電子發燒友網報道（文/程文智）這幾年GaN和SiC等第三代半導體器件的商用化進展還不錯，GaN器件在快充上開始大規模應用，SiC器件也在汽車上嶄露頭角?，F在大家對第三代半導體器件的前景非常看好，很多
2021-12-27 09:01:00
6634 可編程邏輯器件伴隨著半導體集成電路的發展而不斷發展，其發展可以劃分為以下4個階段。
2021-08-17 09:16:0010854 
(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)和世界排名前列的電信、工業、國防和數據中心半導體解決方案供應商MACOM技術解決方案控股有限公司(納斯達克股票代碼:MTSI，以下簡稱“MACOM”) 宣布，射頻硅基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型芯片制造成功。基于這一成果，意法半導
2022-05-19 16:03:513914 
在電子工業的歷史中，硅(Si)已經穩定地成為半導體元器件的首選材料。從普通的晶體管到今天高度集成的芯片，硅都起到了不可替代的作用。但為什么在眾多元素和化合物中，人們會選擇硅作為制造半導體元器件的主要材料呢？本文將深入探討硅背后的秘密和它在半導體領域中的無與倫比的地位。
2023-08-08 10:12:3510401 
金剛石作為超寬禁帶半導體材料的代表，近年來成為大家關注的熱點。盡管在材料制備、器件研制與性能方面取得了一定進展，但半導體摻雜技術至今沒有很好解決。氫終端金剛石由于具有典型的二維空穴氣被廣泛應用于微波
2023-08-17 09:47:183244 
我國科學家成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片。我國氧化鎵領域研究連續取得突破日前，西安郵電大學新型半導體器件與材料重點實驗室的陳海峰教授團隊成功在8英寸硅片上制備出了高質量的氧化鎵外延片
2023-03-15 11:09:59
《電子電路分析與設計：半導體器件及其基本應用》主要內容：電子學是研究電荷在空氣、真空和半導體內運動的一門科學（注意此處不包括電荷在金屬中的運動）。這一概念最早起源于20世紀早期，以便和電氣工程
2018-11-13 15:34:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:09 編輯
今年剛考上研究生 本科是學通信的 無奈被調劑到專碩 導師是研究半導體器件的 對這方面不是很了解 想問下它的就業前景怎么樣 以后想往集成電路設計方面發展容易嗎？
2012-07-01 23:15:00
進口日本半導體硅材料呆料，硅含量高，其中有些硅圓片，打磨減薄后可以成為硅晶圓芯片的生產材料。聯系方式：沈女士（***）
2020-01-06 09:59:44
` 誰來闡述一下半導體集成電路是什么？`
2020-03-24 17:12:08
，無論是電容式或是電感式，其原理類似，在一塊集成有成千上萬半導體器件的“平板”上，手指貼在其上與其構成了電容（電感）的另一面，由于手指平面凸凹不平，凸點處和凹點處接觸平板的實際距離大小就不一樣，形成的電容
2014-10-19 17:48:27
近年來，全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國已經成為全球最重要的半導體功率器件封測基地。如IDM類（吉林華微電子、華潤微電子、杭州士蘭微電子、比亞迪股份、株洲中車時代半導體
2021-07-12 07:49:57
本人小白，最近公司想上半導體器件的塑封生產線，主要是小型貼片器件封裝，例如sot系列。設備也不需要面面俱到，能進行小規模正常生產就行。哪位大神能告知所需設備的信息，以及這些設備的國內外生產廠家，在此先行感謝！
2022-01-22 12:26:47
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-07-05 08:13:58
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向長期
2019-08-20 08:01:20
半導體材料半導體的功能分類集成電路的四大類
2021-02-24 07:52:52
