而在2016年六月底，中芯國際出資4，900萬歐元收購由LFoundry Europe （LFE）與Marsica Innovation （MI）控股的義大利晶圓代工業者LFoundry之七成股權。此次收購不僅能夠提高中芯國際的聯合產能，擴大整體技術組合，更能幫助雙方拓展市場機會。也就是通過這次收購，中國內地集成電路晶圓代工業首次成功布局跨國生產基地，而中芯國際也將憑藉此項收購正式進軍全球汽車電子市場。在后期的發展中增強了籌碼。

　　（3）中國集成電路前十封測廠商

　　中國封測產業在過去幾年也是發展迅猛的一環，長電兼并星科金朋；通富微電，收購AMD位于蘇州及馬來西亞封測廠，今年更是傳出要收購2015年營收排名第二的Amkor。還有水天華天的發展，中國封測產業進展也高速。

　　長電科技的母公司江蘇新潮科技集團毫無爭議的位列國內十大封測廠商之首。2015年的營收高達92.2億美元。而銅柱凸塊技術和晶圓級芯片尺寸封裝技術，是長電人的兩大全球專利。其擁有全球專利的微小型集成系統基板工藝技術（MIS），特有的布線能力廣泛應用于多芯片和SiP集成的QFN、LGA、BGA封裝。其關鍵技術是在引線框封裝上實現扇入（Fan-in）和扇出（Fan-out）設計能力，細微的尺寸帶來超小超薄的封裝。在微小型集成系統基板工藝技術（MIS）、25 μm超薄芯片堆疊工藝技術等方面，已達到國際先進水平，擁有多項自主知識產權。公司未來將繼續在高密度、系統集成、微小體積封裝技術領域尋求更大突破。

　　另外值得一提的是排名第三的南通華達微電子集團有限公司，因為早前傳出將吞并全球第二大封測廠Amkor而讓通富微聲名大振。

　　「通富微電作為中國前三大IC封測企業，主要從事集成電路封裝和測試一體化業務，在中高端產品封測領域具有明顯優勢，包括BGA、 Bumping、WLCSP、QFP/LQFP、QFN和POWER等，出口國際客戶收入占比約70%，產品主要面向智能終端、通訊電子、消費電子、汽車電子、工業和電源類器件等領域。

　　而在國家產業基金的大力扶持下，公司分別收購AMD蘇州及AMD檳城各85%的股權，雙方成立合資公司。AMD蘇州及AMD檳城主要用于承接AMD內部晶片封裝與測試業務，滿足從處理器半成品切割、組裝、測試、打標、封裝的五大CPU后期制造流程，使其同時具備對CPU、GPU及APU進行封裝測試的能力。且AMD先進的倒裝晶片封裝測試技術，與通富微電先進的倒裝晶片和凸點技術相輔相成，有助于通富微電掌握世界級的倒裝晶片封裝測試技術，提升競爭力。

　　中國集成電路未來的發展重點

　　丁文武指出，中國集成電路的發展重點主要可以概括成四個方面，分別是著力發展集成電路設計業、加速發展集成電路制造業、提升先進封裝測試業務發展水平目標和突破集成電路關鍵裝備和材料。

　　展望2020年，進一步縮小中國集成電路與國際產業先進水平的差距，全行業銷售收入年均增速超過20%（達到萬億元），企業可持續發展能力大幅增強，推動移動智能終端、網絡通信、云計算、物聯網、大數據等重點領域集成電路設計技術達到國際領先水平，初步形成產業生態體系。而在份封裝和測試方面，首先就是16/14nm工藝實現規模量產，并且封裝測試技術能達到國際領先水平，關鍵裝備和材料可以進入國際采購體系，基本建成技術先進，安全可靠的集成電路產業，當中有幾個部分值得關注：

