硅基激光器是用于硅基光子集成芯片的重要器件，為硅基光電子集成芯片提供光源。然而，由于硅材料本身的缺陷，很難用于實現硅基紅外光源。因此，如何實現硅基激光器是硅基光子學的研究熱點之一。

目前，硅基激光器主要有三個技術方向：1.將半導體激光器封裝在Laser-Box中，通過光柵耦合器耦合進硅波導中；2.將III-V族的DFB芯片倒裝焊（flip-chip）在SOI晶圓上，將光通過端面耦合進硅波導；3在SOI晶圓鍵合III-V族材料，然后再制作激光器，通過倏逝波耦合將光耦合進硅波導。

方案1以Luxtera為代表，通常在實用中需要定制大功率的激光器芯片。參考圖1。

圖1、Luxtera開發的硅基激光器

方案2，歐洲和日本的研究單位研究的較深入，它將III-V族的DFB芯片通過端面耦合到SOI的光回路中。在工藝方面，這種方案對于DFB芯片波導和Si波導對準及端面反射的要求非常嚴格，通常要求對準精度<±0.5μm，這對倒裝焊設備的要求非常高。參考圖2。

圖2、德國Fraunhofer實驗室制作的

方案3，主要以Intel為代表，將III-V材料通過wafer-bonding的方式鍵合在SOI晶圓上，利用硅波導制作光柵，實現單模輸出，可以較容易地在同一個芯片上制作不同波長的激光器。參考圖3。

圖3、Intel和UCSB合作開發的基于wafer-bonding技術的硅激光器