還有待完善。 半導體指紋傳感器由于所使用的半導體本身就是損耗件，相對于光學傳感器都存在使用壽命短。光學指紋傳感器圖像采集技術 光學指紋采集技術是最古老也是目前應用最廣泛的指紋采集技術，光學指紋采集設備
2012-06-04 16:43:40
（ microchip ）、集成電路（in te grated circuit, IC）。是指內含集成電路的硅片，體積很小。一般而言，芯片（IC）泛指所有的半導體元器件，是在硅板上集合多種電子元器件實現某種特定功能
2020-11-17 09:42:00
射頻半導體技術的市場格局近年發生了顯著變化。數十年來，橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)技術在商業應用中的射頻半導體市場領域起主導作用。如今，這種平衡發生了轉變，硅基氮化鎵(GaN-on-Si)技術成為接替傳統LDMOS技術的首選技術。
2019-09-02 07:16:34
半導體指常溫下導電性能介于導體與絕緣體之間的材料。半導體在集成電路、消費電子、通信系統、光伏發電、照明、大功率電源轉換等領域都有應用，如二極管就是采用半導體制作的器件。無論從科技或是經濟發展的角度
2020-12-28 11:21:38
集成電路是一種微型電子器件或部件，它是采用一定的工藝，把一個電路中所需的晶體管、電阻、電容和電感等元件及布線互連一起，制作在一小塊或幾小塊半導體晶片或介質基片上，然后封裝在一個管殼內，成為具有
2021-09-15 06:45:56
CCD(Charge Coupled Devices)電荷耦合器件是20世紀70年代初發展起來的新型半導體集成光電器件。近30年來，CCD器件及其應用技術的研究取得飛速進展，特別是在圖像傳感和非接觸
2019-10-22 07:28:34
習去實戰應用，這種快樂試試你就會懂的。話不多說，上貨。
半導體存儲器和可編程邏輯器件簡介
半導體存儲器是一種能存儲大量二值信息的半導體器件。在電子計算機以及其他一些數字系統的工作過程中，都
2024-03-28 17:41:58
）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀50年代后期一60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸
2023-02-23 15:24:55
材料。與目前絕大多數的半導體材料相比，GaN 具有獨特的優勢：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場和熱導率更高，使其成為最令人矚目的新型半導體材料之一。目前，GaN 基發光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
趕上甚至超過了成本昂貴的硅上氮化鎵產品的替代技術。我們期待這項合作讓這些GaN創新在硅供應鏈內結出碩果，最終服務于要求最高的客戶和應用?！币夥?b class="flag-6" style="color: red">半導體汽車與分立器件產品部總裁Marco Monti表示
2018-02-12 15:11:38
的射頻器件越來越多，即便集成化仍然很難控制智能手機的成本。這跟功能機時代不同，我們可以將成本做到很低，在全球市場都能夠保證低價。但如果到了5G時代，需要的器件越來越多，價格越來越高。半導體材料硅基氮化鎵
2017-07-18 16:38:20
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 半導體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導體的光學特性介紹III 族氮化物材料的光學特性顯然與光電應用直接相關，但測量光學特性
2021-07-08 13:08:32
`書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：在硅上生長的 InGaN 基激光二極管的腔鏡的晶圓制造編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技 摘要：在硅 (Si) 上生長的直接帶隙 III-V
2021-07-09 10:21:36
/控制/保護/接口/監測等外圍電路集成；而分立功率半導體器件則是功率模塊與功率IC的關鍵。圖表1 功率半導體器件分類（來源：中泰證券研究所）功率半導體器件又可根據對電路信號的可控程度分為全控型、半控型
