶體管的尺寸越小，電子
2024-01-12 11:18:222182 本文介紹了一種利用全息技術在硅晶圓內部制造納米結構的新方法。 研究人員提出了一種在硅晶圓內部制造納米結構的新方法。傳統上，晶圓上的微結構加工，僅限于通過光刻技術在晶圓表面加工納米結構。 然而，除了晶
2024-11-18 11:45:481189
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