　　（1）重視集成電路制造業

　　集成電路制造是產業的基石，沒有先進的技術支持，再好的設計也只能是空中樓閣。于是國家非常重視這個領域的發展。

　　丁文武認為，集成電路制造業者理應抓住技術變革的有利時機。突破投融資瓶頸，持續推進先進生產線建設。包括但不限于：

　　A、加快45/40nm芯片產能擴充，加緊32/28nm芯片產線建設，迅速形成規模生產力

　　B、加快立體工藝開發，推動22/20nm、16/14nm芯片生產建設，研發10nm。

　　C、大力發展模擬及數模混合電路、問幾點系統（MEMS）、高壓電路、射頻電路等特色專用工藝生產線

　　D、增強芯片制造綜合能力，以工藝能力提升帶動設計水平的提升，以生產線建設帶動關鍵裝備/材料的發展。

　　國家大基金迄今（2016年4月）已經投資了 紫光集團、中芯國際、長電科技、中微半導體，投資分別為 100 億人民幣（額度） 、31 億港元、3 億美元、4.8 億人民幣，總規模折合人民幣約 150 億元。上述四家公司基本上代表了中國目前半導體設計、制造、封測、設備領域的最強陣容。

　　中芯國際是中國第一大半導體芯片制造公司， 是僅次于 TSMC、 三星、 GlobalFoundries、UMC 的全球第四大半導體制造商， 全球市占率大約 5-6%。 中芯國際目前量產的主要產品制程覆蓋了從 0.35um 到 40nm， 前三大制程 0.18um、 65nm、 40nm 營收占比 80%。

　　而中微半導體是國內半導體工藝核心設備刻蝕機的領先供應商。 中微主要產品包括芯片介質刻蝕設備、硅通孔刻蝕設備和 MOVCD。中微的 16nm 芯片介質刻蝕設備已經在客戶處實現量產，已經在進行 10nm 設備的開發；TSV 刻蝕設備已經實現 8 寸和 12 寸產品量產；MOVCD 亦已經實現小批量供貨。中微的產品與國際競爭對手相比成本更低，但性能接近，設備效率更高，因此綜合競爭力較強。

　　長電科技的功用自不然是不錯的，這在前面已經提過。

　　（2）推進存儲器生產線建設

　　正如之前眾多媒體報道一樣，集成電路是我國進口最大宗的商品，而存儲器則是中國進口最大宗的產品，占比例已經超過四分之一。2015年國內進口芯片3139.96億塊，同比增長10%;進口金額2307億美元，同比增長6%。而存儲芯片的市場規模接近2800億元，進口比例超過90%，預計到2020年國內存儲芯片的市場規模到5000億元。未來5-10年階段，國產化的存儲芯片進口替代空間巨大。

　　巨大的市場需求，是存儲器的發展動力，信息安全和產業安全則成為實現存儲器的戰略需要。丁文武認為中國應該將發展存儲器作為國際的戰略。未來會將目光挺像3D NAND FLAH、DRAM、XPOINT、MRAM、PCRAM、RRAM等的建設；并形成長江存儲、附件晉江、合肥、深圳等幾個存儲產業基地。

　　一期投資370億元的福建晉華存儲器集成電路生產線項目7月份在福建晉江開工。該項目著力打造具有自主知識產權的世界級存儲器集成電路產業鏈，預計于2018年9月形成月產6萬片12寸晶圓的生產規模，項目建成后將填補我國主流存儲器集成電路產業空白。

　　而北京紫光集團旗下同方國芯宣布計劃定增800億元，投入存儲芯片工廠和上下游產業鏈布局；另外在武漢，今年３月下旬，總投資約１６００億元人民幣的存儲器基地項目在東湖高新區正式啟動，計劃到2020年實現月產能30萬片晶圓的生產規模。以此測算，這三家企業在存儲器芯片方面的投資總額將超過2700億人民幣。

　　相信在國家大基金和各種地方基金的支持下，通過國內自主建設和國際投資并購的兩駕馬車驅動的模式，以內需為動力，以市場為方向，中國電子產業終會擺脫對國外的強烈依賴，和其他以往產業一樣，打造屬于國產的帝國。