2019-02-26 17:04:37
、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
50多年前硅（Si）集成電路的發明意義重大，為我們當前所享受的現代計算機和電子產品時代鋪平了道路。但是正如俗話所說，天下沒有不散的筵席，現在存在疑問的是，硅在半導體行業的霸主地位將何時終結？據
2019-07-30 07:27:44
）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、雙極硅、絕緣硅（SoI）和藍寶石硅（SoS）等工藝技術給業界提供了豐富的選擇。雖然半導體器件的集成度越來越高，但分立器件同樣在用這些工藝制造。隨著全球電信網絡向
2019-08-02 08:23:59
基于霍耳效應的半導體磁電轉換傳感器。在磁場測量以及利用磁場作為媒介對位移、速度、加速度、壓力、角度、角速度、流量、電流、電功率等許多非電量測量中，半導體磁敏元件是一種重要的器件。磁敏元件分霍耳元件
2019-09-10 10:42:32
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
2023-02-21 16:01:16
請教，關于MIP705半導體集成電路的應用，請有識之士不惜賜教。
2012-09-22 17:33:44
結構、器件的制造和模擬、功率半導體器件的應用到各類重要功率半導體器件的基本原理、設計原則和應用特性，建立起一系列不同層次的、復雜程度漸增的器件模型，并闡述了各類重要功率半導體器件各級模型的基礎知識，使
2025-07-11 14:49:36
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
激光器的主流。盡管半導體激光器的缺點是光束發散角大，光束質量較差。但近年來微光學加工技術和光學整形技術的發展使得半導體激光器輸出的光束質量大大提高。同時半導體激光物理器件技術正向縱深方向推進，其原始
2022-01-10 14:30:55
技術、現代化學等方面的進步，同時它的進展又極大地促進 了相鄰學科的交叉和持續發展。眾多的科研機構在與標準集成電路工藝兼容的硅基光學器件方面開展了廣泛而深 入的研究工作，已經取得了顯著研究成果，許多關鍵技術獲得
2011-11-15 10:51:27
、天文學、環境科學等領域有重要的應用價值。THz振蕩源則是THz頻段應用的關鍵器件。研制可以產生連續波發射的固態半導體振蕩源是THz技術研究中最前沿的問題之一?；?b class="flag-6" style="color: red">半導體的THz輻射源有體積小、易集成
2019-05-28 07:12:25
silicon photonic circuits“?；阪N離子注入的硅波導工藝和激光退火工藝，他們實現了可擦除的定向耦合器，進而實現了可編程的硅基集成光路，也就是所謂的光學FPGA。
2019-10-21 08:04:48
去年九月，安森美半導體宣布收購Fairchild半導體。上周，我們完成了前Fairchild半導體產品信息向安森美半導體網站的轉移。這使訪客能瀏覽低、中、高壓電源模塊、集成電路和分立器件合并的、擴展
2018-10-31 09:17:40
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統電路CAD的各自特點。近年來，無線通信市場的蓬勃發展，特別是移動電話、無線
2019-07-05 06:53:04
；第五部分表示規格。具體規定見表 3.1 所示。2.日本常用半導體器件的型號命名標準 3.美國常用半導體器件的型號命名標準 4.常用的整流二極管型號及性能 5.硅高頻小功率三極管參數 6.部分國外硅高頻
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半導體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
近日，微電子所納米加工與新器件集成技術研究室（三室）在阻變存儲器研究工作中取得進展，并被美國化學協會ACS Nano雜志在線報道。 基于二元氧化物材料的電阻式隨機存儲器（ReRAM）具有低廉的價格
2010-12-29 15:13:32
