發改委網站6日消息，為推動我國新型平板顯示產業快速發展，落實“寬帶中國”戰略，國家發展改革委、工業和信息化部擬組織實施新型平板顯示和寬帶網絡設備研發及產業化專項。

　　支持的重點包括：

　　（一）新型平板顯示領域

　　1、高世代（6代及以上）薄膜晶體管液晶顯示（TFT-LCD）用高性能混合液晶材料研發和產業化

　　要求：驅動電壓≤7V，響應時間≤15ms，電阻率≥1×1013Ω·cm，單體純度》99.90%，粘度《20mPa·s；申報單位已實現年銷售量大于1噸。

　　2、有源有機發光顯示（AMOLED）用高精度金屬因鋼蒸鍍掩膜板研發和產業化

　　要求：尺寸≥650mm×750mm，最小開口尺寸25μm，開口精度≤±3μm，開口間距≤50μm，定位精度≤±5μm；申報單位已實現年銷售量大于80套。

　　3、AMOLED用高性能、長壽命有機藍色電致發光、電子傳輸和空穴注入/傳輸材料研發和產業化

　　要求：達產后形成年產發光材料25公斤、其他材料500公斤的生產能力，其中：藍光材料色度坐標達到CIE（0.14±0.01，0.07±0.01），1000 cd/m2亮度下，效率》6cd/A；空穴傳輸材料遷移率》8.0×10-4cm2/Vs；電子傳輸/空穴注入材料采用飛行時間法測試，遷移率》5.0×10-3cm2/Vs；玻璃化轉變溫度Tg≥130℃；驅動電壓低于4V情況下，對應器件特性指標LT95壽命要求紅、綠（》5000cd/m2）≥3000小時，藍（》500cd/ m2）≥1000小時；實驗片發光區面積3mm×3mm。

　　4、高分辨率面板驅動IC研發和產業化

　　要求：支持高分辨率（4K×2K）及以上電視面板、300PPI（每英寸像素數目）及以上手機面板，并可根據面板廠商要求提供不同接口技術。

　　5、高世代TFT-LCD及AMOLED用PECVD設備研發和產業化

　　要求：可制備非晶硅、氮化硅、氧化硅、三氧化二鋁等薄膜材料，成膜非均勻度≤±3%，基板處理能力≥20片/小時。

　　6、高世代TFT-LCD及AMOLED用濺射鍍膜設備研發和產業化

　　要求：靶材利用率》75%，薄膜非均勻性《5%，可制備ITO（氧化銦錫）、IGZO（氧化銦鎵鋅）、鋁、鉬等薄膜材料。

　　7、AMOLED蒸鍍設備研發及產業化

　　要求：最大可鍍膜基板尺寸650mm×750mm，OLED（發光顯示）材料利用率≥25%，OLED鍍膜均勻度≤±3%，對位精度2μm，生產節拍120秒。

　　（二）寬帶網絡設備領域

　　1、新一代光纖寬帶接入核心設備研發和產業化

　　要求：支持GPON/XG-PON（吉比特/10吉比特無源光纖網絡）共存，單板不少于4個40Gbps接口的PON系統，ONU（光網絡單元）支持無色特性。

　　2、超高速波分復用傳輸系統研發和產業化

　　要求：400Gbps高速波分復用傳輸設備，無電中繼傳輸距離不小于800公里，單光纖速率不低于16Tbps。

　　3、分組光傳送網設備研發和產業化

　　要求：基于統一信元交換的POTN（分組光傳送網）設備，單槽位接入容量不小于200Gbps，整機交換容量不低于6.4Tbps，支持多類型業務，交換容量動態分配，高精度時鐘和頻率同步傳送。

　　4、高端核心路由器研發和產業化

　　要求：單板卡單向轉發性能不低于400Gbps，單機框轉發性能不低于12.8Tbps，支持業務框數量不低于4個的集群形態。

　　5、高端數據交換設備研發和產業化

　　要求：單板卡單向轉發性能不低于1Tbps，整機雙向交換容量不低于20Tbps。

　　6、運營商級IPv4/IPv6網絡地址翻譯設備研發和產業化

　　要求：支持IPv4/IPv6雙協議棧，CGN（運營商級網絡地址翻譯）業務板卡速率不低于200Gbps，整機支持翻譯會話數不低于1000萬。