飛思卡爾針對TD-SCDMA無線網絡推出RF功率器件和參考設計:MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N

飛思卡爾半導體引入兩個末級LDMOS RF功率晶體管，為設計人員提供介于分離式和集成式電路解決方案之間的選擇。此選擇隨同提供兩個參考設計，為設計人員帶來更好的靈活性，并且有助于縮短上市時間。新晶體管經過優化，用于基于時分同步碼分多址技術（TD-SCDMA）的功率放大器。而TD-SCDMA則是目前中國國內廣泛部署的第三方無線標準，同時其他市場也正在考慮使用該技術。

飛思卡爾新型的高效器件包括MRF7P20040H LDMOS FET和MD7IC2050N多級集成功率放大器IC。它同時還推出基于Doherty 架構的兩款參考設計，從而提高了生產商為TD-SCDMA網絡創建緊湊型經濟高效的、高性能基站收發器產品的能力。

飛思卡爾副總裁兼 RF部門總經理 Gavin Woods 表示，“飛思卡爾為中國使用 TD-SCDMA無線技術網絡的客戶提供高性能的解決方案，并繼續保持在LDMOS RF技術領域的領先地位。飛思卡爾利用其在RF功率技術方面的知識和領先地位，支持TD-SCDMA的特定需求。目前整個中國都在迅速部署TD-SCDMA技術。”

整體設計的靈活性

飛思卡爾最新的RF LDMOS 器件使構建RF 功率放大器成為可能，這些放大器經過優化后適合選定的設計。設計人員可以在分離式三級PA配置中選擇 MRF7P20040H作為最終的放大器，或者在兩級PA配置中選擇MD7IC2050N IC（包括驅動和末級放大器）。兩個器件都能很好地滿足 在Doherty放大器的使用需求，并且通常部署在現有的基站收發器里。Doherty放大器包括在不同發射信號條件下運行的兩臺放大器，并且它通常需要為每個放大器分別提供單獨的晶體管。

不過，飛思卡爾MRF7P20040H和MD7IC2050N 支持雙路徑配置，這樣在末級放大器中用單個器件（而不是兩個）就能安裝 Doherty 放大器。此外，既然兩個器件都是寬帶，它們可以在為TD-SCDMA (1880 -1920 MHz， 2010 - 2025 MHz)分配的兩個頻帶中運行，因此使用同一個器件可以在兩個頻帶里實現RF功率。這些優勢能大大減少 TD-SCDMA 放大器的尺寸、計費單以及電路的復雜程度，同時還能簡化清單管理。

Doherty放大器參考設計

飛思卡爾引入兩款Doherty放大器參考設計，能夠大幅縮短放大器的設計周期。第一款設計采用飛思卡爾MMG3014N通用放大器驅動MD7IC2050N，以生成基于兩級IC的陣列，RF平均輸出功率為10W時交付35%的效率和45dB的總增益。第二款設計將飛思卡爾MMG3014N 作為預驅動，MW6S004N LDMOS FET作為驅動，MRF7P20040H作為末級放大器。由此生成三級分離式陣列，RF平均輸出功率為10W時交付38%的效率和50dB的總增益。

這兩款器件包括用6載頻 2025 MHz TD-SCDMA測出的Doherty常見性能，其他重要特性則包括：

· MRF7P20040HS：RF輸出功率峰值為50W ；平均輸出功率為10W時漏極效率為43%，增益是18dB。氣孔陶瓷封裝帶內部匹配件，便于使用方便。

· MD7IC2050N：RF輸出功率峰值為70W;平均輸出功率為10W時漏極效率是35%，增益是29 dB。片上靜態電流溫度補償，提供與225°C超模壓塑料封裝匹配的50歐姆片上輸入。

兩款RoHS兼容的器件都是在對稱的Doherty放大器配置中測試后再生產的，以提供具有保證的RF功率輸出。同時它們組合靜電放電（ESD）保護，防止由于組裝線上雜散能量導致的破壞。

定價和供貨

如需了解取樣和定價信息，請您與飛思卡爾半導體公司、當地銷售辦事處或授權的經銷商聯系。