新型銅互連方法—電化學機械拋光技術研究進展多孔低介電常數的介質引入硅半導體器件給傳統的化學機械拋光（ＣＭＰ）技術帶來了巨大的挑戰，低ｋ 介質的脆弱性難以承受傳統ＣＭＰ 技術所施加的機械力。一種結合了
2009-10-06 10:08:07
`①未來發展導向之Sic功率元器件“功率元器件”或“功率半導體”已逐漸步入大眾生活，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。在科技發展道路上的，“小型化”和“節能化
2017-07-22 14:12:43
、日本等國家和組織啟動了至少12項研發計劃，總計投入研究經費達到6億美元。借助各國***的大力支持，自從1965年第一支GaAs晶體管誕生以來，化合物半導體器件的制造技術取得了快速的進步，為化合物半導體
2019-06-13 04:20:24
電力半導體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
電源管理半導體的新進展1979年電力電子學會在我國成立，此后，人們開始把用于大功率方向的器件稱為電力半導體。由于微電子學把相關的器件稱為微電子器件，從而也有了電力電子器件之稱。電力半導體和電力
2009-12-11 15:47:08
·基爾比（基于鍺（Ge）的集成電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀50年代后期一60年代發展起來的一種新型半導體器件
2020-04-22 11:55:14
電路）和羅伯特·諾伊思（基于硅（Si）的集成電路）。當今半導體工業大多數應用的是基于硅的集成電路。集成電路是20世紀50年代后期一60年代發展起來的一種新型半導體器件。它是經過氧化、光刻、擴散、外延、蒸鋁等
2020-02-18 13:23:44
的固溶體（鎵鋁砷、鎵砷磷等）。除上述晶態半導體外，還有非晶態的玻璃半導體、有機半導體等?！ ?b class="flag-6" style="color: red">半導體的分類，按照其制造技術可以分為：集成電路器件，分立器件、光電半導體、邏輯IC、模擬IC、儲存器等大類
2016-11-27 22:34:51
半導體材料是一類具有半導體性能（導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內）、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導體和化合物半導體兩大類
2019-06-27 06:18:41
硅基薄膜太陽電池新進展
一.引言
2009-12-28 09:35:45916 1 序言
本文所討論的智能探測器，是一種集成的半導體光電探測器。它與傳統的半導體光敏器件相比，
2011-01-07 15:32:20967 
文章主要介紹了當前射頻集成電路研究中的半導體技術和CAD技術，并比較和討論了硅器件和砷化鎵器件、射頻集成電路CAD和傳統電路CAD的各自特點。
2011-06-29 09:34:372392 日前，中科院微電子研究所納米加工與新器件集成技術研究室(三室)在阻變存儲器微觀機制研究中取得系列進展。
2012-04-13 09:31:301483 與1550mm波長的探測響應度也已分別達到了0.16mA/W 和0.08mA/W.文章對硅基光電器件的研究進展情況進行了概述，并著重對幾種器件的結構及工作原理進行了分析。 發光器件 由于硅為間接帶隙半導體，在載流子的復合過程中非輻射復合占絕對優勢，因此單晶硅本身不能制
2017-09-30 10:08:39
4 近幾年來，現代光學儀器國家重點實驗室在光纖傳感關鍵技術、微納光纖及其器件、負折射率介質和光子晶體、高清晰度液晶投影顯示技術及系統、多功能高集成度光電子集成器件等研究方向取得了突出進展。在激光與非線性
2017-11-02 15:44:1210 在科技部和中國科學院的大力支持下，半導體研究所集成技術工程研究中心相關課題組多年來致力于射頻諧振器件以及相關的測試表征系統的研制工作，在諧振器構型、微納加工工藝、器件測試方法研究和測試系統組建等方面
2017-12-10 11:09:011216 近日，中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室研究員沈國震帶領的研究團隊，與北京科技大學數理學院教授陳娣合作，在柔性人工視覺感知和存儲系統領域中取得新進展。 人體的視覺系統能夠感知外界的光線
