飛思卡爾為L波段雷達應用推出LDMOS

一直致力于突破高功率射頻（RF）技術的飛思卡爾半導體近日揭開了全球首款適用于L波段雷達應用的50V LDMOS RF功率晶體管產品的神秘面紗。這一產品線非常適合于各種高功率RF應用，包括空中交通管理和長射程氣象雷達。

RF產品線包括MRF6V14300H后期器件和MRF6V10010N驅動。當頻率在1200 － 1400 MHz之間時， MRF6V14300H生成330 W的RF脈沖輸出功率；與競爭性雙極場效晶體管（FET）器件相比，它重新設立了該功率和頻率級的新的效率、增益和熱阻標準。

飛思卡爾副總裁兼RF事業部總經理Gavin Woods表示，“利用新近推出的RF系列，現在，我們為1.2 - 1.4 GHz L波段頻率的航空電子和雷達應用展示了50V LDMOS功能。我們不但利用了飛思卡爾LDMOS技術的卓著功能，而且在幾個關鍵品質參數確立了新的RF性能標準。

先進的RF功率晶體管產品線（同時也是飛思卡爾50V RF功率LDMOS電子系統和雷達系列的首條產品線）為那些希望在L波段頻率設計RF脈沖功率產品的客戶提供了競爭優勢，如標準電源、冷卻成本低和托盤設計的高可靠性等。計劃在今年下半年推出的飛思卡爾新版本雷達和航空電子，有望展示出良好的增益、效率和熱阻性能，能夠全面超過目前市場其它同類產品。

飛思卡爾MRF6V14300H器件封裝在符合RoHS標準的氣腔陶瓷封裝內，熱阻不到0.12o C/W? ?JC，能夠有效管理散熱，減少散熱器規模。出色的熱性能為冷卻器提供結溫。MRF6V10010N是過模塑料封裝，也具有出色的熱性能。當與其他產品結合使用時，就能實現冷卻成本低和托盤設計的高可靠性優勢。

MRF6V14300H的關鍵RF性能數字有：1200 －1400 MHz的頻率范圍，330W的最高輸出功率（在1400MHz，脈沖寬度為300 μsec，12％的占空比）、17 dB增益、60％的漏極效率。特別值得一提的是，60％的漏極效率比競爭產品至少高出10個百分點。MRF6V10010N提供8W的最高輸出功率（1400 MHz、300 μs、12％的占空比）、22 dB增益和60％的漏極效率。

與飛思卡爾50 V LDMOS系列的其它器件一樣，這些先進器件融入了靜電放電（ESD）保護功能，有助于減少它們對裝配站點上的靜電事件的敏感性。這種ESD保護支持-6 V 到 +10 V的大范圍柵極電壓，當器件運行在更高效率級（如C級）時，這一設計的優勢就非常明顯。

RF器件基于飛思卡爾第6代超高壓（VHV6） 50 V LDMOS技術。首先被飛思卡爾實現商用的50 V VHV6 LDMOS平臺顯示出行業領先的增益和效率。加之器件封裝和熱管理領域內的創新，VHV6技術通過每晶體管額定功率的提高，進一步減少了器件計數和系統成本。

飛思卡爾擁有40多年的RF功率經驗，是一家領先的RF功率器件提供商（信息來源：Allied Business Intelligence），迄今已經交付了40多億瓦的大功率應用。飛思卡爾在交付創新、高度可靠、經濟高效RF解決方案方面有著悠久的歷史，能夠幫助設計人員加快設計流程，在動態市場中取得成功，同時這還有助于確保提供長期大量運輸的公司擁有充足的貨源。

定價和供貨情況
MRF6V10010N產品現已推出樣品，并已投入批量生產。MRF6V14300H正在打樣，并有望在2008年第三季度全面投入生產。MRF6V14300H的寬帶參考文本也已上市。兩款器件的大信號型號預計2008年年底推出。

有關RF產品的現場演示情況，請在6月17－19日期間參觀2008 IMS/MMT的飛思卡爾915號展臺。

有關樣品和定價信息，請與飛思卡爾半導體、飛思卡爾當地銷售辦事處或授權經銷商聯系。