2018-01-13 22:42:331334 量子共振隧穿效應引起的具有多自由度非線性動力學系統的半導體超晶格器件中誘導出空間和時間序，用于檢測并放大高頻微弱信號。
2018-10-02 18:42:001538 硅基激光器是用于硅基光子集成芯片的重要器件，為硅基光電子集成芯片提供光源。
2019-03-20 15:18:2725881 
碳基半導體制造的芯片器件類型與硅基半導體沒有大的差異，可大致將其分為：信息處理芯片、通信芯片和傳感器芯片三類。
2020-10-29 15:09:558902 半個世紀以來， 功率半導體器件得到長足發展， 極大地促進了電力電子技術的進步， 而功率半導體器件的發展主要基于整個微電子領域的基石——硅材料。19 世紀80 年代以來，硅材料本身的物理特性對硅基功率
2021-03-01 16:12:0024 最近，中科院半導體所半導體超晶格國家重點實驗室王麗麗副研究員和沈國震研究員與吉林大學等單位合作，設計了一種新型MXene/BP半導體薄膜基自供電柔性感知集成系統。
2021-03-12 15:52:274918 英特爾的目標是在封裝中將密度提升10倍以上，將邏輯微縮提升30%至50%，并布局非硅基半導體 在不懈推進摩爾定律的過程中，英特爾公布了在封裝、晶體管和量子物理學方面的關鍵技術突破，這些突破對推進和加
2021-12-14 09:22:323592 。這一最新研究在多波長集成光學領域取得了業界領先的進展，展示了完全集成在硅晶圓上的八波長分布式反饋（DFB）激光器陣列，輸出功率均勻性達到+/- 0.25分貝（dB），波長間隔均勻性到達±6.5%，均優于行業規范。 ? 英特爾研究院資深
2022-07-04 16:28:432375 
硅基氮化鎵是一個正在走向成熟的顛覆性半導體技術，硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-06 16:44:264975 
據麥姆斯咨詢報道，近期，昆明物理研究所、云南大學和云南省先進光電材料與器件重點實驗室的聯合科研團隊在《紅外技術》期刊上發表了以“硅基BIB紅外探測器研究進展”為主題的綜述文章。該文章通訊作者為唐利斌正高級工程師，主要從事光電材料與器件的研究工作。
2023-02-07 13:51:293564 硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實現低成本、大批量的氮化鎵器件產品的生產。
2023-02-10 10:43:342743 
香港大學電機與電子工程系助理教授向超以異質光子集成、硅光子學、半導體激光器和光子集成電路為研究方向，并主導研發了一系列硅基異質集成光電子器件，主要包括氮化硅上單片集成激光器、硅基激光光孤子頻率梳生成器、硅基窄線寬激光器等。
2023-04-25 10:16:012454 
近日，半導體所集成光電子學國家重點實驗室微波光電子課題組李明研究員-祝寧華院士團隊研制出一款超高集成度光學卷積處理器。
2023-06-01 09:52:062807 
上海微系統所異質集成XOI課題組孵化的上海新硅聚合半導體有限公司（簡稱：新硅聚合）近期實現了6英寸的光學級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜（LNOI）的工程化制備。
2023-06-09 09:43:154120 
當前，量子計算發展進入飛速期，各國研究團隊分別通過超導電路、離子阱、半導體、金剛石色心，或者光子等各種介質來構建量子比特體系，實現量子計算。在這些技術思路中，硅基自旋量子比特具有較長的量子退相干
2022-05-12 09:42:311166 
? 硅基光電子集成芯片以成熟穩定的CMOS工藝為基礎，將傳統光學系統所需的巨量功能器件高密度集成在同一芯片上，極大提升芯片的信息傳輸和處理能力，可廣泛應用于超大數據中心、5G/6G、物聯網、超級
2023-06-26 15:46:041712 
近日，新加坡南洋理工大學高煒博教授與中國科學院半導體研究所半導體超晶格國家重點實驗室張俊研究員合作，利用施主-受主對(DAP)模型解釋了二維MoS2/WSe2莫爾異質結中密集且尖銳的局域層間激子(IX)發射現象，并建立了DAP IX的動力學模型，很好地解釋了層間激子壽命與發射能量的單調依賴關系。
2023-09-25 10:14:511778 
近年來，量子光學得到了迅速發展，不僅僅表現在量子物理基礎研究取得一系列突破，光量子信息也逐步走出實驗室，并最終走向產業應用。量子光學研究的進一步深入和光量子信息實用化的關鍵在于光量子集成技術的突破
2023-09-27 10:44:566533 
近期，中國科學院半導體研究所游經碧研究員帶領的團隊在p-i-n反型結構鈣鈦礦太陽能電池的p型空穴傳輸層設計和可控生長等方面取得重要進展。
2023-11-25 17:28:411478 
、應用領域等方面。 背景介紹: 硅基氮化鎵集成電路芯片是在半導體領域中的一項重要研究課題。隨著智能手機、物聯網和人工智能等技術的快速發展，對高性能、高頻率、高可靠性集成電路芯片的需求日益增長。然而，傳統的硅基材料在高
2024-01-10 10:14:582335 近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所異質集成XOI團隊，在通訊波段硅基磷化銦異質集成激光器方面取得了重要進展。
2024-03-15 09:44:481776 
近日，中國科學院上海微系統與信息技術研究所硅基材料與集成器件實驗室蔡艷研究員、歐欣研究員聯合團隊，在通訊波段硅基鈮酸鋰異質集成電光調制器方面取得了重要進展。
2024-03-18 14:30:002433 
碳化硅（SiC）肖特基二極管是一種帶隙大于傳統硅基肖特基二極管的半導體器件。
2024-04-11 10:27:141696 
石墨烯/硅基異質集成的光子器件研究在近年來取得了巨大進展，因石墨烯所具有的諸多獨特的物理性質如超高載流子遷移率、超高非線性系數等，石墨烯/硅基異質集成器件展現出了諸如超大帶寬、超低功耗等優異性能。
2024-04-25 09:11:142360 
具有重要應用價值。半導體量子點材料的制備和以其為基礎的新型信息器件是信息科技前沿研究的熱點。 近期，在中國科學院半導體研究所王占國院士的指導下，劉峰奇研究員團隊等在量子點異質外延的研究方面取得重要進展。研究團隊以二維材料為外延襯底
2024-06-14 16:04:591041 
信息器件是信息科技前沿研究的熱點。 近期，在中國科學院半導體研究所王占國院士的指導下，劉峰奇研究員團隊等在量子點異質外延的研究方面取得重要進展。研究團隊以二維材料為外延襯底，基于分子束外延技術，發展出范德華外延
2024-06-16 17:23:3612142 
江蘇昕感科技在半導體芯片制造領域又邁出了重要的一步。由該公司投資建設的6英寸硅基半導體芯片項目，預計將在今年年底全面通線，年產能將達到100萬片6英寸硅基半導體芯片。這一項目的成功實施，將進一步鞏固昕感科技在功率半導體領域的領先地位。
2024-06-26 10:49:133204 圖1. 復合超表面示意圖：(a)俯視圖;(b)局部放大圖;(c)側視圖。(d)復合超表面增強硅SHG和THG示意圖。 近日，中科院上海光機所強場激光物理國家重點實驗室在硅基非線性光學研究方面取得
2024-11-06 06:37:24891 
材料的制備和以其為基礎的新型信息器件是信息科技前沿研究的熱點。 近期，在中國科學院半導體研究所王占國院士的指導下，劉峰奇研究員團隊等在量子點異質外延的研究方面取得重要進展。研究團隊以二維材料為外延襯底，基于分子束外延技術，發展
2024-11-13 09:31:261405 具有高增益和高輸出功率的硅基混合III-V半導體光放大器在許多應用中非常重要，如光收發器、集成微波光子學和光子波束成形。
2024-12-30 16:15:041275 
在半導體技術的不斷演進中，功率半導體器件作為電力電子系統的核心組件，其性能與成本直接影響著整個系統的效率與可靠性。碳化硅（SiC）功率模塊與硅基絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）功率模塊作為當前市場上
2025-04-02 10:59:415542 
、5G網絡、衛星通信、激光雷達等領域。近期，蘇州納米所納米加工平臺基于在InP材料外延、器件設計、器件制備等方面的積累在InP基半導體激光器領域取得了重要進展。 進展1：低閾值高功率單模激光器 DFB激光器因其窄線寬、高邊模抑制比和低相位噪聲優勢已成為光纖
2025-12-23 06:50:0532 
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